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公开(公告)号：CN1114847C
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN99801434.6
申请日：1999-08-09
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8326
Abstract: 对于使用孔板的流量控制装置，可不必拆解配管而通过检测上游压力判断孔板是否堵塞，可使流量控制装置的寿命延长、安全性得到提高。具体地说就是，在上游压力P1保持为下游压力P2的约2倍以上、以QC＝KP1(K：常数)进行下游流量QC的计算、利用该计算流量QC与设定流量QS二者的差信号QY对控制阀CV的开闭进行控制的流量控制装置FCS中，其堵塞检测装置由：储存有孔板2无堵塞的条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL而测定的上游压力P1的基准压力衰减数据Y(t)的存储装置M，在孔板2的实际条件下从高设定流量QSH切换到低设定流量QSL以对上游压力P1的压力衰减数据P(t)进行测定的压力检测器14，对压力衰减数据P(t)与基准压力衰减数据Y(t)二者进行对比运算的中央运算处理装置CPU，以及当压力衰减数据P(t)偏离基准压力衰减数据Y(t)达到既定程度以上时报知堵塞的报警电路46等构成。
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公开(公告)号：CN1356961A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN00801205.9
申请日：2000-06-05
IPC: C01B5/00
Abstract: 本发明的主要目的为,更彻底地防止水分发生用反应炉体内部中氢气着火或气体供给源一侧回火的发生以及镀铂触媒层的剥离,进一步提高水分发生用反应炉的安全性,同时减少反应炉体的内部空间的未利用空间,使反应炉体进一步小型化。为此,在本发明中,有气体供给口1a的入口侧炉体构件1和有水汽出口2a的出口侧炉体构件2对置状组装,通过将两者焊接形成反应炉体A,其内部空间V内设有反射体的同时在前述出口侧炉体构件2的内壁面形成镀铂触媒层8,从气体供给口1a供给反应炉体A的内部空间V内的氢气与氧气与镀铂保护膜8b接触使其活性化反应,从而使氢气与氧气在非燃烧状态下反应,产生水。
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公开(公告)号：CN1319075A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN00801626.7
申请日：2000-07-21
IPC: C01B5/00
CPC classification number: B01J3/006 , B01J7/00 , B01J12/007 , C01B5/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种安全的减压型水分发生供给装置,该装置减压供给(例如数托)水分气体,较高地保持水分发生用反应炉的内压,这样,可防止氢的自燃,本发明的另一目的是提供一种水分发生用反应炉,是通过对水分发生用反应炉高效率地进行冷却,便可在不增大反应炉尺寸的情况下使水分发生量大幅度增加的水分发生用反应炉。因此,本发明的减压型水分发生供给装置的特征在于:由水分发生用反应炉和减压机构构成,其中水分发生用反应炉是由氢和氧通过催化剂反应而发生水分气体;减压机构设在该水分发生用反应炉的下流侧,水分气体通过该减压机构减压后供给下流侧,与此同时较高地保持反应炉内的内压。本发明的散热式水分发生用反应炉由将入口侧炉主体部件和出口侧炉主体部件组合起来而形成有内部空间的反应炉主体、和贴紧在上述各炉子主体部件的外壁面上的散热片底板、及立设在该散热片底板上的多个散热用散热片构成,利用上述散热用散热片对发生的热量进行强制性辐射,使反应炉的温度降低。并且,对散热用散热片进行氧化铝膜加工,使热辐射率大幅度提高,而使散热效率进一步提高。
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公开(公告)号：CN1275217A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN99801416.8
申请日：1999-08-09
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0658 , G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种流体可变式流量控制装置,通过一台流量控制装置可自由地改变最大刻度流量,且能以高精度控制多种流体的流量。具体地,在将节流孔上游侧压力P1保持在下游侧压力P2的约2倍以上、进行流体的流量控制的流量控制装置FCS中,包括:为了依据流体的种类或流量范围而设定适当的节流孔直径而设置成可自由更换的节流孔8;设置在其上游侧的控制阀2;设置在控制阀2与节流孔8之间的压力检测器6;从该压力检测器6的上游侧检测压力P1以流量为Qc=KP1(K为常数)进行演算的流量演算回路14;将流量设定信号Qe输出的流量设定回路16;为了切换最大刻度流量,将演算流量信号Qc乘以流量变换率k,变换成切换演算流量信号Qf(Qf=kQc)的流量变换回路18;以该Qf与Qe之差作为控制信号Qy并输出给控制阀2的驱动部4的演算控制回路20,开闭控制阀2,使Qy为零。
