公开(公告)号：CN107010941A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710302248.7

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462

Abstract: 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3) 13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN104671777B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201510103498.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种同时具备高电致应变、高储能密度以及高温稳定介电常数等多功能无铅电子陶瓷材料及其制备方法，成分通式为：(1‑u‑v)(Bi0.5Na0.5)1‑x(Ca0.65Mg0.35)xTiO3‑uBaTiO3‑v(A0.5Ln0.5)Ti1‑yZryO3+0.05(0.5CeO2‑0.4Y2O3‑0.1MnO2)。其中A为一价金属元素，选自Li、Na、K与Ag的一种或两种，Ln为三价金属元素，选自Nd、La、Sm、Eu的一种或两种。x、y、u、v表示摩尔分数，0.001≤x≤0.3；0.001≤y≤0.4；0.02≤u≤0.2；0.08≤v≤0.3。本发明采部分组成采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体作为原料，通过电子陶瓷制备技术制备而成。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的多功能无铅电子材料组成是一种绿色环保型陶瓷，电致应变大，储能密度高，介电性能高温性好。

公开(公告)号：CN103632780B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310654586.9

申请日：2013-12-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  张廷玖 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰

IPC: H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C1/14

Abstract: 本发明公开了一种片式热敏电阻及其阻值调节方法。所述的片式热敏电阻，包括设置在片式热敏陶瓷表面上的一对电极对，以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案；其中，电极对包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括均具有重复凹凸结构特征的第一分支和第二分支，所述第二电极包括具有重叠“工”字形结构特征的工字形分支，所述工字形分支的横端的两端分别穿插于第一电极上第一分支的凹部中和第二分支的凹部中；所述的金属性图案具有至少一个粗调焊接端和至少一个微调焊接端，粗调焊接端设置于金属性图案上与第一电极的第一分支和/或第二分支的凸部对应的区域中。本发明所述片式热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。

公开(公告)号：CN105503164A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410548546.0

申请日：2014-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨华斌 ,  周沁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高绝缘铁酸铋基高温压电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，成分以通式BiFeO3+x(20Bi2O3-30SiO2-30CaO-20ZrO2)+0.02Sc2O3或BiFeO3+x(35Bi2O3-30SiO2-25CaO-10ZrO2)+0.05Sc2O3来表示，其中x表示摩尔分数，0 600°C，机械品质因数高于600，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN104129987B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410350877.3

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周秀娟 ,  曾卫东 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法，成分以通式Bi1/2Na1/2 TiO3+x (30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2 TiO3+x (20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2 TiO3+x (30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示，其中x表示摩尔分数，0 500°C，损耗低，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN104108935B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410350865.0

申请日：2014-07-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  周秀娟 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3- xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示，其中x表示摩尔分数，0 700oC，绿色环保。

公开(公告)号：CN104944952A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510301633.0

申请日：2015-06-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN104681730A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510065767.7

申请日：2015-02-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  莫炳杰 ,  陈国华 ,  许积文 ,  王华

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种具有梯度结构空穴注入传输体系的紫外有机电致发光器件，包括衬底层、阳极层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层，其特征是，还包括梯度结构空穴注入传输体系层，所述衬底层、阳极层、梯度结构空穴注入传输体系层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体，从阳极层由正向负连接反射金属阴极层构成外电路。这种器件梯度结构空穴注入传输体系有效地促进了空穴的注入和传输，增加了发光层中空穴的数量，促进了空穴-电子的平衡性，因而有更多的空穴与电子在发光层中复合产生近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的辐照度和发光效率。本发明同时公开了这种器件的制备方法。

公开(公告)号：CN104671778A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510103530.3

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高场致应变、高储能密度无铅陶瓷介质材料，成分以通式[(Bi0.95La0.05)0.5Na0.5]1-x-y(Bi0.5K0.5)x(Ba0.85Sr0.10Mg0.05)yTi1-u-vCu(A1/2B1/2)vO3来表示，其中A为三价金属元素，选自Al、Fe、Cr、Mn、Co、Y、与Ga的一种或两种，B为五价金属元素，选自Nb、Sb、Ta与V的一种或两种，C为四价金属元素，选自Zr、Mn、Hf与Sn的一种。x、y、u、v表示摩尔分数，0.005≤x≤0.2，0.005≤y≤0.2，x+y≤0.3，0.005≤u≤0.3，0.005≤v≤0.3，u+v≤0.4。本发明采用冷等静压成型，可获得均匀致密的陶瓷组织。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高场致应变、高储能陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高场应变，储能密度可达1.2J/cm3，储能效率可达59%，高场应变可达0.28%，环境友好、损耗低、实用性好。

公开(公告)号：CN104671777A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510103498.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种同时具备高电致应变、高储能密度以及高温稳定介电常数等多功能无铅电子陶瓷材料及其制备方法，成分通式为：(1-u-v)(Bi0.5Na0.5)1-x(Ca0.65Mg0.35)xTiO3-uBaTiO3-v(A0.5Ln0.5)Ti1-yZryO3+0.05(0.5CeO2-0.4Y2O3-0.1MnO2)。其中A为一价金属元素，选自Li、 Na、K与Ag的一种或两种，Ln为三价金属元素，选自Nd、La、Sm、Eu的一种或两种。x、y、u、v表示摩尔分数，0.001≤x≤0.3；0.001≤y≤0.4；0.02≤u≤0.2；0.08≤v≤0.3。本发明采部分组成采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体作为原料，通过电子陶瓷制备技术制备而成。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的多功能无铅电子材料组成是一种绿色环保型陶瓷，电致应变大，储能密度高，介电性能高温性好。