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公开(公告)号：CN113437194A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110575377.X
申请日：2021-05-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，所述高反射低欧姆接触电极主要应用在半导发光芯片中。制造过程中，在衬底上生长多层包括N型层、发光层和P型层的氮化物。所述高反射低欧姆接触电极是制备在P型层的氮化物之上，且为能与P型层形成良好欧姆接触的金属纳米点和Ag反射镜的双层结构。金属纳米点的存在，有效地改善了Ag反射镜的薄膜晶体质量，显著地提高了Ag反射镜的反射率，降低了半导发光芯片的工作电压，从而提升了半导发光芯片的电光转化效率。
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公开(公告)号：CN112466795A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011243161.5
申请日：2020-11-10
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/677 , H01L33/00 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED巨量转移方法及转移衬底，包括：S1在硅基InxGayAl1‑x‑yN外延片通过刻蚀除去部分外延层，制备周期性Micro LED发光单元的阵列；S2蓝宝石衬底通过刻蚀去部分衬底，制备与Micro LED发光单元同周期性的微坑阵列，获得转移衬底；S3在转移衬底的微坑中填涂热塑性弱连接材料；S4采用化学浸蚀方式去除部分热塑性弱连接材料；S5将S1获得的Micro LED发光单元，一次性对应地转移到在S4获得的转移衬底，去除硅基衬底后实现Micro LED发光单元的弱连接；S6采用转印的方式将弱连接Micro LED发光单元按需要进行巨量转移到驱动电路。本发明在转移衬底上通过刻蚀，微坑填入热塑性层形成弱连接结构，实现温控选择性Micro LED巨量转移及转移衬底制备。本发明具有结构稳定、易于操作等特点。
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公开(公告)号：CN111769103A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010601783.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列，刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1-x-yN外延层直至暴露衬底，使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一，并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元；S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板，并去除硅衬底，以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移；S3重复S2，将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术，在发光结构之间形成金属连接层，将不同颜色发光结构连接在一起，实现多色Micro LED的制备，具有结构稳定、易于操作等特点。
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公开(公告)号：CN109266343A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811213746.5
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法，其中，量子点胶体制备方法中包括：按照比例混合碳酸铯、油酸和十八烯，得到油酸铯溶液；按照比例混合卤化铅、油酸和十八烯得到溶液后，添加3-氨基丙基三乙氧基硅烷嫁接制备得到卤化铅前驱体；将油酸铯溶液注入卤化铅前驱体容器中，经离心获得粗量子点；将粗量子点水解预设时间后离心，获得有机硅包覆的量子点，经环己烷洗涤之后将其溶解在甲苯溶液中获得有机硅包覆的量子点胶体；将有机硅包覆的量子点胶体，根据使用需求与乙基纤维素按比例混合获得卤化铅铯钙钛矿量子点胶体，其分别采用了3-氨基丙基三乙氧基硅烷和乙基纤维素双层化学成键包覆，得到高稳定性的卤化铅铯钙钛矿量子点胶体。
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公开(公告)号：CN103868835B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410117715.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
IPC: G01N15/06
Abstract: 本发明公开了一种快速、联网、轻巧、价廉的用智能手机监测PM2.5的系统，此系统除通常智能手机外，增设了小巧、智能的智能空气采样头。智能空气采样头既可使用人嘴来吸气采样,也可使用采样气泵采样。智能空气采样头和智能手机之间能通讯。在手机的引导下，智能空气采样头采用激光散射法测量空气中的粉尘数量及粒径，采用毛细管传热温差量热法测量气体的流量，将测量结果发给智能手机进行处理与显示。智能手机将手机位置及PM2.5的测量结果无线上传，从而实现全国PM2.5的自动联网覆盖，由此给出污染的源头及扩散的方向。本发明还能在智能手机的引导下由用户自行维护、校正智能空气采样头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106086811A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610413708.9
申请日：2016-06-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/448
Abstract: 一种制备碳纳米管阵列‑石墨烯混合结构的方法，属于纳米材料及其制备技术领域。该方法将硅基体放入充满Ar、N2等惰性气体氛围石英管中，通入Ar、N2等惰性气体并升温至生长温度；然后对预先放入石英管内的碳源和催化剂的混合物加热到合适的温度并向石英管内通入一定量的H2，可获得碳纳米管阵列‑石墨烯的混合结构。本发明方法具有制备工艺简单，无须分别生长碳纳米管阵列与石墨烯，可简易一步实现碳纳米管阵列‑石墨烯混合结构的制备。有效提高了制备碳纳米管阵列‑石墨烯混合结构的效率，简化了生长流程、缩短了生长时间，降低了制备的成本和能耗。
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公开(公告)号：CN103255474A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310145266.0
申请日：2013-04-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种大尺寸单晶石墨烯的制备方法,其特征是在800℃以上的环境中，通过调节有机气体、氢气和惰性气体的流速及流量场的分布在金属表面制备出大尺寸单晶石墨烯；所述有机气体包括：烷烃，烯烃、炔烃、芳香烃等含碳气体；所述金属表面包括：铜、铂等金属表面；所述流量场包括：各种气体的流速、流动方向以及气压；热处理时的环境气压为常压，时间在20min-40min；所述生长时的环境气压在1pa-300pa之间，时间在1min-2h。
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公开(公告)号：CN102345168A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110304832.9
申请日：2011-10-11
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法，其特征是在金属表面上通过分子自组装技术和热处理方法使芳香族化合物能够形成有规则形状的石墨烯单晶畴。该发明弥补了传统刻蚀方法无法实现尺度在10nm以下石墨烯器件微加工的不足，以及满足了制备各种石墨烯器件所需的形状和单晶度要求。
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公开(公告)号：CN102219216A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110075576.0
申请日：2011-03-29
Applicant: 南昌大学
IPC: C01B33/021 , B82Y40/00
Abstract: 一种单原子厚度纳米硅带的制备方法，方法步骤为：第一步，进行除气处理；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀的分布在硅样品的表面；第五步，将样品升温至500摄氏度，放置15分钟将温度降下来，在升高温度，将温度增加50摄氏度，重复该过程，直到使银原子全部脱吸附掉，从而实现单原子厚度硅纳米带的制备。本发明的技术效果是：其一，首次制备出了大面积单原子厚度硅纳米带；其二，所需设备简单，易于产业化。
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