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公开(公告)号：CN211907438U
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202020920019.9
申请日：2020-05-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区栅漏两极的电场峰值，同时在器件内部引入了两个新的电场峰值，优化了器件的内部电场强度，改善器件内部的电场分布，从而提高了器件的耐压特性。此外，还通过在双漂移区之间引入轻掺杂的交叠浮空层辅助耗尽，以有效增加双漂移区的掺杂浓度，进一步改善耐压特性。再者，通过上部漂移区的底部引入重掺杂的单元内埋层和在双漂移区之间的轻掺杂区中引入重掺杂的单元内浮空层来进一步改善器件的耐压特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214705974U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202121100659.6
申请日：2021-05-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种阻变存储器结构，其结构由顶电极、阻变介质层和底电极组成，所述顶电极具有指向底电极的锥形结构，所述底电极具有指向顶电极的锥形结构，所述顶电极与底电极锥形结构之间保持一定距离，此结构下的忆阻器具有减小阻变存储器SET及RESET电压的效果，在加载电压后，尖端位置对应的电场强度最高，适合导电细丝的形成，抑制了导电细丝形成的随机性，解决了现有技术中的导电细丝型阻变存储器中阻变介质层导电细丝形成随机且不集中的技术问题。
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公开(公告)号：CN214672637U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202120994785.4
申请日：2021-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0445 , G02B5/00 , B82Y30/00
Abstract: 本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池，通过TCO膜层与玻璃衬底固定连接，Si层与TCO膜层固定连接，金属纳米颗粒与Si层固定连接，ITO膜层与Si层固定连接，其中Si层表面的三角纹理形态可以有效提高长波段的光吸收，而Si层中的金属纳米颗粒可以有效提高短波段的光吸收，此结构可有效提高硅基薄膜太阳能电池整个波段的光吸收，解决了硅基薄膜太阳能电池光子吸收率低的问题。
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公开(公告)号：CN209217173U
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201920010620.1
申请日：2019-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P3/00
Abstract: 本实用新型涉及一种基于费马旋臂结构的人工表面等离激元波导，解决的是电模式表面等离激元波导各方向强度分布不均匀的技术问题，通过采用包括介质基板，以及设置在介质基板单面或对称面的金属费马旋臂结构，可以将表面等离激元束缚在金属费马旋臂结构单元周围，实现人工表面磁等离激元的高效传输。所述金属费马旋臂结构的厚度小于10-4倍工作波长的技术方案，较好的解决了该问题，并应用于等离激元波导中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207764126U
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201820153247.0
申请日：2018-01-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本实用新型公开一种基于反射双共振谷光纤表面等离子共振传感器，包括位于光纤端面的金属膜，金属膜上均匀排列满工字型纳米狭缝结构，其中工字型纳米狭缝结构由三条相互连通的矩形狭缝构成。本实用新型的传感器具有两个共振波长，相互修正结果的两个共振波长可以使得测量结果更加精确。并且这两个共振波长的大小可以通过调节传感器的结构参数来调整，从而来适应不同的实用范围。实现了一种检测精度高、适用范围广、易于加工的光纤表面等离子体共振传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204790050U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520538799.X
申请日：2015-07-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本实用新型为内嵌矩形腔镜像对称楔形金属狭缝阵列的等离激元滤波器，介质基底表面附有狭缝阵列结构金属膜，所述狭缝阵列结构为内嵌矩形腔楔形金属狭缝阵列结构，每个周期左右镜像对称，两个相接的内嵌矩形腔楔形金属狭缝水平中分面上下镜像对称，楔形相接处为楔形的短底边，即狭缝的最窄处。腔体内填充介质为空气，平面光垂直金属膜表面入射。狭缝结构在X向为20～50个周期，单位周期宽度T为400～600nm，金属膜厚度H＝T。狭缝入或出射口宽度为楔形长底边W＝(0.4～0.6)T。楔形短底边Wmin＝(0.2～0.7)W。内嵌矩形腔腔体宽度L，W≤L≤H-50nm，腔体高度D＝60～140nm。本新型透射能力增强；可见光波段形成禁带；调整矩形腔腔体可调控的禁带。
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公开(公告)号：CN215578613U
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202121590974.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，所述底电极于所述凹槽的内底壁，所述第一电阻转变层位于所述底电极的顶端，所述第二电阻转变层位于所述第一电阻转变层的顶部，所述顶电极位于所述第二电阻转变层的顶部。将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中，解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修饰，并凭借所述第一电阻转变层和所述第二电阻转变层，相比于单层阻变层，能有效改善器件的电学性能，开/关阈值电压明显减小、电压的数值分布显著集中，并且数据保持能力以及电阻切换速度相对提升，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN211530158U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202020394297.5
申请日：2020-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于螺旋开槽Y型结构的人工磁局域表面等离激元功分器，包括至少三个螺旋形开槽结构的第一中心连线与介质基板水平线平行，至少三个螺旋形开槽结构的第二中心连线和第三中心连线与第一中心连线呈Y型。通过螺旋形开槽结构支持人工磁局域表面等离激元的传输。由于磁模式具有角向均匀性，人工局域表面等离激元能在螺旋形开槽结构上发生大角度弯曲传输，解决了目前研究现状中，基于螺旋形开槽结构只能直线和直角传输的弊端；同时螺旋形开槽结构的直径为10.6mm，远远小于其工作波长，为深度亚波长器件的设计提供了思路；适当地对功分器进行比例缩减，还可以工作于不同的频段，从而提高了人工局域表面等离激元的应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211528735U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202020310461.X
申请日：2020-03-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种全向传输的人工磁局域表面等离激元角向旋转耦合结构，包括介质基板、第一开槽螺旋双臂结构和第二开槽螺旋双臂结构，第一开槽螺旋双臂结构和第二开槽螺旋双臂结构均包括两个螺旋臂，两个螺旋臂交错螺旋设置，第一开槽螺旋双臂结构和第二开槽螺旋双臂结构的中点连线与介质基板表面水平线具有第一旋转夹角，第二开槽螺旋双臂结构以中心连线方向为半径方向旋转第二旋转夹角。此结构支持人工局域表面等离激元的传输，而人工局域表面等离激元磁模式的角向均匀性使得其在深亚波长范围内能够实现全向耦合传输，从而实现在平面内大角度弯曲传输。由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能够实现耦合结构中谐振频率频段的变化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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