半导体装置的制造方法
    152.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116157903A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202180055621.8

    申请日:2021-08-12

    Abstract: 提供一种特性的不均匀小且可靠性良好的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:沉积氧化物;在氧化物上沉积第一绝缘体;在第一绝缘体上沉积导电体;在导电体上沉积第二绝缘体;通过进行加热处理,氧化物及第一绝缘体中的氢移动到第二绝缘体并被吸收。通过溅射法沉积第二绝缘体。

    正极活性物质的制造方法
    153.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116062806A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310114517.2

    申请日:2020-03-23

    Abstract: 本发明提供一种正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法,包括如下步骤:在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器的第一工序;使加热炉内部的气氛为含氧气氛的第二工序;以及对加热炉的内部加热的第三工序,其中,在进行第一工序及第二工序之后进行第三工序。优选的是,在对加热炉加热内部之前使加热炉内为含氧气氛。更优选的是,氟化物为氟化锂且镁化合物为氟化镁。

    锂离子二次电池
    159.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111900378A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010842391.7

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 本发明提供一种可以提高二次电池的循环特性的锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表面设置有两种区域,其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物,而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和外表部的两种区域是拓扑衍生的,由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外,因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物,所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。

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