公开(公告)号：CN102496438A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110446782.8

申请日：2008-02-27

申请人： TDK株式会社

发明人： 柳田茂树 ,  伊藤昇 ,  油川祐基 ,  森尚树 ,  皆地良彦

IPC分类号： H01F1/11 ,  H01F7/00 ,  C04B35/26

CPC分类号： C04B35/2633 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/788 ,  H01F1/11

摘要： 一种以具有六方结构的铁氧体相为主相的铁氧体烧结磁铁，构成主相的金属元素的组成用通式(1)来表示，RxCamA1-x-m(Fe12-yMy)z…(1)式(1)中，x、m、y及z全部满足下述式(2)～(6)的各条件，0.2≤x≤0.5…(2)0.13≤m≤0.41…(3)0.7x-m≤0.15…(4)0.18≤yz≤0.31…(5)9.6≤12z≤11.8…(6)所述铁氧体烧结磁铁的密度为5.05g/cm3以上，当铁氧体烧结磁铁的晶体粒子，当其通过与c轴方向平行的粒子剖面的重心的粒径的最大值平均为Lμm、该粒径的最小值平均为Sμm时，全部满足式(7)及(8)表示的各条件。L≤0.95…(7)1.8≤L/S≤2.5…(8)。

公开(公告)号：CN102471169A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030917.6

申请日：2010-06-14

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 柏屋俊克 ,  菊田雄也 ,  日比野朝彦

IPC分类号： C04B35/49 ,  H01L41/187 ,  H02N2/00

CPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/083 ,  H01L41/0913 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/273

摘要： 提供一种压电元件/电致伸缩元件，在形成压电元件的情况下，即使在高电场中Qm的降低也少。形成的压电体/电致伸缩体的特征在于，相对于1V/mm的电场中的Qm，10V/mm电场中的Qm的比例为30％以上。

公开(公告)号：CN102471162A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030766.4

申请日：2010-07-05

申请人： TDK株式会社

发明人： 长冈淳一 ,  森宜宽 ,  森田启之 ,  皆地良彦

IPC分类号： C04B35/26 ,  C01G49/00 ,  C01G51/00 ,  C04B35/40 ,  H01F1/11

CPC分类号： C04B35/2633 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/0036 ,  C01G49/009 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/9615 ,  H01F1/10 ,  H01F1/11

摘要： 本发明是以提供一种能够获得维持高Br以及高HcJ而且具有高Hk/HcJ的永久性磁铁的铁氧体磁性材料为目的的。优选的实施方式所涉及的铁氧体磁性材料具备拥有六方晶结构的铁氧体相，并具有由Ca1-w-x-yRwSrxBayFezMmO19[式中，R是选自稀土类元素(包含Y)以及Bi中的至少1种元素，且必须包含La，M是选自Co、Mn、Mg、Ni、Cu以及Zn中的至少1种元素，且必须包含Co]所表示的主要组成，满足以下所述关系式0.25＜w＜0.65，0.01＜x＜0.45，0.0002＜y＜0.011，y＜x，8＜z＜11，1.0＜w/m＜2.5，0.017＜m/z＜0.065，Si成分的总量相对于主要组成为0.1～3质量％，而且各个元素满足1.5≤[(Ca+R+Sr+Ba)-(Fe+M)/12]/Si≤3.5的关系。

公开(公告)号：CN101389580B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200780006586.0

申请日：2007-02-26

申请人： 柯尼卡美能达控股株式会社

发明人： 浦木信吾 ,  铃木良 ,  鹤见敬章

IPC分类号： C04B35/00 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/80

摘要： 本发明提供一种添加两种以上金属元素而得到的压电特性优异的压电陶瓷组合物，该压电陶瓷组合物含有主成分和副成分，其中，主成分以通式{LiX(K1-YNaY)1-X}(Nb1-Z-WTaZSbW)O3(0≤X≤0.2，0≤Y≤1，0＜Z≤0.4，0＜W≤0.2)表示，副成分以通式ABO3(A、B分别是+3价的金属元素、或者平均为+3价的两种以上的金属元素的组合，ABO3是具有钙钛矿结构的化合物)表示。

公开(公告)号：CN102239124A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148636.8

申请日：2009-12-18

申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司

发明人： J·P·佛卡德 ,  O·赛特

IPC分类号： C03B37/08 ,  C03B37/00 ,  C03B37/02

CPC分类号： C03B37/095 ,  C03B37/08 ,  C03B37/083 ,  C04B35/12 ,  C04B35/457 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3265 ,  C04B2235/327 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9669

摘要： 一种耐火物品，该物品包括一种套管块，该套管块具有一个本体，该本体包括一个开口，该开口延伸穿过该本体，其中该套管块是由一种组合物形成的，该组合物包括一种主要组分，该主要组分包括氧化锡。用于形成该套管块本体的组合物可以进一步包括至少一种添加剂，该添加剂选自下组的添加剂，该组由以下各项组成：腐蚀抑制剂、烧结助剂、以及改变电阻率的物种、或它们的组合。

