公开(公告)号：CN1058585C

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN94112813.X

申请日：1994-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  广木正明 ,  张宏勇 ,  山本睦夫 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/28079 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/981

Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。

公开(公告)号：CN1058583C

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN94103243.4

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供一种半导体的制造方法，它包括：在整个基片上选择性地形成选自镍、铁、钴、铂和钯中的至少一种物质；形以一种含非晶态硅的半导体膜，使它与整个基片接触；对它们进行加热，借此，使所述半导体膜结晶；以及，用腐蚀剂对所述已结晶的半导体膜的表面进行处理。腐蚀剂选自氢氟酸和盐酸。

公开(公告)号：CN1054943C

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN94112820.2

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  福永健司 ,  张宏勇

IPC: H01L21/208 ,  H01L21/00 ,  H01L21/228

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  Y10S148/016

Abstract: 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理以使此膜晶化。

公开(公告)号：CN1255742A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99121081.6

申请日：1994-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  张宏勇 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺,其工序是:在衬底上形成绝缘物涂层;将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中;在上述暴露工序之后,在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜;并且在400到650℃或更高温度中,但不得高于衬底玻璃转换温度,热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的,选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质,该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN1255733A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99126727.3

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手,然后,如此形成含至少一种催化元素的第二层,以便与非晶硅膜紧密连接,或催化元素掺入非晶硅膜中,用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射,再使该非晶硅膜晶化。

公开(公告)号：CN1255732A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99121082.4

申请日：1994-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  张宏勇 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺,其工序是:在衬底上形成绝缘物涂层;将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中;在上述暴露工序之后,在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜;并且在400到650℃或更高温度中,但不得高于衬底玻璃转换温度,热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的,选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质,该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN1053292C

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN94103242.6

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 用控制薄膜结晶度来改进薄膜晶体管可靠性和产量的方法。该方法包含的步骤为在岛形非晶硅膜上形成栅电极，用栅电极作为掩膜注入掺杂，形成涂覆膜，它至少含有镍、铁、钴、铂和钯中的一种，以便粘附到部分杂质区域上，并且在比纯非晶硅的结晶化温度低的温度下进行热处理，以从此开始推进结晶化，并使杂质区域和沟道形成区域结晶化。

公开(公告)号：CN1052572C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN94119378.0

申请日：1994-12-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  张宏勇 ,  山口直明 ,  铃木敦则

IPC: H01L21/208 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757

Abstract: 制造一种具有晶态硅层作为有源层的薄膜晶体管的方法，包括下述步骤：安排含促进硅结晶化的催化剂与非晶硅膜相接触，在较低温度使非晶硅结晶化以及然后用激光辐照硅膜改善其结晶性。通过控制催化剂在溶液中的浓度，可控制催化剂在结晶化后的硅膜中的浓度。

公开(公告)号：CN1052570C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN93121667.2

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1052569C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN93118309.X

申请日：1993-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/28158 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。