公开(公告)号：CN104851937A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410652795.4

申请日：2014-11-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 南川智宏

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/02 ,  H03K17/78

CPC classification number: H01L31/165 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/103 ,  H01L31/02 ,  H01L31/12 ,  H03K17/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，提高半导体装置的特性。使用于半导体继电器的半导体装置构成为，具备形成于第1半导体岛区域的第1二极管、形成于第2半导体岛区域的第2二极管、覆盖第2半导体岛区域的遮光膜(多晶硅膜PS2)和将第1二极管与第2二极管电连接的配线Mb。并且，配线Mb配置成横越包围第2半导体岛区域的氧化硅膜OX的上方。另外，遮光膜位于配线Mb的下方，在与配线Mb的重叠区域具有缺口部N。这样，通过设置缺口部N，遮光膜的端部(线L1、线L2)错开配置。由此，能防止由于氧化硅膜OX上的凹部与遮光膜的阶梯而导致在配线Mb的整个宽度形成深凹部(G)，能防止配线Mb的断线。

公开(公告)号：CN104756254A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380056008.3

申请日：2013-11-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 道山胜教

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L31/02164 ,  G01S3/7835 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/02024 ,  H01L31/022408 ,  H04N5/369

Abstract: 光传感器具有半导体基板(10)、在半导体基板(10)上形成的绝缘膜(12)、在半导体基板(10)上形成的受光部(20)、以及隔着绝缘膜(12)在半导体基板(10)上形成的电极(30)。受光部(20)具有将光变换为电荷的受光元件(21)、和对受光元件(21)中积蓄的电荷进行放电的复位元件(22)。电极(30)具有用于向复位元件(22)施加控制电压的第一电极(31)。第一电极(31)具有遮光性。受光元件(21)的受光面的形状通过第一电极(31)来规定。

公开(公告)号：CN104488093A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380039423.8

申请日：2013-07-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上高广 ,  木村直正

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/42 ,  G01J3/46 ,  G02F1/13 ,  G02F1/133 ,  H01L31/12

CPC classification number: H01L31/101 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/4204 ,  G01J1/4228 ,  G01J1/44 ,  G01J3/30 ,  G01J3/51 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/36 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2320/0633 ,  G09G2330/021 ,  G09G2360/144 ,  G09G2360/145 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/167 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/103

Abstract: 为了提供能够同时实现作为照度传感器和接近传感器的功能的一体型传感器，传感器(1)包括受光元件部(E1)、红外除去滤光片(IRcutF)和对受光元件部(E1)的光谱特性进行切换的切换部(SWS)，红外除去滤光片(IRcutF)形成有开口部，与可见光接收用PN(PDvis)相比，红外光接收用PN结(PDir)形成在衬底(SUB)的较深的位置。

公开(公告)号：CN104285135A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380025424.7

申请日：2013-05-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 中嶋和利 ,  山西正道 ,  藤田和上 ,  新垣实 ,  广畑彻 ,  山下博行 ,  赤堀亘

IPC: G01J1/02 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02164 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/101 ,  H01L31/1035

Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过由光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域(4b)和输送在活性区域(4b)被激发的电子的喷射区域(4c)。

公开(公告)号：CN104081527A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380006945.8

申请日：2013-01-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 小林正治 ,  工藤义治 ,  佐野拓也

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和电子设备，其使得能够提供能够最小化由于漏入的光而生成的噪声的半导体器件。配置该半导体器件，以便提供有光接收元件(34)、用于信号处理的有源元件、以及光接收元件(34)和有源元件之间的、由在有源元件之上提供覆盖的布线(45、46)构成的光遮挡结构。半导体器件进一步提供有例如其上形成光接收元件的第一基底、其上形成有源元件第二基底、以及具有在第二基底上由布线构成的光遮挡结构的布线层。第二基底可以经由布线层连接到第一基底。

公开(公告)号：CN103733311A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280038837.4

申请日：2012-08-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 宋道英 ,  冲·蒋 ,  秉·圣·利奥·郭 ,  约瑟夫·G·戈登