公开(公告)号：CN101272998B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200580051305.4

申请日：2005-08-11

申请人： 日立金属株式会社

发明人： 岛田武司 ,  松本啓 ,  寺尾公一 ,  田路和也 ,  西川和裕

IPC分类号： C04B35/468

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6585 ,  H01G4/1227

摘要： 本发明提供一种半导体瓷器组成物，在BaTiO3半导体瓷器组成物中，不使用Pb，可以将居里温度改变为正向，以及可以显著地减小室温下的电阻率。根据本发明，当Ba被Al元素(Na、K和Li的至少一种)和A2元素(Bi)部分替代，以及Ba进一步被特定数量的Q元素代替时，或当Ba被Al元素(Na、K和Li的至少一种)和A2元素(Bi)代替以及Ti被特定数量的M元素部分地代替时，可以应用最佳化合价控制，由此可以显著地减小室温下的电阻率。由此，它对于PTC热敏电阻、PTC加热器、PTC开关、温度检测器等中的应用是最佳的，特别优选用于车辆加热器。

公开(公告)号：CN101137596B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200680007220.0

申请日：2006-03-07

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 小泉贵昭 ,  山口浩文 ,  田中立

IPC分类号： C04B35/00 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

CPC分类号： C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/43

摘要： 本发明提供至少含有Nb、Ta和一种以上的碱金属元素的压电/电致伸缩陶瓷组合物，并且Nb、Ta和碱金属元素的比例(摩尔比)用非化学计量组分比表示的。本发明的压电/电致伸缩陶瓷组合物即使在与以往相比的低温条件下煅烧，也具有致密性，同时具有优良的结晶性，并且能够得到显示优良压电/电致伸缩特性的压电/电致伸缩元件。

公开(公告)号：CN1835897B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200480023100.0

申请日：2004-08-30

申请人： 圣戈班欧洲设计研究中心

发明人： R·奥韦迪基安 ,  Y·布桑-鲁 ,  J·吉戈尼

IPC分类号： C04B35/106 ,  C04B35/109 ,  C04B35/119 ,  C04B35/18 ,  C04B35/19 ,  C04B35/10

CPC分类号： C04B35/106 ,  C03B5/43 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/9669 ,  Y02P40/57

摘要： 本发明涉及一种用于生产烧结耐火产品的坯件，它具有以无机氧化物为基准的重量百分数表示的下述平均无机化学组成：40％≤Al2O3≤94％；0％≤ZrO2≤41％；2％≤SiO2≤22％；1％＜Y2O3+V2O5+TiO2+Sb2O3+Yb2O3+Na2O。

公开(公告)号：CN101593807B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910142023.5

申请日：2009-05-27

申请人： 株式会社电装 ,  株式会社日本自动车部品综合研究所

发明人： 长屋年厚 ,  野田耕嗣 ,  池田正俊 ,  中村雅也 ,  柴田大辅

IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/047 ,  H01L41/24

CPC分类号： H01L41/273 ,  C01G35/006 ,  C01P2004/20 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/0833 ,  H01L41/1873 ,  Y10T29/42

摘要： 公开了一种多层压电元件以及制备所述多层压电元件的方法。所述多层压电元件由交替层合的压电陶瓷层和电极形成层形成。所述压电陶瓷层由作为多晶材料的晶体取向陶瓷形成。所述晶体取向陶瓷主要由各向同性钙钛矿型化合物形成，其中，形成所述多晶材料的每个晶粒的特定{100}晶面是取向的。所述电极形成层具有电极部分，所述电极部分形成包含导电金属的内部电极。所述各向同性钙钛矿型化合物由通式(1)表示：[Agh{Lix(K1-yNay)1-x}1-h]j(Nb1-z-wTazSbw)O3-k……(1)，其中，0≤x≤0.2，0≤y≤1，0≤z≤0.4，0≤w≤0.2，x+z+w＞0，0＜h≤0.05，0.94≤j≤1，并且0≤k≤0.5。

公开(公告)号：CN101910088A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122787.1

申请日：2008-12-24

申请人： 日立金属株式会社

发明人： 岛田武司

IPC分类号： C04B35/46 ,  H01C7/02

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  H01C7/025

摘要： 本发明提供一种包括BaTiO3的半导体陶瓷组合物，其中BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替。该半导体陶瓷组合物能够实现跃变特性的任意控制，同时保持低的室温电阻率。该半导体陶瓷组合物包括BaTiO3，其中BaTiO3的一部分Ba用Bi-Na代替，该组合物在晶粒边界处具有P型半导体。在此情况下，并且通过改变P型半导体的存在率，例如通过改变煅烧条件、添加剂的添加量、烧结条件等等来改变P型半导体的存在率，从而任意地控制室温电阻率，同时保持高的跃变特性。