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公开(公告)号：CN110190120A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910370872.X
申请日：2019-05-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 一种具有低开启过冲电流的横向绝缘栅双极型晶体管，在维持电流能力，耐压能力不下降的前提下，减小第二个栅脉冲开启时流经器件的电流峰值。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成夹断区。P型体区表面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶硅栅电极，所述多晶硅栅电极由位于P型体区表面上方的第一栅电极和位于夹断区及N型漂移区上方的第二栅电极组成，第一栅电极接第一栅电阻，第二栅电极接第二栅电阻。
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公开(公告)号：CN110109085A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910298331.0
申请日：2019-04-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双模切换的低功耗宽量程阵列型光子计时读出电路，包括由多个阵列像素单元构成的二维像素面阵、面阵外围附加的辅助像素单元、量化模式配置模块、时序控制模块及片内时钟产生电路。所述的阵列像素单元均包含APD探测器输入端口、AQC接口电路、阵列型TDC和寄存器。此读出电路工作在门控帧频探测模式下，通过判断当前帧辅助像素TOF的量化值大小来区分近距离探测和远距离探测，同时产生相应的控制信号来自适应地调节下一帧读出电路的数据量化模式。通过读出电路在不同量化模式之间的合理切换，可实现宽量程条件下的低功耗单光子探测成像。
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公开(公告)号：CN110047910A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910240465.7
申请日：2019-03-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种高耐压能力的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底上设有第一沟道层，第二沟道层，金属漏极和第二金属源极，在第二沟道层上设有第二势垒层并形成第二沟道，第二势垒层中设有栅极且栅极采用凹槽栅结构，所述凹槽栅结构嵌入第二势垒层中并由栅介质和位于栅介质中的栅极金属构成，在第二沟道层内设有隔离层并将第二沟道层分隔成上层和下层，在第二沟道层的下层与第一沟道层之间设有第一势垒层并形成第一沟道，金属漏极的底面与第一势垒层的底面平齐，在第二金属源极与所述第一沟道层之间设有第一金属源极，第一沟道可以通过多电流沟道的形式位于第二沟道的垂直正下方，可以降低反向导通压降，提高器件整体的击穿电压。
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公开(公告)号：CN109995304A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711476370.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098 , H02P23/04
Abstract: 本发明公开了一种基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，通过改变PWM载波频率改变开关频率，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免了电磁力的频谱分量和定子固有频率重合引发共振，从而达到降低噪声的目的。本发明提出的基于调节PWM载波降低开关磁阻电机噪声的方法，是从控制方向来实现降低开关磁阻电机噪声的，适用范围广，不影响其它性能参数，并且无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN106252400B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610835934.6
申请日：2016-09-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，接触区与阴极接触金属层相连，在N型缓冲区的表面设有P型阳极接触区，接触区与阳极接触金属层相连，N型漂移区的表面有场氧化层和导电多晶硅栅极，在阴极接触区、阳极接触区、场氧化层和导电多晶硅栅极的表面设有钝化层，其特征在于，器件阴极外侧设有隔离槽，隔离槽中导电多晶硅与阴极接触区以及阴极金属层短接，此方法增大隔离槽中导电多晶硅与N型漂移区之间电势差，减少流经P型体区中横向沟道的空穴电流，实现了抗闩锁能力的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106026721B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610570129.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02B70/1441 , Y02B70/1483 , Y02B70/1491
Abstract: 一种采用SiC功率管的ZCS全桥变换器的栅驱动电路，包括PWM发生器、MOS驱动网络、谐振栅驱动隔离变压器和RCD移位电路，MOS驱动网络中的MOS管栅极控制信号由PWM发生器提供，MOS驱动网络的输出经过谐振栅驱动隔离变压器输出给RCD移位电路，其输出信号作为全桥变换器SiC功率管的栅驱动信号，驱动全桥变换器两个桥臂中的上下SiC功率开关管，RCD移位电路用于调整SiC功率开关管的栅驱动电平，实现对于栅驱动电路电压的移位，使得驱动电压适用于SiC功率管，并利用谐振栅驱动隔离变压器次级中的漏感与SiC功率开关管的栅源寄生电容产生谐振，回收利用该寄生电容上的电能量，降低损耗，提升效率。
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公开(公告)号：CN106328700B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610705225.6
申请日：2016-08-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成栅极，在AlGaN掺杂层上部形成源极且所述源极位于栅极的一侧，栅极的另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于AlGaN掺杂层上部并止于本征GaN层内部，贯穿AlGaN掺杂层，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，其特征在于，在本征GaN层的内部设有绝缘层，所述绝缘层位于栅极正下方且始于AlGaN掺杂层下表面并止于AlN成核层上表面。
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公开(公告)号：CN109256428A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811155824.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种鳍式超结功率半导体晶体管及其制备方法，包括N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，在N型外延层内两侧设有柱状第一P型体区和第二P型体区，在第二P型体区表面设有第一N型重掺杂源区，在N型外延层顶部设有第三P型体区，该区表面两端设有第二N型重掺杂源区，第三P型体区两侧分别设有栅极多晶硅，且栅极多晶硅下方覆盖第二P型体区，柱状第一P型体区、第二P型体区及部分N型外延层低于第三P型体区下表面。第二P型体区表面的第一N型重掺杂源区止于栅氧化层的外侧边界，第一N型重掺杂源区与第二P型体区向晶体管外侧同步外凸并呈脉冲形状。本发明器件在保证击穿电压的前提下进一步降低导通电阻，降低器件EMI噪声。
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公开(公告)号：CN109004839A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810783542.9
申请日：2018-07-17
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 一种提高开关电源重载切轻载动态响应的控制方法，基于包括采样模块、动态控制模块、误差计算模块、PID模块、模式控制模块以及PWM模块构成的控制系统，该控制系统与受控的开关电源连接起来构成一个闭环，在开关电源输出电压超出其设定上限电压时，通过小能量的重载切轻载模式使得输出快速稳定，在重载切轻载模式中监测输出电压的变化进而计算下一开关周期的周期，并根据开关周期得到负载的大小，当跳出动态模式后，跳到对应负载点的工作状态，跳变后能量与负载稳态消耗相差不大，消除了后续的电压振荡，减小动态回复时间。
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公开(公告)号：CN109004827A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810801478.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 东南大学 , 连云港杰瑞电子有限公司
Abstract: 一种级联变换器自适应不对称死区时间的控制系统，包括电流采样电路、以微控制处理器为核心的控制电路和隔离驱动电路，在变换器的每一个工作周期内，电流采样电路采样变换器的输出电流Io，经过处理后输出给以微控制器为核心的控制电路，微控制处理器根据Io计算得到当前电路状态中前桥臂S1、S2两个开关管ZVS开启的最小电流I1min和I2min，再由I1min和I2min计算得到两个开关管所需的死区时间Tdead1和Tdead2，最后由微控制器为核心的控制电路调整输出驱动信号，实现S1和S2开关管死区时间的自适应不对称控制，减少因死区时间控制不合适导致开关管未完全实现ZVS开启而带来导通损耗和交叉损耗。
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