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公开(公告)号：CN111562481B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010449991.7
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于芯片在片测试技术领域，提供了一种基于加电探针的化合物半导体芯片在片测试电路，包括栅极加电探针和漏极加电探针，还包括：开关单元和限压单元；开关单元的第一端与栅极加电探针连接，开关单元的第二端接地，开关单元的第三端与限压单元的一端连接；限压单元的另一端与漏极加电探针连接。本发明通过开关单元和限压单元将漏极加电探针加在所述化合物半导体芯片上的电压和电流限制在安全范围内，避免先给漏极加电探针加电时，化合物半导体芯片的漏极容易形成非常高的电流，引起芯片性能的退化，甚至烧毁芯片的问题。
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公开(公告)号：CN114743881A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210470222.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，上述方法包括：在氧化镓衬底的上生长氧化镓沟道层；对氧化镓沟道层进行离子注入掺杂形成源区；离子注入的深度小于氧化镓沟道层的厚度；在氧化镓沟道层上依次生长源电极层及掩膜层；对源电极层上及氧化镓沟道层上未被掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，形成沟槽；其中，氧化镓沟道层的刻蚀深度小于氧化镓沟道层的厚度大于离子注入的深度；在沟槽及掩膜层上生长P型介质层；在P型介质层上生长栅电极层；去除掩膜层；在氧化镓衬底的下表面制备漏电极。本发明采用自对准剥离技术，通过P型介质层形成PN结，制备过程简单，降低了垂直场效应晶体管的制备难度。
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公开(公告)号：CN114743873A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210470426.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了氧化镓二极管器件及其制备方法，该方法包括：清洗氧化镓外延层，在外延层上方淀积介质层；在介质层的上方旋涂光刻胶，加热光刻胶，使光刻胶回流形成斜面；刻蚀光刻胶和介质层，去除光刻胶；以介质层为掩膜，刻蚀氧化镓外延层和介质层；在介质层平面的上方旋涂光刻胶；在氧化镓二极管器件的上方覆盖金属掩膜，去除光刻胶和介质层；溅射P‑NiO材料，形成P‑NiO层，剥离金属掩膜；电子束蒸发金属，得到阴极和阳极。本申请为氧化镓二极管器件的提供了一种新的制备方法。
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公开(公告)号：CN108675259B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201810482862.0
申请日：2018-05-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种压力传感器，包括由下而上依次设置的衬底、支架、若干层的薄膜层和电极，支架上设有腔体，电极位于所述薄膜层的两端；所述薄膜层的层数大于1，且所述薄膜层为叉指结构。本发明提供的压力传感器，将薄膜层设置成叉指结构，在较大压力下发生层移，但不会形成裂纹，从而增强抗应变能力，实现高灵敏度、大量程、高稳定性和高可靠性的压力传感器。
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公开(公告)号：CN110690235B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201910837900.4
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请适用于半导体芯片技术领域，提供了一种探测器阵列芯片及其制备方法，其中，所述探测器阵列芯片包括：第一外延层，所述第一外延层包括由两个以上的相互隔离的有源区组成的有源区阵列；第二外延层，形成于所述第一外延层的上表面；第三外延层，形成于所述第二外延层上；上电极层，形成于所述第三外延层上；下电极层，所述下电极层包括与所述有源区的数量一致的下电极，每个所述下电极形成于一个与其对应的有源区的下表面。该探测器阵列芯片采用正面入射和背面封装，具有较高的量子效率，并且封装简单，表面面积的利用率高。
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公开(公告)号：CN114242827A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111556216.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括：衬底；第一外延层，形成于衬底上，且背离衬底的一侧形成有隔离平台；阳极区和阴极区，形成于第一外延层上，且阳极区和阴极区通过隔离平台隔离，隔离平台的上表面高于阳极区的上表面以及阴极区的上表面；其中，阳极区、隔离平台和阴极区形成横向PIN结；第一电极，形成于阳极区上；第二电极，形成于阴极区上。本发明能够提高半导体光电探测器工作性能。
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公开(公告)号：CN114047556A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111348894.X
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统。该磁力探测头包括：金刚石NV色心系综样品，其为毫米级块状结构、内部阵列设置多个用于冷媒流通的微流道，各微流道的一端与用于冷媒入口的冷媒管密封连接、另一端与用于冷媒出口的冷媒管密封连接；微波天线，设置在金刚石NV色心系综样品表面，用于与微波源连接；光纤，与金刚石NV色心系综样品的一端面连接、且避开冷媒管所在的端面。本发明能够通过在毫米级的金刚石NV色心系综样品内部设置用于冷媒流通的微流道，可通过在微流道内部通入冷媒，降低金刚石NV色心系综样品的整体温度，提高探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN113933906A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111350561.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心磁力探测模块及磁力探测系统。该金刚石NV色心磁力探测模块包括：连接有光纤的金刚石NV色心系综薄片、分别设置在金刚石NV色心系综薄片上下表面的磁通量聚集模块以及微波天线模块；金刚石NV色心系综薄片的侧面设有凹槽，光纤设于凹槽内；在金刚石NV色心系综薄片的表面溅射有镜面全反射镀层、且镜面全反射镀层避开凹槽；微波天线模块至少设置两个，分别设于金刚石NV色心系综薄片与磁通量聚集模块之间，微波天线模块用于与微波源连接；其中，金刚石NV色心系综薄片在激光和微波源的激发下产生的荧光，经过镜面全反射镀层从光纤中射出。本发明提供的磁力探测系统体积较小，方便携带，且探测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN112174121B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202011034039.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸清洁石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在金属衬底表面生长石墨烯层；采用电子束蒸发法在石墨烯层上形成可与石墨烯形成低范德华力结合的金属层；在所述金属层上形成光刻胶层；将含胶软膜粘附在所述光刻胶层表面，剥离所述金属层和光刻胶层。本发明提供的制备大尺寸清洁石墨烯的方法，无需特殊控制操作环境的，独创性地利用材料界面间的范德华力的差异，实现了大尺寸石墨烯表面无定形碳的剥离，将石墨烯表面处理至原子级的洁净，对于扩大石墨烯在光电领域的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111192926B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010013555.5
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，该氧化镓肖特基二极管由下至上包括阴极金属，高掺杂氧化镓衬底，低掺杂氧化镓外延层，阳极金属、围绕阳极金属的钝化介质层，以及，覆盖于阳极金属之上的场板金属；其中，所述钝化介质层内含有氟负离子。本发明可以提高氧化镓肖特基二极管器件的击穿特性。
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