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公开(公告)号：CN114512606A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210038652.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明通过旋涂的方式，在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜，隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力，阻碍了表面偶极子的形成，且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜，极大的提高了上层PVA薄膜质量，改善了PVA薄膜形貌。
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公开(公告)号：CN113461594A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110552186.1
申请日：2021-05-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本申请公开了有机发光存储材料及应用该材料的有机双稳态发光二极管存储器，提出了两种有机发光存储材料以及使用该材料的OLED结构的发光存储器，本发明所述的两种有机双稳态发光二极管OBLED发光存储器件具备OLED器件的发光特性、同时还具有有机双稳态器件OBD的存储功能，是一种兼存储与发光功能于一身的多功能OBLED发光存储器件，并且都表现出相同的先低导态再高导态的一次写入多次读取WORM存储行为。在有机电致发光及可视信息和保密存储领域具有巨大的潜在应用价值。而且，本发明所述的OBLED发光存储器件制备工艺简单、成本低廉、OLED发光效果稳定，具有很高的使用及推广价值。
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公开(公告)号：CN109438454B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201811432051.6
申请日：2018-11-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/08 , C07D495/22 , C09K11/06 , B82Y40/00 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明提出了一种纳米缺角格子，该格子是基于芴或氮杂芴并具有刚性的几何结构，其结构为式中，是由4～26个芳烃或者含杂原子的芳烃类结构构成，●为氢原子或卤素原子。本发明的纳米缺角格子是由傅‑克反应后，自身合环制备得到的，反应条件温和，性能独特，原料廉价，操作简单、易制备，毒性小，成本低。
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公开(公告)号：CN108274018B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201711390658.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种以铜纳米线为模板制备银纳米管的方法，所述方法以铜纳米线为模板，以硝酸银为银源进行化学镀银，退火过程后采用蚀刻液去除铜纳米线，即可制得银纳米管。本发明所述方法以铜纳米线为模板，以硝酸银为镀液的银源，经退火和蚀刻液洗涤去除模板等过程制得以纳米管，整个过程能耗少，且操作简便，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN112271256A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010964865.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种空气稳定型忆阻器及其制备方法，忆阻器由上至下包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由氯代酞菁铜组成，有机活性层的厚度为70~85 nm。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，最后在真空蒸镀系统中依次蒸镀有机活性层和顶电极。本发明的忆阻器具有良好的空气稳定性及耐热耐湿性，并且具有可柔性化制作的优点，其阻值变化可以用来有效地模拟生物突触功能，开拓了可靠的人工突触在空气环境中长期运行的新材料策略。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524546B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201811350364.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C07D495/22
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米格子分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子和信息技术领域。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、纳米格子分子存储层、栅绝缘层、衬底及形成于该衬底之上的栅电极。本发明的存储器属于典型的电荷捕获‑释放机制，对比聚合物驻极体存储器和浮栅型存储器，表现出明显的电荷维持稳定、耐受性以及大的存储窗口和存储密度，还表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺手段制备存储器件，使其存储容量、开关速度和稳定性得到很大提升，并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN108530609B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201810242986.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种卟啉聚合物，其结构通式如下：本发明同时公开了卟啉聚合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括从阳极到阴极依次分布的卟啉聚合物活化薄膜层及氧化物缓冲层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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公开(公告)号：CN111276612A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010084379.4
申请日：2020-02-10
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种晶体管存储器及其制备方法，所述的晶体管存储器中的有机有源层包括自下而上设置的第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层，其中所述的三碘合铅酸铯膜的厚度为15-20nm。制备过程如下(1)配置溶液：包括配置制备第一聚合物绝缘层的聚合物溶液A、第二聚合物绝缘层的聚合物溶液B和三碘合铅酸铯溶液；(2)制备晶体管：在完成栅电极和栅绝缘层制作的衬底上采用所配置的相对应的溶液依次制作第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层的膜层，之后完成有机半导体层和源漏电极的制作。本发明将三碘合铅酸铯引入到有机场效应晶体管存储器中，丰富了有机存储技术的材料选择。
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公开(公告)号：CN107236068B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710515356.2
申请日：2017-06-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C08F126/12 , C08F8/34 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明涉及一类有机晶体管存储驻极体材料及其制备方法和应用，该方法以PVK(聚乙烯基咔唑)为起始物，通过傅克反应的方式引入各种基团，起到改变材料存储性能的目的。具体反应通式如下：该方法具有以下特点：引入基团种类和数量不同能获得性能各异的材料；工艺简单，原料廉价，反应条件极易控制；具有较好的成膜性，方便后期大规模溶液加工；能明显改善存储材料的存储电荷的能力；因此，傅克后修饰方法是一种快速获得性能优异存储的有效手段。同时，由于本体PVK也是多用途的光电材料，因此本方法也可推广用于制备其他光电器件材料的方法，比如发光二极管、忆阻器、二极管存储材料等。因此本方法在有机光电材料领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110854275A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911196975.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法，所述器件的结构包含衬底；位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层；位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层；位于所述有机半导体层上的半导体沟道层；位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成，既保留了器件的器件特性，又优化器件结构；其制备方法操作简单，成本低廉，适宜大规模生产；可应用于人工智能和视觉神经网络领域。
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