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公开(公告)号：CN103367474A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310287086.6
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/042 , C01B33/02 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。
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公开(公告)号：CN103280490A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310193772.7
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种改进多晶硅基薄膜连续性和表面形貌的方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。首先，分别采用磁控溅射法和等离子增强型化学气相沉积法，制备铝薄膜和非晶硅薄膜，通过控制铝层/非晶硅层厚度比例在0.5-1之间，叠层薄膜总厚度在100-400nm之间，能够有效优化多晶硅薄膜的连续性。本发明中还提出了新的薄膜腐蚀工艺，与传统腐蚀工艺相比，不但可以移除退火后薄膜内的铝，还能够起到消除多晶硅薄膜表面“硅岛”结构的作用。采用本发明的方法，能够获得表面平滑且连续性良好的高质量多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103266352A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310163296.4
申请日：2013-05-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。首先，采用等离子增强型化学气相沉积法，在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜，通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例，在薄膜内部引入不同含量的结晶成分；随后，将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时，薄膜内的非晶成分逐渐晶化，最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。本发明中，由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分，固相晶化过程中不需要形核，有效降低了薄膜的晶化温度，缩短了晶化所需时间。
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公开(公告)号：CN102219392B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110115291.5
申请日：2011-05-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C03C17/30
Abstract: 一种玻璃管在线生产过程中的强化处理方法属于玻璃材料制造领域。本发明在玻璃管温度处于退火温度点以下温度，并且玻璃管表面温度为200℃～600℃时，在玻璃管外侧通过环形超微雾化器，喷涂液体强化介质，强化介质为纯净水、纯净水与乙烯基三乙氧基硅烷的水溶液、二乙基二氯硅烷的水溶液或者异丁基三乙氧基硅烷水溶液，上述水溶液固含量在15wt％～35wt％且溶剂均为纯净水。本发明目的在于提供一种玻璃管在线生产过程中的强化处理方法，改善和提高玻璃管的机械强度，提高其应用的安全性，同时该强化处理工艺属于在线工艺，最大限度地节约能源，减少人力成本、简化生产工艺、减少占地。
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公开(公告)号：CN103050575A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210546605.1
申请日：2012-12-15
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种微波法制备铜锌锡硫薄膜的方法属于功能薄膜材料的制备技术领域。本发明在较短的范围内，使用乙二醇作为溶剂，其制备方法简单，降低了成本。本发明步骤：称取二水氯化铜、氯化锌、五水氯化锡和硫脲或硫代乙酰胺之一，其摩尔比为2:1:1:8;在乙二醇中依次加入二水氯化铜、氯化锌、五水氯化锡和硫脲或硫代乙酰胺之一，持续搅拌溶液，搅拌均匀后，将FTO导电玻璃倾斜置于溶液中,然后将其置于微波炉（微波工作频率2.45GHZ，额定输出功率700W）低火微波1h，之后随炉冷却至室温；取出薄膜，依次用乙醇和蒸馏水清洗，即制得铜锌锡硫薄膜。该方法工艺简单，成本低廉，具有大规模生产的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102936006A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210410794.X
申请日：2012-10-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s,得到表面有厚度为10nm-30nm金膜的衬底；（3）利用等离子体辅助热丝化学气象沉积法：在气压为1500Pa-2500Pa,衬底温度800℃-1000℃，偏压电流100mA-180m，通入氮气流速为10-50厘米3/分钟，通入氢气流速为10-50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。本发明得到实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、成线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，直径达40-150nm，单根线平均长度为10-15μm。
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公开(公告)号：CN102874870A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210404477.7
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低温制备LaAlO3-BiAlO3雪花状纳米粉体的方法，属电子陶瓷领域。采用摩尔比为x：（1-x）：1：6的Bi(NO3)3·5H2O、La(NO3)3·6H2O、Al(NO3)3·9H2O、NaOH为原料，通过混料球磨、烘干、350～700℃下预烧2-6h、洗涤等即可。本发明利用熔盐化学法于较低温度制备出陶瓷粉体的同时，使其粉体颗粒尺寸更均匀，并呈现独特的雪花状纳米形貌。
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公开(公告)号：CN102838351A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210351069.X
申请日：2012-09-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种多铁材料及制备方法，属于多铁材料技术领域。该材料为金红石结构，化学组成为FeTiNbO6；将Fe2O3、Nb2O5和TiO2球磨混合、烘干，放入密闭的坩埚中预烧，然后研碎，加入聚乙烯醇进行造粒，过80目筛后，压制成坯片；将坯片在700℃下排胶，置于密闭的坩埚中，在900~1400℃下烧结，保温2~6h。本发明金红石型多铁材料结构稳定、制备方法简单、成本低、易于操作。
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公开(公告)号：CN102719251A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210193653.7
申请日：2012-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/81
Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及一种下转换发光增强复合粉体材料及其制备方法。其化学组成表示式为：（Y1-x-yPrxYby）PO4/zTiO2，其中x的摩尔分数为1~20%，y的摩尔分数为1~30%，z的摩尔分数为0~50%。组成原料为：Y2O3、P2O5、Pr2O3、Yb2O3和TiO2，其中Pr2O3摩尔分数为1~20%，Yb2O3摩尔分数为1~30%，TiO2摩尔分数为0~50%。本发明的下转换发光增强复合粉体材料具有强的近红外光发射，特别是加入TiO2后可以使材料的发光强度进一步增强并使近红外光区800~1100nm处的发射光谱宽化，发射主峰位置与硅的禁带宽度完美相匹配，可有效提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率，是潜在的晶体硅太阳能电池用下转换发光增强复合粉体材料。
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公开(公告)号：CN102693893A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210133070.5
申请日：2012-04-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J37/32 , C23C16/503
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32155
Abstract: 一种利用调频的方式改善高频放电等离子体均匀性的方法，属于高频放电等离子体技术领域。在等离子体放电室中，一对平行电极，采用高频电源馈入到电极上，电磁场频率范围为13.56MHz～160MHz，充入放电气体，形成等离子体，馈入的高频电磁场的频率是经过自动调谐控制的，在等离子体放电过程中其频率始终持续不断地循环变化着，频率变化的范围是包含在13.56MHz～160MHz之内的一部分，或是13.56MHz～160MHz的整个范围，使等离子体放电空间中平行于电极的面上等离子体密度相对较高的位置发生循环变化。在一个以上的频率变化循环周期的时间段上，在平行电极间的平均等离子体密度是均匀的。
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