公开(公告)号：CN111133589B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880061091.6

申请日：2018-09-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  约翰·安克 ,  马丁恩·科普斯 ,  英格里德·戈蒂纳·罗梅恩 ,  兰伯特·约翰·吉林斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及掺杂剂增强的基于硅的太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括硅衬底的表面上的层堆叠体(1)，所述层堆叠体(1)包括薄氧化物层(20)和多晶硅层(30)，所述薄氧化物层布置成在所述衬底的所述表面与所述多晶硅层之间的隧道氧化物层。所述太阳能电池具有布置在所述层堆叠体上的局部渗透进入所述多晶硅层的烧穿金属接触部(50)。所述硅衬底在所述表面的侧面具有掺杂剂物质，所述掺杂剂物质在所述硅衬底中产生第一导电类型的掺杂剂分布。所述硅衬底中的掺杂剂分布具有约1×10+18个原3 +19 3子/cm至约3×10 个原子/cm的最大掺杂剂水平以及所述衬底内掺杂剂原子水平为1×10+17个原子/cm3的至少200nm的深度。

公开(公告)号：CN111133589A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061091.6

申请日：2018-09-24

Applicant: 荷兰应用自然科学研究组织TNO

Inventor： 马切伊·克日什托夫·斯杜德林 ,  约翰·安克 ,  马丁恩·科普斯 ,  英格里德·戈蒂纳·罗梅恩 ,  兰伯特·约翰·吉林斯

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及掺杂剂增强的基于硅的太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括硅衬底的表面上的层堆叠体(1)，所述层堆叠体(1)包括薄氧化物层(20)和多晶硅层(30)，所述薄氧化物层布置成在所述衬底的所述表面与所述多晶硅层之间的隧道氧化物层。所述太阳能电池具有布置在所述层堆叠体上的局部渗透进入所述多晶硅层的烧穿金属接触部(50)。所述硅衬底在所述表面的侧面具有掺杂剂物质，所述掺杂剂物质在所述硅衬底中产生第一导电类型的掺杂剂分布。所述硅衬底中的掺杂剂分布具有约1×10+18个原子/cm3至约3×10+19个原子/cm3的最大掺杂剂水平以及所述衬底内掺杂剂原子水平为1×10+17个原子/cm3的至少200nm的深度。