公开(公告)号：CN107863387B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201710896043.6

申请日：2017-09-27

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 李曼 ,  都灵 ,  郭宇锋 ,  杨可萌 ,  张瑛 ,  杨磊 ,  潘志刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供了一种横向功率器件的高压互连结构，它在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘体区域，利用该区域来调制高压互连线引起的表面电场分布，大大增强了器件在具有高压互连线时的耐压能力，提高了器件的性能。本发明可用于横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN107863387A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710896043.6

申请日：2017-09-27

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 李曼 ,  都灵 ,  郭宇锋 ,  杨可萌 ,  张瑛 ,  杨磊 ,  潘志刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/408

Abstract: 本发明提供了一种横向功率器件的高压互连结构，它在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘体区域，利用该区域来调制高压互连线引起的表面电场分布，大大增强了器件在具有高压互连线时的耐压能力，提高了器件的性能。本发明可用于横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN107195680A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710325286.4

申请日：2017-05-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  张茂林 ,  姚佳飞 ,  李曼 ,  王子轩 ,  潘志刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明公开了一种MOSFET结构，属于半导体器件技术领域，包括衬底电极、衬底、沟道区、源区、漏区、源极、漏极、栅氧层和栅极，所述衬底内置的衬底区域形成表面为非平面的沟道区，且沟道区的两侧分别设置源区和漏区；所述源极和漏极分别对应设置于源区和漏区上；所述栅氧层覆盖于非平面沟道区的表面；所述栅极设置于栅氧层表面，及栅极的两端与源极和漏极均存在间隔，并且栅极的两端分别延伸于源区和漏区形成重叠。本发明采用非平面沟道MOSFET结构，可以降低漏区的电场峰值，并增加器件有效沟道长度，改善和抑制漏致势垒降低效应，抑制短沟道效应，且降低漏区的高电场，抑制热载流子的生成，提高器件稳定性。