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公开(公告)号：CN116155212B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310139411.8
申请日：2023-02-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种改善可变增益放大器dB线性的调节方法，涉及放大器调节方法，针对现有技术中db线性增益误差较大的问题提出本方案。包括以下步骤：S1.将负载级、跨导级和偏置电路依次设置在VDD和地之间；S2.初始化配置MOS管M2和MOS管M1的尺寸比值、MOS管M1的最小控制电压；S3.调节偏置电压令MOS管M4和MOS管M5工作于饱和区，从而确定MOS管M5的初始尺寸；S4.扫描控制电压观察增益调节曲线并调整所述MOS管M5的尺寸实现当前偏置情况下的最优补偿；S5.迭代调整MOS管M2和MOS管M1的尺寸比值、MOS管M5的尺寸及偏置电压，使最大补偿范围达到预设范围。优点在于，实现高精度连续db线性增益调节，不需要指数生成器和复杂的电路结构，也不消耗额外功耗。
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公开(公告)号：CN116054745B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202211441147.5
申请日：2022-11-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03B19/10 , H03K19/0175 , H03L7/16
Abstract: 本发明公开了一种用于毫米波超宽带低功耗自混频架构的三倍频器，涉及5G通信技术，针对现有技术中功率增益低、寄生电容高等问题提出本方案。包括集成在芯片内并且依次电性连接的输入驱动电路、三倍频电路和输出驱动电路；输入驱动电路、三倍频电路和输出驱动电路在信号传输方向上直线分布，所述三倍频电路包括用于连接二倍频单元和自混频单元的第三变压器TR3，所述第三变压器TR3通过金属线连接，垂直于信号传输方向摆放，使电路布局更加紧凑。优点在于，第三变压器TR3其初级线圈和次级线圈可以分别吸收前级二倍频单元中NMOS管漏极和自混频单元中NMOS管源级的寄生电容，可以极大改善三倍频器在毫米波波段的功率增益和工作带宽。
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公开(公告)号：CN115733502B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211392228.0
申请日：2022-11-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明公开了一种可重构通信发射机及方法，其中发射机包括：基带产生电路，用于产生数字基带信号，以及输出不同的数据控制位，以实现不同调制模式的切换；数字移相器，用于接收输入信号，根据数据控制位对输入信号进行相位切换；正交信号生成器，用于接收数字移相器输出的频率信号，并输出IQ两路正交信号；数字功率放大器，包括第一放大器和第二放大器，用于根据数据控制位分别对I路信号和Q进行信号调制，以及放大；输出合成端，用于对第一放大器和第二放大器输出的调制信号进行合成，并输出合成信号。本发明采用直接调制来实现高速通信，减少对于数模转换器的需求。本发明可广泛应用于通信技术领域。
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公开(公告)号：CN115694477B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211435958.4
申请日：2022-11-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于小范围死区产生模块架构的亚采样锁相环，涉及新一代信息技术，针对现有技术中重新锁定时间较长的问题提出本方案。特征在于设置特定的小范围死区产生模块结构，接收振荡信号fVCO以缩减死区的时间跨度。其优点在于，引入振荡信号fVCO和延时复位作为调整参数，使得死区的时间长度大大缩减，重新锁定过程可以低至0.14μs。
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公开(公告)号：CN115020981A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210729775.7
申请日：2022-06-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于5G通信的阵列天线，涉及5G通信技术，针对现有技术中AVA未能阵列实现的问题提出本方案。顶层天线板设有1分四馈电网络和四片顶层反足；馈电网络四个输出端连接顶层反足；底层天线板设有接地基片和四片底层反足；底层反足均一一对应位于顶层反足下方；两片相邻的底层反足的下部之间设有隔离槽；上下重叠的顶层反足和底层反足组成一AVA单元。优点在于，可以将传统的AVA进行组阵，隔离槽有效降低各AVA单元的互藕干扰，提升了整体天线的性能。尤其适用于5G通讯领域使用，在24.5GHz至35.8GHz的范围内保持着14dB以上的增益，在29GHz处的增益高达16.05dB，且带内波动小于2dB，有着较为平坦的响应，体现出阵列天线的高增益，高稳定性的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114520633A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210089555.2
