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公开(公告)号：CN114640308B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210268102.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种X波段低功耗宽带电感电容型压控振荡器，包括差分电感电容型压控振荡器、差分输出缓冲器、以及二进制权重的4比特位可变电容阵列，其中，差分电感电容型压控振荡器用于提供振荡信号，可变电容阵列用于调节振荡频率，差分输出缓冲器用于改善输出电压摆幅、以及匹配片外预设大小欧姆电阻；方案采用多路径堆叠电感技术，使得相同占用面积下所集成电感的电感值大幅度得到提升，同时其品质因数无明显恶化，并设计相应控制方法，使得所设计方案下的振荡器可工作在X波段上，输出9.21 GHz~12.5 GHz振荡信号，频率调节范围可达30.3%，1 MHz频偏处相位噪声可达‑112.5 dBc/Hz。
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公开(公告)号：CN107195680A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710325286.4
申请日：2017-05-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/42364
Abstract: 本发明公开了一种MOSFET结构，属于半导体器件技术领域，包括衬底电极、衬底、沟道区、源区、漏区、源极、漏极、栅氧层和栅极，所述衬底内置的衬底区域形成表面为非平面的沟道区，且沟道区的两侧分别设置源区和漏区；所述源极和漏极分别对应设置于源区和漏区上；所述栅氧层覆盖于非平面沟道区的表面；所述栅极设置于栅氧层表面，及栅极的两端与源极和漏极均存在间隔，并且栅极的两端分别延伸于源区和漏区形成重叠。本发明采用非平面沟道MOSFET结构，可以降低漏区的电场峰值，并增加器件有效沟道长度，改善和抑制漏致势垒降低效应，抑制短沟道效应，且降低漏区的高电场，抑制热载流子的生成，提高器件稳定性。
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公开(公告)号：CN116205195B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310491737.7
申请日：2023-05-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/006 , G06N3/084 , G06N3/08 , G06N3/04
Abstract: 本发明公开了一种平面螺旋电感的参数获取方法、装置、设备及介质，其方法包括获取当前平面螺旋电感，并确定其版图尺寸；将确定的版图尺寸输入预构建的ANN模型中，获取当前平面螺旋电感的T形等效电路的元件参数预测；将元件参数预测代入T形等效电路，对T形等效电路进行等效电路仿真，获取当前平面螺旋电感的基础参数预测；平面螺旋电感的版图尺寸包括线宽、线距、线圈匝数以及外径；平面螺旋电感的基础参数包括电感值、品质元素以及谐振频率；本发明能够根据平面螺旋电感的版图尺寸高效准确的获取其基础参数。
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公开(公告)号：CN115083500A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210998070.5
申请日：2022-08-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于自适应March算法的可重构MBIST方法，属于半导体器件在制造或处理过程中的测试或测量的技术领域。提出自适应March算法并基于该算法提出一种可重构MBIST电路，根据外部环境和用户指令自动重构出不同算法电路以满足不同故障的检测需求。提出的自适应March算法可以自适应重组出不同复杂程度的算法，从而在算法的时间复杂度和故障覆盖率之间进行动态调整以达到很好的平衡，且静态故障覆盖率高，有效提高动态故障覆盖率。所提出的可重构MBIST电路基于状态机实现，其优势在于内置的不同算法共享绝大部分电路元素，相比拥有同等算法切换功能的电路，节省电路面积。
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公开(公告)号：CN118335806A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410441085.0
申请日：2024-04-12
IPC: H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种PIN二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的PIN二极管，包括衬底、P型结构以及设置于衬底上的漂移层，其中，P型结构嵌设于漂移层的顶部，P型结构包括P层级以及环绕设置于P层级外周的结扩散区，P层级包括依次设置于漂移层上的P阱层和P重掺杂层，结扩散区的掺杂浓度小于P重掺杂层的掺杂浓度。本申请提供的PIN二极管及其制备方法，能够提高PIN器件的击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116205195A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310491737.7
申请日：2023-05-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/006 , G06N3/084 , G06N3/08 , G06N3/04
Abstract: 本发明公开了一种平面螺旋电感的参数获取方法、装置、设备及介质，其方法包括获取当前平面螺旋电感，并确定其版图尺寸；将确定的版图尺寸输入预构建的ANN模型中，获取当前平面螺旋电感的T形等效电路的元件参数预测；将元件参数预测代入T形等效电路，对T形等效电路进行等效电路仿真，获取当前平面螺旋电感的基础参数预测；平面螺旋电感的版图尺寸包括线宽、线距、线圈匝数以及外径；平面螺旋电感的基础参数包括电感值、品质元素以及谐振频率；本发明能够根据平面螺旋电感的版图尺寸高效准确的获取其基础参数。
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公开(公告)号：CN115083500B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210998070.5
申请日：2022-08-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于自适应March算法的可重构MBIST方法，属于半导体器件在制造或处理过程中的测试或测量的技术领域。提出自适应March算法并基于该算法提出一种可重构MBIST电路，根据外部环境和用户指令自动重构出不同算法电路以满足不同故障的检测需求。提出的自适应March算法可以自适应重组出不同复杂程度的算法，从而在算法的时间复杂度和故障覆盖率之间进行动态调整以达到很好的平衡，且静态故障覆盖率高，有效提高动态故障覆盖率。所提出的可重构MBIST电路基于状态机实现，其优势在于内置的不同算法共享绝大部分电路元素，相比拥有同等算法切换功能的电路，节省电路面积。
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公开(公告)号：CN114640308A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210268102.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种X波段低功耗宽带电感电容型压控振荡器，包括差分电感电容型压控振荡器、差分输出缓冲器、以及二进制权重的4比特位可变电容阵列，其中，差分电感电容型压控振荡器用于提供振荡信号，可变电容阵列用于调节振荡频率，差分输出缓冲器用于改善输出电压摆幅、以及匹配片外预设大小欧姆电阻；方案采用多路径堆叠电感技术，使得相同占用面积下所集成电感的电感值大幅度得到提升，同时其品质因数无明显恶化，并设计相应控制方法，使得所设计方案下的振荡器可工作在X波段上，输出9.21 GHz~12.5 GHz振荡信号，频率调节范围可达30.3%，1 MHz频偏处相位噪声可达‑112.5 dBc/Hz。
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公开(公告)号：CN111244185A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010084930.5
申请日：2020-02-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种鳍式横向双扩散功率器件，将衬底上方的有源区制备成鳍式结构，随后采用高介电常数介质覆盖于鳍式有源区的两侧及表面，从三个方向进行对有源区进行调制；将三栅代替原有的表面栅，具有更好的沟道控制能力并降低器件关闭时的漏电流；将常用的氧化硅栅介质变为高k栅介质，能够具有更厚的物理氧化层并改善栅极漏电流的问题。本发明具有高耐压，低导通电阻，低漏电流等优点，适用于高压高频领域。
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公开(公告)号：CN103219386A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310141405.2
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。
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