公开(公告)号：CN1610113A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410067217.0

申请日：2004-10-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘卫丽 ,  宋志棠 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体(CMOS)器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明的特征是提出了三维多层CMOS结构，层与层之间用连线连接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶薄膜，本发明提出低温键合和低温剥离的工艺，将单晶薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶薄膜上制备器件有源层。本发明提出的三维CMOS没有改变CMOS的基本结构，采用常规的CMOS工艺和设备条件就可实现高密度集成，工艺方法简单，并可减少金属互连线的长度和层数，提高器件的速度。

公开(公告)号：CN118995055A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411129557.5

申请日：2024-08-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘卫丽 ,  宋志棠

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅抛光液及其制备方法和应用，组分包括液相载体、磨料、氧化剂、pH稳定剂、pH调节剂。本发明碳化硅抛光液克服现有技术中的不足，其制备方法简单、高效。此外，所述抛光液通过加入特定结构的有机磨料，使得抛光液的抛光质量、抛光速率和抛光表面亦获得很大提升。

公开(公告)号：CN116113311A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310052013.2

申请日：2023-02-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周夕淋 ,  李程兴 ,  宋志棠 ,  刘卫丽

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明涉及一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器设有衬底(1)和若干个电极单元；所述电极单元自下至上包括刀片电极层(2)、相变材料层(3)、第一黏附层(4)、选通管材料层(5)、第二黏附层(6)、顶电极层(7)；所述电极单元之间留有沟槽；阻挡层(8)沉积于所述电极单元表面；介质层(9)填充于所述电极单元之间的沟槽中。本发明的结构可有效的提高相变存储器的性能和容量，同时提供相应的低刻蚀损伤的制备方法获取该结构，具有良好的市场应用前景。

公开(公告)号：CN114410226A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210101644.4

申请日：2022-01-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新安纳电子科技有限公司 ,  浙江新创纳电子科技有限公司

Inventor： 汪为磊 ,  刘卫丽 ,  宋志棠

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明提供一种抛光液及其制备方法和应用。所述抛光液包括研磨剂、高锰酸钠、离子强度调节剂和水，进一步，还包括选自分散剂、防沉剂和pH调节剂中的至少一种。所述抛光液的制备方法包括如下步骤：将所述抛光液中的各组分进行混合，得到所述抛光液。所述抛光液在碳化硅抛光领域中的用途。本发明的抛光液通过选择研磨剂、高锰酸钠和离子强度调节剂并将其合理组合，使得抛光液的抛光质量、抛光速率获得很大提升，尤其适用于难加工的含硅表面的超精密光学器件或半导体功率器件的表面抛光，是理想的半导体化合物晶圆制造的亚纳米级光洁度的抛光液材料。

公开(公告)号：CN108002393B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201711445044.5

申请日：2017-12-27

Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 秦飞 ,  刘卫丽 ,  宋志棠

IPC: C01B33/12

Abstract: 本发明涉及抛光液后处理领域，特别是涉及一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法。本发明提供一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法，包括：将回收的硅溶胶抛光液浓缩；采用碱液将浓缩液溶解；将溶解液稀释、过滤；将所得液体进行阳离子树脂交换处理；将所得交换液进行阴离子树脂交换处理；将所得交换液进行阳离子树脂交换处理，获得硅酸。本发明所提供的制备硅酸的方法制备获得的硅酸可以重新用于硅溶胶的生产，有效地实现了废料的循环再利用，降低了抛光液厂家的废液处理成本，很大程度上解决了目前处理废液成本高、资源浪费等问题。

公开(公告)号：CN112920716A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110102158.X

申请日：2021-01-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李程兴 ,  蔡道林 ,  刘卫丽 ,  宋志棠 ,  冯道欢

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法，包括磨料、氧化剂、添加剂、络合剂以及去离子水。本发明可以显著的提高氮化钛的抛光速率，获得平滑的抛光后表面，使用方法简单，具有良好的市场应用前景。

公开(公告)号：CN111925731A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010722551.4

申请日：2020-07-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新安纳电子科技有限公司 ,  浙江新创纳电子科技有限公司

Inventor： 刘卫丽 ,  冯道欢 ,  宋志棠

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用，所述复合磨料以碳酸钙纳米颗粒为核，二氧化硅颗粒为壳。本发明具有独特的结构和性能，相比纯硅溶胶而言，对硅片、氧化硅片、二氧化硅层、氮化硅层等介质层材料的抛光速率更快；相比氧化铝磨料而言，对介质层材料的抛光后的表面质量更好，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN111755046A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010425372.4

申请日：2020-05-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李阳 ,  陈一峰 ,  蔡道林 ,  刘卫丽 ,  宋志棠

IPC: G11C11/36 ,  G11C7/10

Abstract: 本发明涉及一种存储器装置的偏置方法，其中存储器装置的选通器为二极管阵列，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，正常选通工作时，在选通二极管所在的位线BLn上施加选通信号，在需要消除寄生漏电流的位线上施加随所述选通信号变化的抑制信号，其他位线接地，在选通二极管单元所在的字线WLn接地，其他字线施加大于选通信号且小于二极管反向击穿电压的电压Vp。本发明可以降低或彻底消除相邻位线的寄生漏电流，同时减少小部分二极管反向漏电流。

公开(公告)号：CN111748287A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010620169.2

申请日：2020-06-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新安纳电子科技有限公司 ,  浙江新创纳电子科技有限公司

Inventor： 汪为磊 ,  刘卫丽 ,  霍军朝 ,  宋志棠 ,  许永辉

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种SiC晶圆抛光液及其制备方法和应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体35-90％；磨料颗粒0.01-40％；氧化剂0.01-30％。本发明通过选择合理的磨料颗粒和氧化剂并进行合理组合，使得抛光液的抛光质量、抛光速率亦获得很大提升；制备方法简单，成本低，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN109987609A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201711473611.8

申请日：2017-12-29

Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘卫丽 ,  刘宇翔 ,  王光灵 ,  霍军朝 ,  宋志棠

IPC: C01B33/145

Abstract: 本发明涉及无机纳米材料领域，特别是涉及一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法。本发明提供一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法，包括：1）在溶剂体系中，将硅烷前驱体快速加入碱和去离子水的混合液中中搅拌混合反应，后经过陈化，得到初始的粒径均一的二氧化硅溶胶；2）将初始的二氧化硅溶胶与含氟疏水剂的溶液混合，制得具有高疏水性的二氧化硅溶胶。本发明针对如何提升二氧化硅涂层疏水性的问题，选取合适的疏水剂，通过条件简单、简便可行的方法制得可用于多种基材的二氧化硅溶胶。