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公开(公告)号：CN105957481A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610428393.5
申请日：2010-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及显示设备。液晶显示设备包括：设置有端子部分、开关晶体管、驱动电路部分、以及包括像素晶体管的像素电路部分的第一基板；设置有经由开关晶体管电连接到端子部分的公共电极的第二基板；以及像素电极和公共电极之间的液晶。在静止图像切换到活动图像的周期中，按顺序执行以下步骤：将公共电位(端子206A的电位)供应到公共电极的第一步骤；将电源电压(Vdd)供应到驱动电路部分的第二步骤；将时钟信号(GCK)供应到驱动电路部分的第三步骤；以及将起动脉冲信号(GSP)供应到驱动电路部分的第四步骤。
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公开(公告)号：CN102656625B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201080057193.4
申请日：2010-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3618 , G02F1/1345 , G06F3/0416 , G06F3/0421 , G06F3/044 , G09G3/3648 , G09G3/3655 , G09G3/3696 , G09G2300/0809 , G09G2310/04 , G09G2310/061 , G09G2310/08 , G09G2320/0209 , G09G2320/0219 , G09G2320/10 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2340/0435 , G09G2340/16 , G09G2354/00
Abstract: 液晶显示设备包括：设置有端子部分、开关晶体管、驱动电路部分、以及包括像素晶体管的像素电路部分的第一基板；设置有经由开关晶体管电连接到端子部分的公共电极的第二基板；以及像素电极和公共电极之间的液晶。在静止图像切换到活动图像的周期中，按顺序执行以下步骤：将公共电位（端子206A的电位）供应到公共电极的第一步骤；将电源电压（Vdd）供应到驱动电路部分的第二步骤；将时钟信号（GCK）供应到驱动电路部分的第三步骤；以及将起动脉冲信号（GSP）供应到驱动电路部分的第四步骤。
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公开(公告)号：CN103038813B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201180025758.5
申请日：2011-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2310/021 , G09G2310/0235
Abstract: 具有简洁的像素构成并且能够以场序制方式而并行图像信号的写入及显示的液晶显示装置。在该液晶显示装置中，对一个行中的像素写入图像信号之后，对从该行离开至少两行的行中的像素进行图像信号的写入。所以，在该液晶显示装置中，不是按像素部而是按像素部的单位区域进行图像信号的写入和背光灯的点亮。由此，在该液晶显示装置中能够并行图像信号的写入和背光的点亮。
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公开(公告)号：CN105513644A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610068680.X
申请日：2010-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器。本发明的目的是提供包括正常导通的薄膜晶体管的驱动器电路，其中该驱动器电路确保了故障少的且高可靠性的操作。该驱动器电路包括包含具有第一晶体管和第二晶体管的反相器电路以及具有第三晶体管的开关的静态移位寄存器。第一至第三晶体管各自包括包含氧化物半导体的半导体层并且是耗尽模式晶体管。用于驱动第三晶体管的时钟信号的振幅电压高于用于驱动反相器电路的电源电压。
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公开(公告)号：CN105452981A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480043745.4
申请日：2014-07-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06F1/1652 , G06F3/041 , G06F2203/04102
Abstract: 提供一种低耗电量的显示装置。另外，提供一种在折叠状态下能够使用的区域中显示图像的显示装置。构想出的显示装置包括能够展开及折叠的显示部、检测上述折叠状态的检测部、当显示部为折叠状态时生成在显示部的一部分中显示黑图像的图像的图像处理部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102779476B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210144710.2
申请日：2012-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 三宅博之
IPC: G09G3/3225
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G2320/045 , G09G2330/021 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的显示装置的驱动方法在使用发光元件等的显示装置中降低耗电量而不损失显示质量。在本发明的显示装置的驱动方法中，进行第一动作及第二动作，在第一动作中将晶体管的阈值电压保持在电容元件中，在第二动作中通过利用由电容元件进行的电容耦合，从而将对与图像信号对应的信号电位加上阈值电压后的电位输入到该晶体管的栅极，以使该晶体管的漏极电流流到发光元件，对于多个帧进行一次第一动作。在此，包括对电容元件与被输入电源电位的布线之间的电连接进行选择的开关，作为该开关使用其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管。
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公开(公告)号：CN104637459A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510009771.1
申请日：2006-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/20 , G02F1/1345 , G09G3/3225 , G09G2300/0426 , G09G2310/0275 , G09G2330/02 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其中电源线不受由于缓冲部分瞬间消耗大电流导致的电压降而发生的嗓音的影响，从而逻辑部分不会不正常工作。本发明在将相同电势供给逻辑部分和缓冲部分的情况下可以通过以下方法来防止逻辑部分受由于缓冲部分瞬间消耗大电流导致的电源线的电压降而发生的嗓音的影响，其方法如下：将FPC端子自身分离的方法；或共同使用FPC端子而在离FPC端子近的地点将电源线分支的方法。
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公开(公告)号：CN102576734B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080039655.X
申请日：2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: G09G3/3208 , G09G3/2003 , G09G3/3233 , G09G2330/021 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体，并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此，即使在显示静止图像的情况下，也能容易地执行稳定的操作。此外，可以延长驱动器电路的操作间隔，这使得显示装置的功耗降低。而且，在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光，由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
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公开(公告)号：CN104508549A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380041283.8
申请日：2013-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/1339 , G02F1/134363 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/40 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3265 , H01L29/7869
Abstract: 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。
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公开(公告)号：CN102576732B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201080019588.5
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1368 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/45 , H01L29/78645
Abstract: 半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。
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