IPC: H01L21/301 ,  H01M10/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1876 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/024 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/18 ,  H01M4/0471 ,  H01M6/40 ,  H01M10/0436

Abstract: 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。

公开(公告)号：CN103424957A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310181276.X

申请日：2013-05-16

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 闵明安

IPC: G03B17/12 ,  G03B11/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L31/02165 ,  G02B5/003 ,  G02B5/005 ,  G02B5/22 ,  G02B27/0018 ,  G03B11/04 ,  G03B11/048 ,  G03B17/02 ,  H01L27/3227 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种窗结构及其制造方法、电子设备及其制造方法。该窗结构包括窗、窗上的设计层结构、设计层结构上的遮光层，以及光吸收层。设计层结构包括暴露窗的一部分的第一孔。遮光层包括与第一孔流体连通的第二孔。光吸收层至少覆盖设计层结构的被第一孔和第二孔暴露的部分，并且包括暴露所述窗的一部分的第三孔。通过包括具有灰色或黑色的光吸收层来覆盖设计层结构的暴露的部分，防止由设计层结构引起的关于图像的晕影。

公开(公告)号：CN103390619A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310172553.0

申请日：2013-05-10

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 罗埃尔·达门 ,  内伯亚·内那多维奇 ,  埃里克·简·卢思

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/98 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01L31/0232 ,  G01S3/784 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14623 ,  H01L31/02024 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/4847

Abstract: 本发明涉及一种集成电路和制造这种集成电路的方法。所述集成电路包括具有主表面的半导体衬底。所述集成电路还包括定向光传感器。所述定向光传感器包括位于所述主表面上的多个光电探测器。所述定向光传感器还包括一个或者多个障碍物，其中定位每一个障碍物使所述光电探测器的一个或者多个免受从相应的方向入射到所述集成电路上的光的照射。所述定向光传感器可操作用于通过对至少两个光电探测器的输出信号进行比较来确定入射到所述集成电路上的光的方向。

公开(公告)号：CN102201458B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201110076203.5

申请日：2011-03-23

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 邱新智 ,  郑家明 ,  许传进 ,  楼百尧

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/0216 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L27/14618 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13

Abstract: 一种晶片封装体，包括：基底，具有第一表面及第二表面；光学元件，设置于该第一表面上；导电层，位于该第二表面上，且电性连接该光学元件；保护层，设置于该第二表面及该导电层之上，该保护层具有开口，露出该导电层；导电凸块，设置于该第二表面上，该导电凸块具有底部部分及上部部分，该底部部分填充于该开口中而与露出的该导电层电性接触，该上部部分位于该开口之外，并朝远离该开口的方向延伸；凹陷，自该导电凸块的表面朝向该导电凸块的内部延伸；以及遮光层，设置于该第二表面上，且延伸至该导电凸块的该上部部分之下，并部分位于该凹陷之中而与部分的该导电凸块重叠。本发明可使光学元件更为精确地运作而不受光线或噪声的影响。

公开(公告)号：CN103038883A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180027918.X

申请日：2011-09-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 道山胜教 ,  大仓孝充 ,  远藤升 ,  牧野泰明 ,  牧野贵纪 ,  石原纯

IPC: H01L27/14 ,  G01J1/02 ,  G01J1/06 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02164 ,  G01J1/0266 ,  G01J1/06 ,  G01J1/44 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625

Abstract: 一种光学传感器包括：半导体基板（10）上的第一和第二光接收元件（20）；隔着透光膜（30）在半导体基板（10）上方的遮光膜（40）；以及对应于光接收元件（20）并布置在遮光膜（40）中的第一和第二开口（41）。限定分别从第一和第二光接收元件（20a-20h）的中心延伸并通过第一和第二开口（41a-41h）的中心的第一和第二虚拟线（A-C）。第一和第二虚拟线（A-C）的仰角和左右角中的至少一个不同。第一光接收元件（20a-20h）的光敏面积大于第一开口（41a-41h）的开口面积。第二光接收元件（20a-20h）的光敏面积大于第二开口（41a-41h）的开口面积。