一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法

    公开(公告)号:CN103887154B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410135913.4

    申请日:2014-04-04

    Abstract: 一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法,属于电子技术领域。本发明目的是针对目前的双极型器件表面的氧化物俘获正电荷和界面态使得双极型器件的抗辐照能力减弱的问题。本发明所述基于钝化层离子注入方式的双极型器件抗电离辐照加固方法,首先通过对离子种类为F、Cl、Br、I和As离子采用SRIM和TCAD软件进行模拟仿真,仿真获得离子能量、射程与注量,再进行离子注入。入射离子选用F、Cl、Br、I和As元素形成电离辐射缺陷的俘获陷阱,可降低电离辐射缺陷的密度。通过钝化层离子注入方式,减小氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能的影响,提高双极型器件的抗辐照能力,用于航天器用电子器件的抗辐照加固。

    用于空间带电粒子辐射防护的掺杂碳纳米管和纳米钽的聚乙烯复合材料的应用

    公开(公告)号:CN103093844B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201310021277.8

    申请日:2013-01-21

    Abstract: 用于空间带电粒子辐射防护的掺杂碳纳米管和纳米钽的聚乙烯复合材料的应用,涉及用于空间带电粒子辐射防护的复合材料的应用。本发明是要解决现有的辐射防护材料方法制备得到的辐射防护材料,铝防护层存在密度大而导致使用重量大,采用聚乙烯做为辐射防护材料时存在着由于其热稳定性较差,制约其使用范围的问题。用于空间带电粒子辐射防护的掺杂碳纳米管和纳米钽的聚乙烯复合材料,是由聚乙烯树脂、碳纳米管、纳米钽和偶联剂制备而成。制备:一、将碳纳米管、纳米钽和偶联剂混合得改性碳纳米管和纳米钽;二、混合改性碳纳米管和纳米钽与聚乙烯树脂后热压。材料是用于防护空间质子和电子辐射。在本发明适用于辐射防护领域。

    一种氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102867557B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201210379636.2

    申请日:2012-10-09

    Abstract: 一种氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料的制备方法,它涉及一种聚乙烯空间辐射防护复合材料的制备方法,本发明是为解决现有的用于空间辐射防护材料的聚乙烯,其热稳定性差,及相同质量厚度下,纯铝过滤质子的效率低的技术问题,本发明的制备方法为:先将乙醇和氮化硼加入容器内,再加入偶联剂,在恒温水中反应,得到改性氮化硼,最后将聚乙烯与改性氮化硼加入到高混机中,得到氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料,本发明制备的一种氮化硼-聚乙烯复合材料的热降解温度为430~520℃,热稳定性能好,且滤质子的效率与纯铝相比提高了将近0.4~1倍,综合性能优异,在航天器辐射防护上有广泛的应用前景。

    一种半导体材料机器学习力场开发方法

    公开(公告)号:CN115146535B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202210762668.4

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明提供了一种半导体材料机器学习力场开发方法,包括使用VASP软件进行半导体材料的第一原理分子动力学模拟,获得MD中的每一帧构象的势能和原子受力信息;使用经验力场进行含PKA的MD模拟,获得含PKA的MD模拟轨迹;利用VASP软件对轨迹中的构象进行单点能计算,获取含PKA的MD模拟构象的势能和原子受力信息;将MD模拟和含PKA的MD模拟中的构象势能和原子受力信息作为数据库,训练得到机器学习力场。本发明使用经验力场进行含PKA的MD模拟,之后使用第一原理计算轨迹中构象的势能和原子受力,获得了和辐照缺陷演化实际工况接近的数据库,从而实现了建立准确表征材料中辐照缺陷演化过程的材料机器学习力场。

