-
公开(公告)号：CN110164497A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910561379.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种非易失存储器灵敏放大器及相变存储器，包括：控制模块，产生第一控制信号及第二控制信号；低功耗模块，在外部使能信号失效时关闭比较模块；第一读取电压模块，在外部使能信号起效时读取被选中存储单元的读取电流并转化为第一读取电压；比较模块，接收第一读参考电压，在外部使能信号起效时将第一读取电压与第一读参考电压比较进而得到读出电压信号；低功耗匹配模块连接寄生匹配模块，用于对低功耗模块进行电压匹配，抵消比较模块中晶体管栅极的寄生效应。本发明的低功耗匹配模块拓扑结构、尺寸都与低功耗模块相同，寄生匹配模块中晶体管源、漏电压与比较模块中相同，因此对寄生电容的充电时间也相同，提高了读取速度。
-
公开(公告)号：CN106205684B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610486617.8
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器读出电路及读出方法，包括：读参考电压生成电路，产生一个可以快速区分读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流的读参考电流，并将电流信号转化为电压信号；以及，将读参考电压还原为读参考电流后与相变存储单元中读出的电流相比较的灵敏放大器。本发明同时获取读电流及读参考电流，读参考电流的瞬态值处于读晶态电阻电流和读非晶态电阻电流之间。本发明在读参考电流中引入对位线寄生参数和读传输门寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，消除了伪读取现象，减小了读出时间；且信号传递速度快、适用范围广、寄生参数匹配方法简单。
-
公开(公告)号：CN107644664A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710889441.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法，实现在对三维垂直型存储器进行读/写操作时，将所述三维垂直型存储器中的所有位线置为读不选择位线电压或写不选择位线电压，将其所有字线置为读不选择字线电压或写不选择字线电压，将其所有源线置为0V；待读/写脉冲信号到来时，将待操作存储单元的源线置为电源电压，同时对待操作存储单元所在的位线和字线进行电压配置，以使所述待操作存储单元两端的电压之差等于读操作电压或写操作电压，半选通存储单元两端的电压之差等于所述读操作电压的一半或所述写操作电压的一半。通过本发明所述电路及方法，实现所述存储器读出速度快，功耗低、工程实现性高、漏电少、读出正确率高。
-
公开(公告)号：CN106816172A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710041124.8
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0097
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的整体擦除装置，主要是在现有相变存储器的基础上单独增加了包含擦除使能开关、字线电压产生电路、擦除电压产生电路、位线擦除开关电路以及字线擦除开关等的整体擦除装置，以避免受二进制独热码译码器的限制，而应用本发明可以在整体擦除使能信号有效时，所有字线擦除开关开启，所有相变存储单元的选通管都开启，再通过位线擦除开关电路把擦除电压传送到位线上，实现相变存储器快速擦除的效果，而有效解决现有技术中，由于相变存储器没有一次整体擦除的功能，使得每次对整个相变存储器进行擦除时都不得不花费很长时间，进行数万次、上百万次甚至更多次的擦除操作的弊端。
-
公开(公告)号：CN106601290A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610935023.0
申请日：2016-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0059
Abstract: 本发明提供一种具有温度跟随特性的相变存储器读电路，包括：参考相变存储阵列、相变存储阵列、参考相变存储单元地址寄存模块、参考电流产生模块、钳位电压产生模块及电流比较模块。本发明的相变存储器读电路通过对大规模相变存储阵列的不同位置的环境温度采样，利用高低阻态下相变单元的温度漂移系数，使所述参考电流随环境温度变化具有恰当的自调性，此种特性兼顾了相变存储阵列不同物理位置的温度差异，避免了所述参考电流值与相变单元位线电流值的混叠，提高了所述读出电路在外界环境温度改变时的正确读取。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103824591B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410108203.2
申请日：2014-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器系统，至少包括：I2C接口电路模块、交互电路模块和相变存储器模块；所述相变存储器模块包括存储阵列；I2C接口电路模块分别与交互电路模块和相变存储器模块相连，其中，所述交互电路模块适于在接收所述前字节数据读取信号或者所述字节数据发送信号时，一一选通被所述字节地址信号选中的字节存储阵列中的存储位，并一一提供所对应的读/写触发信号，以使得所述I2C接口电路模块从所述字节地址信号对应的字节存储阵列中读出相应的串行读出数据或者使得所述I2C接口电路模块向所述字节地址信号对应的字节存储阵列中写入相应的串行写入数据。所述相变存储器系统无论从功耗还是速率方面，相变存储器都优于传统的EEPROM。
-
公开(公告)号：CN103856044B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410100047.5
申请日：2014-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明提供一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法，所述电路包括：用于根据输出电压的变化产生使能信号的使能信号产生电路，其通过控制所述升压模块的工作状态调节输出电压，最终输出电压控制在一个允许的范围内波动；连接于所述使能信号产生电路的升压模块；用于转移所述升压模块中的电荷的泵电容以及连接于所述升压模块输出端，用于储存电荷并输出相应电压的输出电容。所述方法包括：使能信号起效，升压模块工作；Vbg、Vin及Vout生成使能信号；Vout升高至(Vout－Vin)大于Vref1时功率管关断，Vout下降；Vout降低至(Vout－Vin)小于Vref2时，升压模块工作；Vout最终在Vref1与Vref2之间波动。本发明兼顾了低输出纹波、高电源效率及快负载瞬态响应速度，有效改善电荷泵的性能。
-
公开(公告)号：CN105632551A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510960374.2
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/54 , G06N3/0635
Abstract: 本发明提供一种存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法，存储阵列包括：第一引出线和第二引出线，不同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一存储单元，相同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一可控开关。存储芯片包括：接口模块；产生控制信号的控制模块；产生写电流、擦电流或读电流的驱动模块；选通第一、第二引出线的第一、第二译码器；以及存储逻辑关系值的存储阵列。存储方法包括：写入和读出操作。本发明通过全新的存储阵列实现对象间的逻辑关系的存储；同时在读出时，通过可控开关在相同编号的引出线间传递，将结果转换为条件，以此综合间接关系因素，可用于仿脑智能应用场景，提高存储阵列中的信息量。
-
公开(公告)号：CN102831929B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210324598.0
申请日：2012-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的读写转换系统及方法，所述读写转换系统包括用于产生读脉冲及写脉冲的读写脉冲产生模块、用于锁存需要进行操作的目标地址的地址锁存模块、用于读取目标地址相变存储单元的数据的读模块、用于将待写入的数据写入到目标地址的相变存储单元的写模块、用于锁存所述读模块读出的目标地址的数据或者所述写模块已经写入目标地址的数据的数据锁存模块、以及用于比较目标地址的数据和待写入数据的数据比对模块。本发明能够通过控制读写次序使相变存储器自动在速度优先模式和功耗优先模式间切换，从而达到在不降低存储器系统可靠性的前提下，对于功耗优先的应用场合，最大限度地降低存储器的操作功耗的目的。
-
公开(公告)号：CN102751319B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210230324.5
申请日：2012-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/221 , H01L21/334 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系化合物薄膜（5）下部通过下加热电极（3）与下电极（2）达成电性连接；所述硫系化合物薄膜（5）上部与上电极（6）达成电性连接。本发明还提供一种基于硫系化合物的浪涌保护器件的制备方法。本发明器件利用硫系化合物所特用的阈值导通特性实现过压保护，概念新颖，结构简单，是一种过电保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
210
records
(took 0.048 seconds)
