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公开(公告)号:CN116193881A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202211514220.7
申请日:2016-12-19
申请人: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
发明人: 兰伯特·约翰·吉林斯 , 吴宇 , 张栋 , 约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦 , 斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡 , 齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉
IPC分类号: H10K39/15 , H10K30/10 , H01L31/18 , H01L31/078 , H10K30/83 , H01L31/043
摘要: 串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面,其中,相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212),光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上,设置有钝化层堆栈(236),钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。
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公开(公告)号:CN111213235B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN201880045242.9
申请日:2018-07-11
申请人: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
发明人: 约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦 , 齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉 , 张栋 , 马库斯·约翰·詹森
IPC分类号: H10K39/15 , H10K30/50 , H01L31/05 , H01L31/043
摘要: 一种太阳能电池板(1)包括硅基电池的硅电池子模块(14)、前透明板(10)和背板(16)。背板设置有至少连接至每个硅电池的后表面电接触上的第一导电图案(161)。前透明板与硅电池之间设置有薄膜光伏子模块(12),该组件包括已布置的薄膜电池(22),该薄膜电池具有两个连接背板上第二导电图案(162)的光伏子模块接触(V1、V2)。背板用于四端子布线,第一图案用于硅电池,第二图案用于薄膜电池。薄膜电池布置在第一组电池(24)和至少第二组电池(26)中,每一组电池串联在一起。第一组与第二组在光伏子模块的接触之间并联连接。
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公开(公告)号:CN116193880A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202211514134.6
申请日:2016-12-19
申请人: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
发明人: 兰伯特·约翰·吉林斯 , 吴宇 , 张栋 , 约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦 , 斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡 , 齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉
IPC分类号: H10K39/15 , H10K30/10 , H01L31/18 , H01L31/078 , H10K30/83 , H01L31/043
摘要: 串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面,其中,相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212),光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上,设置有钝化层堆栈(236),钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。
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公开(公告)号:CN108604615B
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN201680080717.9
申请日:2016-12-19
申请人: 荷兰应用自然科学研究组织 TNO
发明人: 兰伯特·约翰·吉林斯 , 吴宇 , 张栋 , 约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦 , 斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡 , 齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉
IPC分类号: H01L31/078 , H01L27/30 , H01L31/18
摘要: 串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面,其中,相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212),光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上,设置有钝化层堆栈(236),钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。
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