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公开(公告)号：CN114914159A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210680810.0
申请日：2022-06-16
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种GAA晶体管制备方法，包括：在衬底上形成沿第一方向排列的若干鳍结构；在每个鳍结构上形成沿第二方向排列的若干假栅，且每个假栅横跨对应的所述鳍结构；对鳍结构进行离子注入以形成掺杂区域；形成内隔离层；刻蚀鳍结构形成源漏空腔；在源漏空腔中形成源区和/或漏区；形成层间介质层；去除所述假栅，形成假栅空腔；刻蚀未掺杂区域的所述牺牲层以释放沟道层，形成沟道空腔；对剩余的掺杂区域的牺牲层进行氧化，以形成侧墙；形成电介质层和金属栅层；沉积刻蚀阻挡层并形成器件接触。本技术方案不仅克服了必须在释放沟道层之前制作侧墙的工序限制，还解决了侧墙形貌不可控的问题，实现了制作较理想的侧墙的形貌的效果。
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公开(公告)号：CN114639720A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210224521.X
申请日：2022-03-07
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种垂直堆叠环栅器件局部形成体电介质隔离的方法，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成鳍结构，环绕堆叠件，环绕堆叠件沿横跨鳍结构；对环绕堆叠件沿第二方向的两侧的鳍结构进行刻蚀，以形成源/漏空腔；并刻蚀掉源/漏空腔底部的衬底的表层，形成衬底凹层；对所述鳍结构沿第二方向的端部的牺牲层进行刻蚀，形成刻蚀空隙；在衬底凹层上形成第一电隔离层，以隔离源/漏空腔和鳍结构下方的衬底的表层；并在刻蚀空隙内形成内间隔层；使得鳍结构底端的衬底的表层和源/漏层隔离，从而避免后续工艺形成的源/漏区与寄生沟道相接触，从而减小源/漏区之间的漏电流，实现减小器件能耗，避免器件性能下降的效果。
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公开(公告)号：CN114596382A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210153764.9
申请日：2022-02-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于计算机视觉技术领域，具体为一种基于全景相机的双目视觉SLAM方法和系统。本发明包括：使用两个全景相机获取图像；相机进行标定，根据全景相机模型实现空间点坐标和全景图像的像素坐标间的相互转换；对获取的全景图像进行识别、特征匹配、计算有效匹配点对应的空间点的深度信息，得到相应的空间三维坐标；跟踪并估计当前相机在环境中的位置和姿态信息，同时选取新关键帧；根据跟踪定位获取的新关键帧进行图像重建；根据跟踪定位获取的新关键帧进行闭环检测，获得更为准确的相机位姿和地图点，实现高精定位和建图。本发明在无人驾驶、机器人导航和增强现实等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113284806B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110538164.X
申请日：2021-05-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，其中，环栅器件的源漏制备方法，包括：在基底上形成鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极单元，所述鳍片包括交替层叠的预备沟道层与预备牺牲层；所述伪栅极单元的数量为多个，多个所述伪栅极单元沿所述预备沟道层的沟道方向依次分布；刻蚀掉相邻两个伪栅极单元之间的预备牺牲层部分；对相邻两个伪栅极单元之间的预备沟道层部分进行刻蚀减薄，并保留部分沟道层材料作为种子层；基于所述种子层，外延源漏的锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。
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公开(公告)号：CN113964059A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111159636.7
申请日：2021-09-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体材料及其表面处理系统、方法，其中，表面处理系统，包括：气源模块、等离子体源模块、离子过滤部与反应腔；所述气源模块用于：先向所述等离子体源模块通入还原性气体，再在所述反应腔被吹扫后，向所述等离子体源模块通入氮基气体；所述等离子体源模块用于：在所述还原性气体被通入后，将所述还原性气体离子化；在所述氮基气体被通入后，将所述氮基气体离子化；所述离子过滤部用于：对离子化后的物质集合进行离子过滤，过滤后，氢的活性基团附着在材料表面，可与氧化层发生还原反应，在无损的情况下对氧化层进行处理，氮的活性基团附着在材料表面之后，可补充氮空位，减少悬挂键，提高表面质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113702400A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110908050.X
