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公开(公告)号：CN103366807A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310283721.3
申请日：2003-07-30
申请人： 微米技术有限公司
发明人： R.J.贝克
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/06 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C13/0061 , G11C2013/0057
摘要： 检测电阻性存储元件的电阻状态的方法和装置包括产生与存储单元的电阻相关的第一电流。在第一检测时间期间把所述第一电流加到第二电流，并且在第二检测时间期间从第三电流减去所述第一电流。利用电容器对所述第一、第二和第三电流进行时间积分，并且利用时钟控制的计数器对所述电容器上的结果电压信号进行计时。然后，使时钟控制的计数器的数字输出的时间平均值与存储单元的电阻相关，从而与电阻性存储元件的电阻状态相关。
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公开(公告)号：CN101814312B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200910208891.9
申请日：2003-07-30
申请人： 微米技术有限公司
发明人： R·J·贝克
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/06 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C13/0061 , G11C2013/0057
摘要： 检测电阻性存储元件的电阻状态的方法和装置包括产生与存储单元的电阻相关的第一电流。在第一检测时间期间把所述第一电流加到第二电流，并且在第二检测时间期间从第三电流减去所述第一电流。利用电容器对所述第一、第二和第三电流进行时间积分，并且利用时钟控制的计数器对所述电容器上的结果电压信号进行计时。然后，使时钟控制的计数器的数字输出的时间平均值与存储单元的电阻相关，从而与电阻性存储元件的电阻状态相关。
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公开(公告)号：CN101014941B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200580028359.9
申请日：2005-08-09
申请人： 微米技术有限公司
发明人： D·A·拉森
CPC分类号： G11C7/22 , G06F3/0611 , G06F3/0629 , G06F3/0671 , G06F13/4243 , Y02D10/14 , Y02D10/151
摘要： 一种用于菊花链式存储拓扑的方法，其中除了对来自存储器模块(D IMM)的响应的接收时序的预测，存储器控制器可以有效地预测从其发出的指令何时将被受信的DIMM执行。通过对DIMM的指令延迟单元内的DIMM专用指令延迟进行编程，依照本发明公开的指令延迟均衡方法对指令信号在存储通道中所有的DIMM上的执行进行了“规格化”和“同步化”。利用这样的预测指令执行时序的能力，存储器控制器能够有效地控制菊花链式存储通道中所有DRAM设备(或者存储器模块)的功率特性。DIMM中独立的DIMM专用响应延迟单元可以也被编程，来提供响应路径中的DIMM专用延迟补偿，进一步允许存储器控制器准确地确定响应接收的时序，并且，因此更好地管理对响应的进一步处理。
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公开(公告)号：CN1802750B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200480015732.2
申请日：2004-04-08
申请人： 微米技术有限公司
发明人： H·E·罗德斯
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14623
摘要： 一种经改进的成像装置像素的结构，在像素电路至少但在像素导电互连层之下设有遮光层。遮光层可为不透光(或几乎不透光)材料的薄膜，并有孔供接触体连接到下面的电路。遮光层中的开口露出像素的光电转换器的活性区。
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公开(公告)号：CN1689109B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN03824324.5
申请日：2003-07-30
申请人： 微米技术有限公司
发明人： R·J·贝克
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/06 , G11C11/1673 , G11C11/1693 , G11C13/0061 , G11C2013/0057
摘要： 检测电阻性存储元件的电阻状态的方法和装置包括产生与存储单元的电阻相关的第一电流。在第一检测时间期间把所述第一电流加到第二电流，并且在第二检测时间期间从第三电流减去所述第一电流。利用电容器对所述第一、第二和第三电流进行时间积分，并且利用时钟控制的计数器对所述电容器上的结果电压信号进行计时。然后，使时钟控制的计数器的数字输出的时间平均值与存储单元的电阻相关，从而与电阻性存储元件的电阻状态相关。
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公开(公告)号：CN1830036B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200480022105.1
申请日：2004-05-21
申请人： 微米技术有限公司
发明人： R·J·贝克
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/06 , G11C7/062 , G11C11/16 , G11C13/0061 , G11C2207/066
摘要： 描述了一种用于检测电阻式存储(30)元件的电阻的集成电荷检测方案。经过电阻式存储单元(30)的电流被用来对耦合至数字线的电容器(75)进行充电。对应于数字线上的电压的电容器(75)上的电压被施加到比较器(40)的一个输入上。当位线上的电压超过施加到比较器(40)的第二输入上的预定固定电压小于偏移时，比较器(40)切换逻辑状态，电荷从电容器(75)被抽取以及电容器(75)被再次充电。在预定时段内发生了对电容器(75)充电和放电的过程，并且电容器(75)在该时段内切换的次数表示存储元件(30)的电阻。
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公开(公告)号：CN1871662B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN03820606.4
申请日：2003-08-28
申请人： 微米技术有限公司
CPC分类号： H01L21/02631 , C23C14/0021 , C23C14/0623 , C23C14/3407 , C23C14/3492 , C23C14/548 , H01L21/02266 , Y10S428/938 , Y10T428/12896
摘要： 一种溅射沉积硒化银并控制溅射沉积硒化银膜的化学计量比、结节缺陷形成和晶体结构的方法。该方法包括在约0.3-约10mTorr的压力下，使用溅射沉积方法沉积硒化银。根据本发明的一个方面，优选在约2-约3mTorr的压力下使用RF溅射沉积方法。根据本发明的另一个方面，优选在约4-约5mTorr的压力下使用脉冲DC溅射沉积方法。根据本发明的另一个方面，可以在约10mTorr的压力和小于约250W的溅射功率下溅射沉积含α-和β-硒化银的硒化银膜。
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公开(公告)号：CN1491417B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN02804908.X
申请日：2002-02-12
申请人： 微米技术有限公司
发明人： L·福尔贝斯
CPC分类号： G11C8/10 , G11C16/0466 , G11C29/789
摘要： p沟道MOSFET器件(300)通过利用不正常空穴产生在存储器译码电路中用作可编程熔丝或反熔丝。施加足够大的负栅极偏置电压(314)，以使隧道电子获得足够的能量越过氧化物(312)的带隙能量。这使得在硅衬底中产生高能空穴-电子对。然后，空穴从衬底注入到氧化物中，并保持被捕获。导致p沟道MOSFET的阈值电压发生大的偏移。随后，通过施加正栅极偏置电压可以复位该器件。
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公开(公告)号：CN100578659C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN01816420.X
申请日：2001-07-27
申请人： 微米技术有限公司
发明人： F·F·鲁帕瓦尔
IPC分类号： G11C7/10
CPC分类号： G11C7/103 , G11C7/1018 , G11C7/1072 , G11C16/20 , G11C16/22 , G11C16/26
摘要： 同步快闪存储器包括非易失性存储单元的阵列。存储器阵列被排列成行和列，以及可被进一步排列成可寻址的块。数据通信连接被使用来与外部设备(诸如，处理器或其他存储器控制器)进行双向数据通信。存储器可以在一系列时钟周期期间在数据通信连接上输出来自存储寄存器的数据，以提供寄存器数据的脉冲串。存储器可以按照规定的时钟等待时间值提供寄存器数据。寄存器数据可包括状态数据、操作设置值数据、制造识别、和存储器器件识别。
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