公开(公告)号：CN119008722A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411105589.1

申请日：2018-09-20

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 艾弗特·尤金·本德 ,  吴宇 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 基于p型导电性的硅衬底的背接触式太阳能电池具有用于接收辐射的前表面、以及后表面。所述后表面具有隧道氧化物层和n型导电性的掺杂多晶硅层。所述隧道氧化物层和n型导电性的图案化掺杂多晶硅层形成图案化层堆叠体，所述图案化层堆叠体中具有间隙。Al‑Si合金化接触部被布置在所述间隙中的每一个内、与所述衬底的基极层电接触，以及一个或多个Ag接触部被布置在图案化掺杂多晶硅层上并且与所述图案化掺杂多晶硅层电接触。

公开(公告)号：CN111164765A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880057304.8

申请日：2018-07-16

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 艾弗特·尤金·本德

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/05 ,  H01L31/054

Abstract: 一种光伏模块，具有位于前板(4)和背板(5)之间的空间中的一个或多个光伏电池(2)，所述空间填充有封装材料(6)。光伏模块(1)具有提供一个或多个光伏电池(2)的电互连的多个条带(3)。存在具有图案的单个可见光吸收层(7)，所述图案包括与多个条带(3)对准的局部区域。局部区域的宽度(w+e)等于相关联的条带(3)的宽度(w)加上对称施加的延伸宽度(e)。延伸宽度(e)和高度(h)根据以下等式确定：其中，nE是封装材料(6)的折射率。单个可见光吸收层(7)设置在前板(4)的内表面上。

公开(公告)号：CN111108609A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201880061080.8

申请日：2018-09-20

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 艾弗特·尤金·本德 ,  吴宇 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

Abstract: 基于p型导电性的硅衬底的背接触式太阳能电池具有用于接收辐射的前表面、以及后表面。所述后表面具有隧道氧化物层和n型导电性的掺杂多晶硅层。所述隧道氧化物层和n型导电性的图案化掺杂多晶硅层形成图案化层堆叠体，所述图案化层堆叠体中具有间隙。Al-Si合金化接触部被布置在所述间隙中的每一个内、与所述衬底的基极层电接触，以及一个或多个Ag接触部被布置在图案化掺杂多晶硅层上并且与所述图案化掺杂多晶硅层电接触。

公开(公告)号：CN109983584B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201780072786.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  兰伯特·约翰·吉林斯 ,  艾弗特·尤金·本德 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 一种半导体衬底(1)，具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面。存在第一类型的钝化层(5)，以用于在半导体衬底(1)的第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触。半导体衬底(1)的有源区(2)与第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4)。半导体衬底(1)的有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中提供有第一导电类型的掺杂。有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中的横向掺杂剂水平基本上一致。

公开(公告)号：CN109891600B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201780048727.9

申请日：2017-08-03

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 约翰·安克 ,  艾弗特·尤金·本德 ,  兰伯特·约翰·吉林斯 ,  马切伊·克日什托夫·斯杜德林

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01B1/02 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22

Abstract: 太阳能电池和制造太阳能电池的方法。该太阳能电池具有硅基板(2)和设置在硅基板(2)的基板侧部(2a)上的层(4)。太阳能电池还具有接触结构(6)，该接触结构(6)从太阳能电池(1)的电池侧部(1a)穿过层(4)延伸至硅基板(2)。层(4)由多晶硅层(8)和隧道氧化层(10)组成，其中，隧道氧化层(10)插入在多晶硅层(8)与硅基板(2)之间。

公开(公告)号：CN109983584A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780072786.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  兰伯特·约翰·吉林斯 ,  艾弗特·尤金·本德 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 一种半导体衬底(1)，具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面。存在第一类型的钝化层(5)，以用于在半导体衬底(1)的第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触。半导体衬底(1)的有源区(2)与第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4)。半导体衬底(1)的有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中提供有第一导电类型的掺杂。有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中的横向掺杂剂水平基本上一致。