申请日：2022-01-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于小型正交信号产生器的Doherty功率放大器，涉及微电子电路，针对正交信号产生器小型化的问题提出本方案。正交信号产生器由上至下依次层叠的四层金属组成：第二金属层形成环状结构的I路差分信号输出线路，且设有断口供同一平面中相交干涉的线段穿过；第三金属层形成环状结构的Q路差分信号输出线路，且设有断口供同一平面中相交干涉的线段穿过；第一金属层及第四金属层设置多条跨线段用于接驳各断口两端；第三金属层的环状结构与第二金属层的环状结构在垂直方向重合，以及第一金属层各跨线段与第四金属层的跨线段在垂直方向重合。优点在于，降低了一半面积，同时增大了变压器的耦合系数，降低了损耗。
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公开(公告)号：CN113381183B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110648718.1
申请日：2021-06-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于人工表面等离子激元的反足Vivaldi天线，涉及微波天线领域。针对现有技术中反足天线增益不够的问题提出本方案，特点在于底层反足设有若干直线分布的底层金属过孔，顶层反足设有若干直线分布的顶层金属过孔，顶层反足和底层反足为对称结构；顶层天线板在馈电部分的两侧边分别设有若干向中部延伸的凹槽，以形成SPP结构。优点在于，能在不改变原始反足Vivaldi天线尺寸下提高增益和天线匹配，有着结构简单，易于加工，成本低等优势，并为增强Vivaldi天线等端射天线的增益提供了新思路。
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公开(公告)号：CN115937552B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202211296680.7
申请日：2022-10-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06V10/75 , G06V10/46 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06V10/80 , G06V10/771 , G06N3/0464 , G06N3/096
Abstract: 本发明公开了一种基于融合手工特征与深度特征的图像匹配方法，包括以下步骤：提取图像的手工特征生成手工特征描述符，对所得特征描述符进行L1归一化并对每一个元素求平方根；重新构建彩色图像的尺度金字塔，在相应金字塔层上提取局部图像块，并将图像块旋转至主方向；使用坐标注意力残差网络CAR‑HyNet模型对局部图像块提取深度特征，并生成深度特征描述符；训练CAR‑HyNet模型，并使用三元损失训练出最优模型；提取手工特征描述符与深度特征描述符双方对特征点的置信程度，将手工特征描述符与深度特征描述符进行决策级融合，生成新的特征点；筛选待配对图像中正确匹配的特征，得到包含两幅待配对图像中正确匹配的特征点对。
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公开(公告)号：CN117691981A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311609451.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带毫米波数控多功能芯片电路，属于集成电路技术领域，其中电路包括第一开关切换网络、第二开关切换网络、第三开关切换网络、负载网络、第一三位数控移相网络、第二三位数控移相网络、二位数控延时网络、六位宽带数控衰减网络、第二放大网络、第一放大网络、串转并与逻辑控制网络。本发明具有在毫米波频段双通道信号切换工作、高衰减精度、高移相精度、高延时精度、接收低噪声、高增益、高功率、集成度高等优点。
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公开(公告)号：CN117276876A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311548865.7
申请日：2023-11-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/32 , H01Q1/44 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q5/10 , H01Q5/28 , H01Q5/307 , H01Q5/314
Abstract: 本发明公开了一种应用于多业务的标志天线，辐射单元包括馈电输入线、激励环和三块辐射片；馈电输入线与馈电输出线同轴设置，且馈电输入线下端与馈电输出线上端电性接触，馈电输入线上端与三块辐射片的头部共同融合设置在激励环的圆心位置；三块辐射片的尾部均与激励环内边缘固定连接，且三块辐射片的形状均从头部向尾部均匀收窄；其中第一辐射片延伸方向与馈电输入线同轴，第二辐射片和第三辐射片分别对称分布在第一辐射片两侧且向下倾斜；激励环设有供馈电输入线穿过的缺口，且缺口宽度大于馈电输入线宽度。优点在于，在仅有一条对称轴的结构下实现三个以上的工作频段，可以在结构灵活度要求更高的环境下应用。
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