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公开(公告)号：CN106840483A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710205510.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01L1/22
CPC classification number: G01L1/22
Abstract: 本发明公开了碳纳米管/聚苯胺复合薄膜柔性力敏传感器及其制备方法。其包括：碳纳米管/聚苯胺复合薄膜上、下表面的聚二甲基硅氧烷(PDMS)绝缘保护层和金属叉指电极柔性基底；绝缘保护层附着于碳纳米管/聚苯胺复合薄膜上表面；叉指电极柔性基底位于碳纳米管/聚苯胺复合薄膜以下；叉指电极柔性基底和碳纳米管/聚苯胺复合薄膜组成了柔性力敏传感器力敏单元。该柔性力敏传感器中碳纳米管/聚苯胺复合薄膜具有柔韧性好、重复性好、性能稳定与使用寿命长等特点。
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公开(公告)号：CN106769687A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710000584.6
申请日：2017-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N13/00
CPC classification number: G01N13/00
Abstract: 倾斜式圆锥旋转盘斜坡面液体撞击‑飞溅性能测试方法，属于固体表面润湿技术领域。本发明圆锥旋转盘的旋转轴与重力方向的夹角在可0°至90°之间调节，液滴以一定速度撞击在绕中心轴旋转的旋转盘圆锥斜坡面上，液滴所受重力与圆锥旋转盘斜坡面成一定的夹角，在粘附力、离心力和重力的共同作用下液滴飞离圆锥旋转盘。以旋转盘上撞击点作为原点记录飞溅液滴坠落点的空间三维坐标。计算飞溅液滴的坠落点与液滴降落线的距离s，测试圆锥旋转盘的倾斜角度对距离s的影响，表征固体表面润湿性能对固液撞击‑飞溅过程的影响。本测试方法通过设置圆锥旋转盘的倾斜角度，得到液滴的最佳撞击角度，提高快淬非晶合金薄带生产中的产品质量稳定性。
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公开(公告)号：CN103903851B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410135609.X
申请日：2014-04-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备耐腐蚀钕铁硼永磁体的方法，属于稀土磁性材料领域。将钕铁硼粉末除油、酸洗、活化、置于镀液中进行化学镀，然后干燥、磁场中取向成型初压、煅烧，即可。本发明方法制备的钕铁硼永磁体耐腐蚀性能强，表层的破损不影响其整体耐腐蚀性能，并具有很高的剩磁Br、矫顽力Hc和很大的磁能积BH。
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公开(公告)号：CN106007695A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610266875.5
申请日：2016-04-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/26
CPC classification number: C04B35/26 , C04B2235/3249 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445
Abstract: 一种利用前驱体水热处理NFO‑PZT‑BFO复合多铁材料一次性合成的方法，属于复合多铁材料领域。主要工艺流程为，按照水热法的条件为：温度为160～200℃、矿化剂KOH的浓度为2～8mol/L的条件下反应18h，可得到具有高活性三相混合物前驱体，然后，将此前驱体在650～800℃温度下煅烧12h小时，即可一次性合成上述xNiFe2O4‑yPb(Zr0.52Ti0.48)O3‑(1‑x‑y)BiFeO3三相多铁性复合材料，本发明能够获得更为细小的粉体颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103774230B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410036791.3
申请日：2014-01-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: C30B29/38 , C30B25/00 , C23C16/34 , C23C16/513 , B82Y40/00
Abstract: 一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料制备与生长领域。Ga2O3粉末与炭粉混合，研磨2min以上得到前驱物粉体；在经清洗和氢氟酸处理后烘干的衬底上镀厚度5nm-30nm的金属催化剂薄膜；将前驱物粉体和衬底放入等离子增强化学气相沉积系统中进行制备：采用N2和H2反应气压10-100Pa；衬底温度800℃-1100℃；射频电源功率40-90W，调节电源功率至得到稳定的亮黄紫色辉光的等离子气体。本发明摒弃对环境和设备存在污染和腐蚀的NH3，采用简单的实验设备和价格低廉且易获得的原料制备出表面光滑的单晶六方纤锌矿结构氮化镓纳米线，具有典型的纳米线光致发光特性和优异的场发射性能。
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公开(公告)号：CN103936408B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410149309.7
申请日：2014-04-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 一种具有室温多铁性钡、铬共掺铁酸铋陶瓷及其制备方法，属于材料科学领域。陶瓷材料的化学分子式为：Bi1-xBaxFe1-yCryO3,0＜x≤0.2，0＜y≤0.1。将原料BaCO3，Bi2O3，Cr2O3和Fe2O3按照化学计量比进行混合、球磨，烘干后800～840℃煅烧2个小时；对粉末再次球磨，烘干后加入聚乙烯醇溶液，充分研磨后利用压片机在472MPa压力下压成片状；在560℃下排胶2h，890-920℃下煅烧2小时成瓷。本发明制备的多铁陶瓷在室温下具有优异的铁电特性及铁磁特性。
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公开(公告)号：CN104979189A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510366328.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法属于微电子器件、薄膜、材料加工领域。其特征在于：刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用；真空度低于10Pa后，通入氮气在N2，气氛中升温到900‐1100℃，通入氢气，打开射频电源，将射频功率调到40‐150W，电离N2和H2，对基底进行刻蚀，此时气压为30‐100Pa，持续0.5‐2个小时；刻蚀结束后，关闭射频与停止通入氢气，冷却到室温。本发明无需使用任何模板，直接在衬底上刻蚀出具有规则取向的图案，并且图案的形貌和方向可以通过衬底的晶面取向调控。本发明在微电子器件制造、微纳米材料制备等方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104674187A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510101325.3
申请日：2015-03-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/505
Abstract: 一种低成本无污染单根硼氮纳米线可控生长方法属于无机化合物半导体材料的制备领域。本发明采用PECVD方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si 取向定向生长。TEM显示纳米线是由一系列生长进衬底里的非晶量子点组成，电子能量损失谱(EELS)表明纳米线确实由硼氮组成。本发明简单，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103691897A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310664316.6
申请日：2013-12-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: B22D11/06
Abstract: 一种凹面转盘式单辊快淬制备非晶薄带的方法，属于非晶薄带制备技术领域，采用凹面转盘式单辊，凹面转盘式单辊，在圆柱的顶端向内缺失一倒立的圆锥所得单辊为凹面转盘式单辊，凹面转盘式单辊内侧表面为所述的凹面，凹面直径向内逐渐变小，即缺失的圆锥的底面在圆柱的顶端，熔体喷射在围绕圆锥中心轴旋转的凹面转盘式单辊内侧的凹面上，使熔体所受离心力的方向由圆筒式单辊的垂直于接触面向上变为与接触面有夹角并指向接触面内部，在内侧凹面边缘非晶薄带冷却自身收缩和离心力作用下自行脱离辊轮。本发明制备的薄带尺寸更薄、表面光洁度更高、性能更好。
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