公开(公告)号：CN102936006B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201210410794.X

申请日：2012-10-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  王宇清 ,  严辉 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王波 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C23C16/34 ,  C01B21/06 ,  C23C16/52 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s,得到表面有厚度为10nm-30nm金膜的衬底；（3）利用等离子体辅助热丝化学气象沉积法：在气压为1500Pa-2500Pa,衬底温度800℃-1000℃，偏压电流100mA-180m，通入氮气流速为10-50厘米3/分钟，通入氢气流速为10-50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。本发明得到实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、成线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，直径达40-150nm，单根线平均长度为10-15μm。

公开(公告)号：CN103658575A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310664319.X

申请日：2013-12-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  朱晓岗 ,  严辉 ,  李耳 ,  王如志 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: B22D11/06

Abstract: 一种内辊式单辊快淬制备非晶薄带的方法，属于非晶薄带的制备技术领域。采用内辊式辊轮，采用内辊式辊轮为中空的直筒结构，熔体喷射在围绕中心轴旋转的内辊式辊轮的内表面上，内辊式辊轮的内表面为直筒式，使熔体所受离心力的方向由垂直于接触面向上变为垂直于接触面指向接触面内。本发明方法制备的薄带尺寸更薄、表面光洁度更高、性能更好。

公开(公告)号：CN103658574A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310661006.9

申请日：2013-12-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  朱晓岗 ,  严辉 ,  李耳 ,  王如志 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: B22D11/06

Abstract: 一种圆锥式单辊快淬制备非晶合金薄带的方法，属于合金薄带制备技术领域。采用圆锥式辊轮，熔体喷射在围绕圆锥中心轴旋转的圆锥斜坡面上，使熔体所受离心力的方向由垂直于接触面向上变为与触面成一夹角，在圆锥斜坡面边缘非晶薄带冷却自身收缩和离心力作用下自行脱离辊轮。本发明制备的薄带尺寸更薄、表面光洁度更高、性能更好。

公开(公告)号：CN103500769A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310412715.3

申请日：2013-09-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  李青柳 ,  严辉 ,  张铭 ,  王如志 ,  宋雪梅 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: H01L31/055 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363

Abstract: 一种超疏水的金字塔-硅纳米线复合陷光结构及其制备方法，属于太阳能电池领域。硅片表面的清洁，利用碱性刻蚀在其表面制备金字塔结构，利用化学反应还原原理在硅片表面沉积非连续的贵金属颗粒，利用贵金属颗粒作为催化剂刻蚀制备硅纳米线进而获得金字塔-硅纳米线复合双结构，利用氟硅烷对复合结构表面进行化学修饰获得超疏水性能。在可见光范围内，其表面反射率降低到4%以下，且经过表面化学修饰后，表面接触角大于150°。

公开(公告)号：CN103367474A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310287086.6

申请日：2013-07-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  李青柳 ,  严辉 ,  王如志 ,  汪浩 ,  王波 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  宋雪梅 ,  刘晶冰

IPC: H01L31/0256 ,  H01L31/042 ,  C01B33/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。

公开(公告)号：CN103280490A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310193772.7

申请日：2013-05-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  王涛 ,  严辉 ,  沈华龙 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种改进多晶硅基薄膜连续性和表面形貌的方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。首先，分别采用磁控溅射法和等离子增强型化学气相沉积法，制备铝薄膜和非晶硅薄膜，通过控制铝层/非晶硅层厚度比例在0.5-1之间，叠层薄膜总厚度在100-400nm之间，能够有效优化多晶硅薄膜的连续性。本发明中还提出了新的薄膜腐蚀工艺，与传统腐蚀工艺相比，不但可以移除退火后薄膜内的铝，还能够起到消除多晶硅薄膜表面“硅岛”结构的作用。采用本发明的方法，能够获得表面平滑且连续性良好的高质量多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN103266352A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310163296.4

申请日：2013-05-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  王涛 ,  严辉 ,  沈华龙 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56

Abstract: 一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。首先，采用等离子增强型化学气相沉积法，在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜，通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例，在薄膜内部引入不同含量的结晶成分；随后，将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时，薄膜内的非晶成分逐渐晶化，最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。本发明中，由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分，固相晶化过程中不需要形核，有效降低了薄膜的晶化温度，缩短了晶化所需时间。

公开(公告)号：CN103050575A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210546605.1

申请日：2012-12-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘晶冰 ,  张美娟 ,  汪浩 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  王如志 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  严辉

IPC: H01L31/18 ,  C03C17/22

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种微波法制备铜锌锡硫薄膜的方法属于功能薄膜材料的制备技术领域。本发明在较短的范围内，使用乙二醇作为溶剂，其制备方法简单，降低了成本。本发明步骤：称取二水氯化铜、氯化锌、五水氯化锡和硫脲或硫代乙酰胺之一，其摩尔比为2:1:1:8;在乙二醇中依次加入二水氯化铜、氯化锌、五水氯化锡和硫脲或硫代乙酰胺之一，持续搅拌溶液，搅拌均匀后，将FTO导电玻璃倾斜置于溶液中,然后将其置于微波炉（微波工作频率2.45GHZ，额定输出功率700W）低火微波1h，之后随炉冷却至室温；取出薄膜，依次用乙醇和蒸馏水清洗，即制得铜锌锡硫薄膜。该方法工艺简单，成本低廉，具有大规模生产的潜力。

公开(公告)号：CN102936006A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210410794.X

申请日：2012-10-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  王宇清 ,  严辉 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王波 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C01B21/06 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s,得到表面有厚度为10nm-30nm金膜的衬底；（3）利用等离子体辅助热丝化学气象沉积法：在气压为1500Pa-2500Pa,衬底温度800℃-1000℃，偏压电流100mA-180m，通入氮气流速为10-50厘米3/分钟，通入氢气流速为10-50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。本发明得到实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、成线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，直径达40-150nm，单根线平均长度为10-15μm。

公开(公告)号：CN102874870A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210404477.7

申请日：2012-10-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  王赛 ,  朱满康 ,  刘晶冰 ,  王如志 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: C01G29/00 ,  C01F17/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种低温制备LaAlO3-BiAlO3雪花状纳米粉体的方法，属电子陶瓷领域。采用摩尔比为x：（1-x）：1：6的Bi(NO3)3·5H2O、La(NO3)3·6H2O、Al(NO3)3·9H2O、NaOH为原料，通过混料球磨、烘干、350～700℃下预烧2-6h、洗涤等即可。本发明利用熔盐化学法于较低温度制备出陶瓷粉体的同时，使其粉体颗粒尺寸更均匀，并呈现独特的雪花状纳米形貌。