公开(公告)号：CN113169238A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076483.4

申请日：2019-11-15

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 弗朗西斯科·迪贾科莫 ,  赫伯特·利夫卡

IPC: H01L31/0463 ,  H01L51/00 ,  H01L31/0443

Abstract: 光伏装置(1)具有沿着第一装置轴线(D1)的方向布置的多个相互相继的光伏装置电池(1A、……、1F)。每对光伏装置电池及其后继电池通过界面区域(1CD)串联布置，所述界面区域(1CD)还具有旁路功能，并且所述界面区域(1CD)沿着第二轴线(D2)延伸，所述第二轴线(D2)横向于所述第一轴线。

公开(公告)号：CN105102676B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201480019869.9

申请日：2014-02-06

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 雷蒙德·雅各布斯·W·克纳彭 ,  R·奥利斯拉格斯 ,  丹尼斯·范登贝尔赫 ,  马泰斯·C·范登布尔 ,  弗雷迪·罗泽博姆

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/314 ,  C23C16/54

Abstract: 一种实施原子层沉积的方法。该方法包括使用包括一个或多个气体供应器的沉积头，向基底供应前体气体，且该一个或多个气体供应器包括前体气体供应器。前体气体靠近该基底的表面反应，用以形成原子层。沉积头具有包括气体供应器的输出面，且在沉积原子层时该输出面至少部分地面向该基底表面。输出面大体上为圆形，界定基底的移动路径。前体气体供应器在供应该前体气体时通过旋转该沉积头相对该基底移动，用以在一个方向连续地移动时沉积原子层的叠层。基底的表面利用气体轴承保持不与该输出面接触。

公开(公告)号：CN112657447A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011275594.9

申请日：2014-05-21

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 帕斯卡尔·约瑟夫·保罗·比斯肯斯 ,  莫里斯·克里斯蒂安·丹霍·穆拉德 ,  玛丽亚·伊丽莎白·路易斯·沃特兹 ,  莱昂纳德斯·约翰内斯·马里亚·杰诺韦瓦·多尔特曼斯 ,  厄尔·劳伦斯·文森特·格特希尔 ,  南宁·约尔格·阿夫斯藤

IPC: B01J19/12

Abstract: 本发明涉及化学转化方法并且涉及用于将颗粒从反应混合物中除去的方法。本发明的化学转化方法包括通过以下过程对反应混合物进行等离子体激元加热，所述反应混合物包含至少一种组分和等离子体激元颗粒：将所述反应混合物暴露于包含被至少部分所述等离子体激元颗粒吸收的一个或更多个波长的光，由此控制一个或更多个化学反应的反应速率。

公开(公告)号：CN108352409B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201680055460.1

申请日：2016-08-26

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 布赖恩·哈迪·科布

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: TFT装置从具有相互绝缘的狭长的半导体材料条带的基板开始制造。层的堆栈在该基板上的该条带上方，该堆栈包含栅极电极层。多层级抗蚀剂层提供于该栅极电极层上方。该多层级抗蚀剂层界定栅极和源极漏极区，信道在平行于该条带的方向运行。在该抗蚀剂层中的栅极部分跨越该抗蚀剂层中的源极漏极区，从而在任一侧上超出该源极漏极区至少相当于该条带的节距的距离。

公开(公告)号：CN107670606B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201710996535.2

申请日：2014-05-21

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 帕斯卡尔·约瑟夫·保罗·比斯肯斯 ,  莫里斯·克里斯蒂安·丹霍·穆拉德 ,  玛丽亚·伊丽莎白·路易斯·沃特兹 ,  莱昂纳德斯·约翰内斯·马里亚·杰诺韦瓦·多尔特曼斯 ,  厄尔·劳伦斯·文森特·格特希尔 ,  南宁·约尔格·阿夫斯藤

IPC: B01J19/08 ,  C09D5/32 ,  B05D3/06 ,  C08K3/16 ,  C08K3/36 ,  G03F7/16 ,  C09D5/00 ,  C09D183/06 ,  C08K5/098 ,  C08F2/38

Abstract: 本发明涉及化学转化方法并且涉及用于将颗粒从反应混合物中除去的方法。本发明的化学转化方法包括通过以下过程对反应混合物进行等离子体激元加热，所述反应混合物包含至少一种组分和等离子体激元颗粒：将所述反应混合物暴露于包含被至少部分所述等离子体激元颗粒吸收的一个或更多个波长的光，由此控制一个或更多个化学反应的反应速率。