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公开(公告)号：CN1255981A
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN99800002.7
申请日：1999-01-11
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种供如半导体制造设备中气体供给系统用的流体供给设备,它使得有可能在开始供给流体或流体转换时高精度控制流体流速而不产生流体的瞬时过冲现象。本发明的流体供给设备包括:压力流量控制器,用来调节流体的流率;流体转换阀,用来打开和关闭压力流量控制器次级侧的流体通道;以及流体供给控制单元,用来控制压力流量控制器和流体转换阀的操作;压力流量控制器包括:注流孔5;设置在注流孔5上游侧的控制阀1;设置在控制阀1和注流孔5之间的压力检测器3;以及计算控制单元6,它把流率信号Qc和流率指定信号Qs之间的差值作为控制信号Qy输入到控制阀1的驱动器2,流率信号Qc是利用流率Qc=KP1( K=常数)、根据由压力检测器3检测到的压力P1计算的;其中,通过借助打开和关闭控制阀1来调节注流孔上游侧的压力P1而控制注流孔5下游侧的流率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101268411B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200580051600.X
申请日：2005-09-16
Applicant: 大见忠弘
IPC: G02F1/13 , H01L29/786 , G02F1/1333 , G09F9/30 , C23C8/14 , H01L21/31 , C23C4/10 , H05K3/28 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的目的在于发现由于电子装置制造时使用的加热处理装置中的气氛，制造的电子装置叠置材料特性受到坏影响，从而减轻该坏影响。为了实现该目的，利用氧化物钝态膜覆盖加热处理装置的内表面，并且将该内表面的表面粗糙度以中心平均粗糙度Ra设为1μm以下。在这样的加热处理装置中，减轻在固化热固化性树脂时，热固化性树脂的分解、离解引起的热固化性树脂的劣化。
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公开(公告)号：CN1829830B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480021852.3
申请日：2004-07-07
IPC: C30B29/36 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02052 , C30B29/36 , H01L21/3148 , H01L29/1608 , Y10T428/31
Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。
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公开(公告)号：CN101599538A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910203880.1
申请日：2004-09-24
Applicant: 大见忠弘
Abstract: 一种有机EL发光元件，其具有：导电性透明电极(3)、与该导电性透明电极(3)对置的对置电极(8)、在所述导电性透明电极(3)和所述对置电极(8)之间设置的有机EL发光层(6)、至少覆盖所述有机EL发光层(6)而设置的绝缘保护层(9)、与该绝缘保护层(9)相接而设置的散热层(11)，所述导电性透明电极至少在所述有机EL发光层(6)侧的表面部分具有ITO膜，该ITO膜包含Hf、V及Zr中至少一种，而且，所述绝缘保护层(9)包含厚度100nm以下的氮化膜。本发明还涉及一种显示装置。
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公开(公告)号：CN101556948A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN100504697C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480002284.2
申请日：2004-01-16
Applicant: 株式会社富士金 , 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: G05D7/06
CPC classification number: H01L21/67023 , G05D7/0635 , Y10T137/6416 , Y10T137/6606 , Y10T137/7761
Abstract: 本发明使得能够使用压力式流量控制装置，在3～300SCCM左右的流量范围内，对供给真空腔室等的HF气体等簇化流体高精度地进行流量控制。具体地说，使用压力式流量控制装置的簇化流体的流量控制方法是下述方法，即在节流孔上游侧的气体的压力P1与节流孔下游侧的气体的压力P2之比P2/P1保持在气体的临界压力比以下的状态下，在节流孔中流通的气体的流量Q按照Q＝KP1(其中，K为常数)进行运算，其中，将前述压力式流量控制装置加温到40℃以上，或者向簇化流体中添加稀释气体使之达到分压以下，从而使得缔合的分子离解，之后使得变成了单分子状态的簇化流体通过所述节流孔流通。
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