发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备

    公开(公告)号:CN111864087B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202010338491.6

    申请日:2020-04-26

    Abstract: 提供发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备,所述发光器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极;设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层。所述发射层包括:设置在所述第一电极上并且具有空穴传输性质的第一发射层;设置在所述第一发射层上的第二发射层和第三发射层;其中所述第二发射层包括具有双极传输性质的有机化合物,并且所述第三发射层具有与所述第一发射层和所述第二发射层不同的组成;其中所述第一发射层、第二发射层和第三发射层包括多个量子点,和其中所述第一发射层、第二发射层和第三发射层配置成发射相同颜色的光。

    电致发光显示装置
    137.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110246975B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201910180885.0

    申请日:2019-03-11

    Abstract: 电致发光显示装置包括:彼此面对的第一电极和第二电极;设置在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发射层,所述量子点发射层包括多个量子点且不包括镉,其中所述量子点发射层包括设置在红色像素中的红色发射层、设置在绿色像素中的绿色发射层、和设置在蓝色像素中的蓝色发射层,其中所述装置具有大于或等于约89%的根据DCI标准的颜色再现性。

    显示器件和发光器件
    138.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115623807A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202210751261.1

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 公开电致发光显示器件和发光器件,其包括蓝色光发射层。所述电致发光显示器件和所述发光器件包括:第一电极、第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的光发射层。光发射层包括包含多个纳米结构体的蓝色光发射层,所述多个纳米结构体不包括镉。在施加偏压时,蓝色光发射层配置成发射在大于或等于约445nm且小于或等于约480nm的范围内的发射峰波长(λ最大)的光。在从第一电压到比第一电压大至少约5伏的第二电压的偏压变化期间,蓝色光发射层的发射峰波长(λ最大)可呈现出比在第一电压下的发射峰波长和在第二电压下的发射峰波长小的第一发射峰波长,并且在所述偏压变化期间,发射峰波长(λ最大)的变化宽度小于或等于约4纳米。

    量子点器件和电子设备
    139.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115148918A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210319636.7

    申请日:2022-03-29

    Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括:第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层、设置在所述第二电极和所述发光层之间并且增强第一电荷载流子从所述第二电极向所述发光层的传输的第一电荷辅助层、以及设置在所述发光层和所述第一电荷辅助层之间并且增强第二电荷载流子从所述发光层的提取的缓冲层。

    发光膜、发光器件、电致发光器件和制备发光纳米结构体的方法

    公开(公告)号:CN114686211A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202111624492.8

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本发明涉及发光膜、发光器件、电致发光器件和制备发光纳米结构体的方法。发光器件包括第一导电层、第二导电层、以及设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的发光层,所述发光层包括发光纳米结构体,其中所述发光层配置成发射绿色光,所述发光层不包括镉、铅、或其组合,所述发光纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体,所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物,所述第二半导体纳米晶体包括锌硫属化物,III‑V族化合物包括铟、磷、和任选地锌,锌硫属化物包括锌、硒和硫,所述发光纳米结构体呈现出闪锌矿结构,并且在通过电子显微镜法分析获得的发光纳米结构体的二维图像中,所述发光纳米结构体的正方度的平均值大于或等于约0.8。

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