公开(公告)号：CN111164765A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880057304.8

申请日：2018-07-16

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 艾弗特·尤金·本德

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/05 ,  H01L31/054

Abstract: 一种光伏模块，具有位于前板(4)和背板(5)之间的空间中的一个或多个光伏电池(2)，所述空间填充有封装材料(6)。光伏模块(1)具有提供一个或多个光伏电池(2)的电互连的多个条带(3)。存在具有图案的单个可见光吸收层(7)，所述图案包括与多个条带(3)对准的局部区域。局部区域的宽度(w+e)等于相关联的条带(3)的宽度(w)加上对称施加的延伸宽度(e)。延伸宽度(e)和高度(h)根据以下等式确定：其中，nE是封装材料(6)的折射率。单个可见光吸收层(7)设置在前板(4)的内表面上。

公开(公告)号：CN111133589A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061091.6

申请日：2018-09-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  约翰·安克 ,  马丁恩·科普斯 ,  英格里德·戈蒂纳·罗梅恩 ,  兰伯特·约翰·吉林斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及掺杂剂增强的基于硅的太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括硅衬底的表面上的层堆叠体(1)，所述层堆叠体(1)包括薄氧化物层(20)和多晶硅层(30)，所述薄氧化物层布置成在所述衬底的所述表面与所述多晶硅层之间的隧道氧化物层。所述太阳能电池具有布置在所述层堆叠体上的局部渗透进入所述多晶硅层的烧穿金属接触部(50)。所述硅衬底在所述表面的侧面具有掺杂剂物质，所述掺杂剂物质在所述硅衬底中产生第一导电类型的掺杂剂分布。所述硅衬底中的掺杂剂分布具有约1×10+18个原子/cm3至约3×10+19个原子/cm3的最大掺杂剂水平以及所述衬底内掺杂剂原子水平为1×10+17个原子/cm3的至少200nm的深度。

公开(公告)号：CN111108609A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201880061080.8

申请日：2018-09-20

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 艾弗特·尤金·本德 ,  吴宇 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: 基于p型导电性的硅衬底的背接触式太阳能电池具有用于接收辐射的前表面、以及后表面。所述后表面具有隧道氧化物层和n型导电性的掺杂多晶硅层。所述隧道氧化物层和n型导电性的图案化掺杂多晶硅层形成图案化层堆叠体，所述图案化层堆叠体中具有间隙。Al-Si合金化接触部被布置在所述间隙中的每一个内、与所述衬底的基极层电接触，以及一个或多个Ag接触部被布置在图案化掺杂多晶硅层上并且与所述图案化掺杂多晶硅层电接触。

公开(公告)号：CN111095576A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059558.3

申请日：2018-09-17

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 约翰·博斯曼

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465

Abstract: 一种用于使用特定设备以卷对卷工艺在衬底膜中生产薄膜光伏电池模块的方法，该模块包括在下电极层和上电极层之间具有光伏层的衬底，该设备包括带式输送机和沿着带式输送机的传送方向布置在相应位置的划线站和印刷站，以在光伏电池之间形成互连结构，该互连结构包括结构元件布置，该结构元件布置具有一个或多个导电划线和隔离划线以及连接相邻薄膜光伏电池的导电主体。方法包括：由加工站在移动衬底膜中形成互连结构；测量结构元件并确定每个结构元件的参数；基于确立与功能缺陷相关联的定位误差的参数，基于该误差，校正一个或多个加工站和/或带式输送机的设置。

公开(公告)号：CN105409003B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201480041709.4

申请日：2014-06-11

Applicant: IMEC ,  非营利协会 ,  荷兰应用自然科学研究组织TNO ,  鲁汶天主教大学研究开发部

Inventor： M·纳格 ,  A·布罗卡姆 ,  R·穆勒

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开提供一种用于改善金属氧化物半导体层在预定位置处的导电率的方法。该方法包括：在基板上提供金属氧化物半导体层；借助原子层沉积在金属氧化物半导体层的顶部上提供金属氧化物层，其中该金属氧化物层在预定位置与金属氧化物半导体层物理接触。惊奇地发现该方法导致金属氧化物半导体层在预定位置处有增加的导电率。本公开的方法可有利地用在针对自对准顶栅金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造过程中，以改善源极和漏极区域中的导电率。