公开(公告)号：CN111133589B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880061091.6

申请日：2018-09-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  约翰·安克 ,  马丁恩·科普斯 ,  英格里德·戈蒂纳·罗梅恩 ,  兰伯特·约翰·吉林斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及掺杂剂增强的基于硅的太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括硅衬底的表面上的层堆叠体(1)，所述层堆叠体(1)包括薄氧化物层(20)和多晶硅层(30)，所述薄氧化物层布置成在所述衬底的所述表面与所述多晶硅层之间的隧道氧化物层。所述太阳能电池具有布置在所述层堆叠体上的局部渗透进入所述多晶硅层的烧穿金属接触部(50)。所述硅衬底在所述表面的侧面具有掺杂剂物质，所述掺杂剂物质在所述硅衬底中产生第一导电类型的掺杂剂分布。所述硅衬底中的掺杂剂分布具有约1×10+18个原3 +19 3子/cm至约3×10 个原子/cm的最大掺杂剂水平以及所述衬底内掺杂剂原子水平为1×10+17个原子/cm3的至少200nm的深度。

公开(公告)号：CN109891600B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201780048727.9

申请日：2017-08-03

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 约翰·安克 ,  艾弗特·尤金·本德 ,  兰伯特·约翰·吉林斯 ,  马切伊·克日什托夫·斯杜德林

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01B1/02 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22

Abstract: 太阳能电池和制造太阳能电池的方法。该太阳能电池具有硅基板(2)和设置在硅基板(2)的基板侧部(2a)上的层(4)。太阳能电池还具有接触结构(6)，该接触结构(6)从太阳能电池(1)的电池侧部(1a)穿过层(4)延伸至硅基板(2)。层(4)由多晶硅层(8)和隧道氧化层(10)组成，其中，隧道氧化层(10)插入在多晶硅层(8)与硅基板(2)之间。

公开(公告)号：CN109983584A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780072786.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  兰伯特·约翰·吉林斯 ,  艾弗特·尤金·本德 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 一种半导体衬底(1)，具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面。存在第一类型的钝化层(5)，以用于在半导体衬底(1)的第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触。半导体衬底(1)的有源区(2)与第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4)。半导体衬底(1)的有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中提供有第一导电类型的掺杂。有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中的横向掺杂剂水平基本上一致。

公开(公告)号：CN111133589A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061091.6

申请日：2018-09-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  约翰·安克 ,  马丁恩·科普斯 ,  英格里德·戈蒂纳·罗梅恩 ,  兰伯特·约翰·吉林斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及掺杂剂增强的基于硅的太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括硅衬底的表面上的层堆叠体(1)，所述层堆叠体(1)包括薄氧化物层(20)和多晶硅层(30)，所述薄氧化物层布置成在所述衬底的所述表面与所述多晶硅层之间的隧道氧化物层。所述太阳能电池具有布置在所述层堆叠体上的局部渗透进入所述多晶硅层的烧穿金属接触部(50)。所述硅衬底在所述表面的侧面具有掺杂剂物质，所述掺杂剂物质在所述硅衬底中产生第一导电类型的掺杂剂分布。所述硅衬底中的掺杂剂分布具有约1×10+18个原子/cm3至约3×10+19个原子/cm3的最大掺杂剂水平以及所述衬底内掺杂剂原子水平为1×10+17个原子/cm3的至少200nm的深度。

公开(公告)号：CN116193881A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211514220.7

申请日：2016-12-19

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 兰伯特·约翰·吉林斯 ,  吴宇 ,  张栋 ,  约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦 ,  斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡 ,  齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉

IPC: H10K39/15 ,  H10K30/10 ,  H01L31/18 ,  H01L31/078 ,  H10K30/83 ,  H01L31/043

Abstract: 串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面，其中，相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212)，光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上，设置有钝化层堆栈(236)，钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。

公开(公告)号：CN116193880A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211514134.6

申请日：2016-12-19

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 兰伯特·约翰·吉林斯 ,  吴宇 ,  张栋 ,  约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦 ,  斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡 ,  齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉

IPC: H10K39/15 ,  H10K30/10 ,  H01L31/18 ,  H01L31/078 ,  H10K30/83 ,  H01L31/043

Abstract: 串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面，其中，相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212)，光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上，设置有钝化层堆栈(236)，钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。

公开(公告)号：CN109983584B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201780072786.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  兰伯特·约翰·吉林斯 ,  艾弗特·尤金·本德 ,  约翰·安克

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 一种半导体衬底(1)，具有有源区(2)以及面向彼此的第一表面和第二表面。存在第一类型的钝化层(5)，以用于在半导体衬底(1)的第一表面的部分上提供第一导电类型的电接触。半导体衬底(1)的有源区(2)与第一类型的钝化层(5)之间设置有介电层(4)。半导体衬底(1)的有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中提供有第一导电类型的掺杂。有源区(2)的、第一表面附近的层(3)中的横向掺杂剂水平基本上一致。

公开(公告)号：CN108604615B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201680080717.9

申请日：2016-12-19

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO

Inventor： 兰伯特·约翰·吉林斯 ,  吴宇 ,  张栋 ,  约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦 ,  斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡 ,  齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉

IPC: H01L31/078 ,  H01L27/30 ,  H01L31/18

Abstract: 串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面，其中，相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212)，光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上，设置有钝化层堆栈(236)，钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。