申请日：2021-08-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/954 , G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种基于全景技术的管道内壁缺陷检测系统及其检测方法，该系统包括全景图像采集模块，包括自由曲面导光管、孔径光阑、照明系统、成像镜头、相机、夹持件，自由曲面导光管的一端插入一个待测管道，自由曲面导光管实现管道内壁照明均匀化并采集其全景图像；传输模块；缺陷检测模块，缺陷检测模块与全景图像采集模块之间通过传输模块连接，缺陷检测模块包括电源分配单元、内部时钟单元、控制单元、信号调制单元、微处理器和显示单元。本发明实现快速、准确地检测管道成品合格率。
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公开(公告)号：CN113702039A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110913783.2
申请日：2021-08-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种静压轴承主轴的回转精度测量系统及测量方法，该测量系统包括：标准球，标准球固定在一个静压轴承主轴上，实现随静压轴承主轴的同轴运动；光学测量系统；数据处理系统，静压轴承主轴旋转时，同时光学测量系统对标准球的外轮廓进行位移量采集，采集到的位移数据传到数据处理系统中，进行误差分离的计算。本发明通过激光外差干涉与共焦显微系统相结合的方式，对静压轴承主轴回转误差进行测量，并通过三点法实现误差分离，不仅通过高灵敏度的光学测量系统采集到更高精度的回转位移量，提高了静压轴承主轴回转测量精度。
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公开(公告)号：CN110333189B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201910215690.5
申请日：2019-03-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于遥感探测技术领域，具体为一种基于压缩感知原理的光子集成干涉成像高分辨重构方法。本发明该法步骤如下：在光子集成干涉成像系统中，将光栅分光后的光束导入光子集成电路的各个通道，基线配对后形成干涉图样，由后端的CCD相机接收；通过移相干涉得到频域的相干互强度；基于压缩感知理论定义优化目标函数，采用交替方向乘子法求解得到高分辨的重构图像。本发明的优点在于，直接利用傅里叶变换系数表示相干互强度和时域图像之间的关系，采用压缩感知方法直接从频域稀疏数据重构高分辨图像，避免了对图像进行插值导致的畸变，对于提高遥感探测目标的分辨率、灵敏度和识别度有重要意义。
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公开(公告)号：CN113113494A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110381182.1
申请日：2021-04-09
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种GAA晶体管结构及其制备方法、电子设备，其中的结构包括：晶体管基底、多个器件单元；器件单元包括设于晶体管基底的堆叠层与横跨堆叠层外侧的外金属栅，堆叠层包括交替层叠的多个纳米层与多个金属栅层；多个器件单元包括PMOS器件单元与NMOS器件单元，PMOS器件单元设于衬底的PMOS区，NMOS器件单元设于衬底的NMOS区；沿目标方向，PMOS区上的PMOS器件单元的分布数量多于NMOS区上NMOS器件单元的分布数量，目标方向垂直于纳米层的沟道方向，PMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积大于NMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积，提高了GAA晶体管结构的性能。
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公开(公告)号：CN110260817B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910568780.2
申请日：2019-06-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明属于精密测量技术领域，具体为一种基于虚拟标志点的复杂曲面偏折测量自定位方法。本发明方法步骤为：将被测元件口径中心点作为虚拟标志点；首先探测此中心点的高度坐标，计算实测标志点的世界坐标；根据偏折测量图像的相位信息计算实测标志点对应的投影屏像素坐标，以及实测标志点的法向量；利用反向追迹方法，迭代估算球的半径和对应球心坐标；最后得到测量点的坐标，以确定被测工件面形的横向坐标。本发明可有效计算被测面形最佳拟合球面参数，提供可靠的初始测量坐标，避免传统方法中繁琐困难的位置标定工作，对于提高偏折测量的效率与通用性有重要意义。
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