    一种不同粒子位移等效性计算方法

    公开(公告)号:CN115146517B

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202210778788.3

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明提供了一种不同粒子位移等效性计算方法,属于空间环境分析技术领域。方法包括:S1、构建几何模型,选取辐射位移损伤敏感区,设置模拟参数,之后进行模拟辐射实验;S2、调用Track函数和Step函数,计算得到所有步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标;S3、判断输出步粒子的非电离能量沉积是否为零,如不为零,则输出该步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标数据;S4、将选定深度区间内的输出步粒子的数据进行累加,计算得到沿入射方向的NIEL深度分布曲线,对NIEL深度分布曲线进行归一化处理。本发明基于Geant4软件进行模拟试验,根据判断条件筛选出输出步粒子的非电离能量沉积和入射方向坐标数据,之后累加计算得到NIEL,可快速得到随深度变化的NIEL分布。

    一种半导体器件中电子空穴对产额的模拟计算方法

    公开(公告)号:CN115148308B

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202210770344.5

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件中电子空穴对产额的模拟计算方法,包括以下步骤:测量待测半导体器件的厚度,并确认其材料属性;在Geant4环境中,根据步骤S1得到的参数构建所述半导体器件的结构模型;选择不同辐射粒子入射所述结构模型,并计算得到总的正电荷量以及单位距离上的电子空穴对数量;通过Geant4计算发生电离的位置,并计算其平均值,将所述平均值作为可调参数b;将所述电子空穴对数量和所述可调参数b代入Jaffe电子空穴对复合公式,计算不同电场强度条件下的电子空穴对产额。本发明提供的电子空穴对产额的计算方法,步骤简单,易于操作,能够大幅度降低试验的成本,且计算效率较高,对半导体器件损伤和空间环境模拟研究具有重大意义。

    器件辐照缺陷演化分子动力学仿真的注量模拟方法及系统

    公开(公告)号:CN115146559B

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202210762679.2

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明提供了一种器件辐照缺陷演化分子动力学仿真的注量模拟方法及系统,属于模拟仿真技术领域。所述方法包括:获取收敛的单个入射粒子辐照器件产生PKA的数量;对器件进行网格化处理,得到多个含有PKA的网格;构建与网格等大小的体系模型;标定注量的入射粒子分批次辐照器件,基于体系模型,利用分子动力学方法和KMC方法对网格中的PKA进行缺陷演化;统计每个网格中缺陷的种类和数量并归入器件中,改变入射粒子的注量,重复上述步骤,获得不同注量入射粒子与器件中缺陷信息之间的关系。本发明结合分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,实现在不同注量下整个半导体器件的缺陷演化过程的模拟计算,且计算逻辑清晰,步骤简单易操作。

    一种确定航天器薄弱区域辐射余度的方法

    公开(公告)号:CN115186464B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202210768541.3

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明提供一种确定航天器薄弱区域辐射余度的方法,包括:对航天器的三维几何结构进行射线跟踪运算,获得屏蔽深度数据,以及每个空间角度区域内的剂量值和空间角大小;计算深度‑立体角占比曲线、剂量占比‑立体角占比曲线以及总剂量;将计算结果换算为剂量倍数‑立体角占比曲线以及剂量倍数‑深度曲线;将薄弱区域的立体角比例和屏蔽深度上限分别作为判据,将所述判据分别代入剂量倍数‑立体角占比曲线以及剂量倍数‑深度曲线中,获得根据薄弱区域确定的辐射余度。本发明能够对用户关心的航天器薄弱区域进行针对性分析,有助于对航天器设计提供多标准、多维度的参考,加强对薄弱部位的辐射防护,延长敏感元器件的使用寿命。

    空间原子氧环境表征方法、装置、计算机设备及存储介质

    公开(公告)号:CN115165299B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202210769910.0

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明提供了一种空间原子氧环境表征方法、装置、计算机设备及存储介质,属于航空航天技术领域。所述方法包括获取卫星当前时刻的空间位置坐标、运行速度、运行姿态、时间参数,然后根据运行位置、速度及姿态,结合原子氧环境模型和水平风环境模型,获取航天器任务期间实时在轨位置的原子氧数量密度数据、风速数据、航天器自身的复杂结构数据,根据这些数据实现了对空间原子氧环境的实时表征,解决了考虑航天器结构形状的原子氧效应问题。

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