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公开(公告)号:CN117833911A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202410141316.6
申请日:2024-01-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自动切换复位脉冲延迟时间的锁相环,针对现有技术中如何平衡死区与盲区时间的问题提出本方案。所述鉴频鉴相器PFD设置延时控制器Delay,所述延时控制器Delay根据反馈信号Fdn与参考信号Fref之间相位差Δt的大小判断输出延时信号的大小。优点在于,在锁定过程中不用手动切换复位脉冲延迟单元,平衡了死区和盲区在复位脉冲延迟时间上的折中问题,使得锁定时间长度缩减,而且完全无需分辨信号之间的超前还是落后关系。
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公开(公告)号:CN117826926A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202410238577.X
申请日:2024-03-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种双环路控制的低功耗LDO电路,涉及调节电变量或磁变量的系统,针对现有技术中静态功耗大的问题提出本方案。采样功率管的栅极节点电压,在栅极节点电压为低时令重载环路介入工作,否则令重载环路的控制输出饱和;所述轻载环路的输入端利用共栅PMOS管对功率管的漏电电流回收复用。优点在于,使用共栅PMOS管作为轻载环路输入级对功率管漏电电流的复用实现在低负载下相比传统结构更低的静态功耗。支持环路切换功能,通过检测负载电流大小自适应切换轻载环路和重载环路工作,低负载下仅由轻载环路工作保证超低功耗,实现低功耗的需求;高负载下重载环路工作,保证高电压精度。
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公开(公告)号:CN117637894A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311748429.4
申请日:2023-12-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超薄势垒的增强型异质结紫外光电探测器及其制备方法,涉及半导体领域,针对现有技术中难以同时实现低暗电流和高光电流等问题提出本方案。氮化镓本征层、氮化铝空间隔离层和氮化铝镓势垒层组成AlGaN/GaN异质结,再利用钝化层降低氮化铝镓势垒层的表面电位而得到区域化的2DEG。优点在于,基于超薄势垒的异质结紫外探测器能够较大程度简化工艺,有效降低了工艺复杂度和制造成本,同时基于异质结结构的导电沟道可以有效减少光生载流子的表面散射效应和库伦散射效应,具有低暗电流、高光电导增益、高可靠性及易集成等优点,在军事和民用领域拥有巨大的潜力和应用前景。
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公开(公告)号:CN117556770A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202410043869.8
申请日:2024-01-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型,涉及半导体器件建模技术,针对现有技术中临拟合程度较低等问题提出本方案。寄生部分等效电路分别设置微带线串接在本征部分等效电路的源漏栅各连接点与对应极之间;再设置栅极散粒噪声电流源 串接在微带线TLg和微带线TLd之间。优点在于,采用分布参数元件与集总参数元件混合构建,提升了GaN HEMT等效电路模型在毫米波频段的适用性和准确度。所引入的有耗传输线的等效电感电阻值随频率变化,扩展了适用带宽。传输线参数可通过工艺参数或版图结构信息直接得出,简化了参数提取步骤。
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公开(公告)号:CN116148744B
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN202310402390.4
申请日:2023-04-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种可在线校准的混合型电感电流传感器,属于传感器的技术领域,该传感器可以在负载电流有一定波动的情况下实现校准,具有校准效果好、实用性强的特点;包括设置在DC‑DC转换器的电路上的基于采样的镜像管电感电流传感电路模块、RC滤波电感电流传感电路和电感电流校准控制器模块,所述的基于采样的镜像管电感电流传感电路模块感应采样时刻上侧功率PMOS管Mp的电压值并产生校准的参考电压值VISEN,所述的RC滤波电感电流传感电路输出该时刻的实际电压值VSEN,所述的电感电流校准控制器模块比较参考电压值VISEN与实际电压值VSEN后调整其电阻或增益后使输出电压值VSEN等于参考电压值VISEN。
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公开(公告)号:CN115826269A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202211633543.8
申请日:2022-12-19
Applicant: 华南理工大学 , 布鸣特(佛山)光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的光电集成空间光调制器,包括:包括开关阵列和控制所述开关阵列的控制电路;所述开关阵列包括若干个像素,每个像素包括介质基底层、加热金属层和硫族化合物相变材料层;所述控制电路用于根据寻址信号选择对应的像素,并输出不同强度与持续时间的电脉冲至该像素,通过该像素的加热金属层驱动所述硫族化合物相变材料层在晶态与非晶态之间切换,以实现该像素在第一状态和第二状态两种状态间切换。本发明通过加热电路施加电脉冲实现控制相变的状态,对特定波长的光幅度进行调制,实现特定波长的光开关功能,具有具有调制速度快和功耗低等优点。本发明可广泛应用于空间光调制器领域。
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公开(公告)号:CN115694477A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202211435958.4
申请日:2022-11-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于小范围死区产生模块架构的亚采样锁相环,涉及新一代信息技术,针对现有技术中重新锁定时间较长的问题提出本方案。特征在于设置特定的小范围死区产生模块结构,接收振荡信号fVCO以缩减死区的时间跨度。其优点在于,引入振荡信号fVCO和延时复位作为调整参数,使得死区的时间长度大大缩减,重新锁定过程可以低至0.14μs。
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公开(公告)号:CN113687453B
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN202110847713.1
申请日:2021-07-27
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种可变焦近红外超表面透镜及其控制方法,其中超表面透镜包括:衬底;第一谐振单元,设置在衬底上,包括多个第一纳米天线;第二谐振单元,设置在衬底上,包括多个第二纳米天线;其中,所述第一谐振单元和第二谐振单元均采用相变材料制成;当所述相变材料处于晶态下,所述第一纳米天线的透射偏振转化效率达到极大,所述第二纳米天线的透射偏振转化效率接近0;当所述相变材料处于非晶态下,所述第二纳米天线的透射偏振转化效率达到极大,所述第一纳米天线的透射偏振转化效率接近0。本发明采用相变材料制成谐振单元,通过控制相变材料的状态,实现表面透镜的变焦,结构简单,易于实现。本发明可广泛应用于光子器件领域。
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公开(公告)号:CN114598271A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210330145.2
申请日:2022-03-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提出了一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器,包括输入端IN、单级共源放大电路、输入匹配电路、输出匹配电路、第一去耦电容、第二去耦电容、漏源耦合线以及输出端OUT。其中,单级共源放大电路为MOS晶体管M1;输入匹配电路包括传输线TL1、TL2、TL3和电容C1;输出匹配电路包括传输线TL4、TL5、TL6和电容C2;第一去耦电容为电容器Cd1;第二去耦电容为电容器Cd2;漏源耦合线包括传输线TL8和传输线TL7。输入匹配电路采用短传输线、串联传输线和串联电容构成的T型匹配网络,在实现噪声匹配的基础上最大程度兼顾输入反射系数。整个电路的输入匹配和输出匹配全部采用传输线和电容,避免了采用电感带来的自谐振问题,提高电路的稳定性。
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