一种飞机氙气放电灯内部环境气体处理工艺

    公开(公告)号:CN102610469A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210105002.8

    申请日:2012-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种飞机氙气放电灯内部环境气体处理工艺,其包括下述步骤:步骤1:将待内部环境气体处理的飞机氙气放电灯放置在300摄氏度的条件下烘烤2小时;步骤2:降低温度,当温度下降到100摄氏度时,不再烘烤;步骤3:将所述飞机氙气放电灯的灯泡内的空气经由所述灯泡的排气管抽出,当所述灯泡内真空度低于10-3pa时,不再抽气,同时经由所述排气管在所述灯泡内充入纯度不低于99.99%的氮气;步骤4:将所述排气管割断,且密封连接于所述飞机氙气放电灯的排气管的头部,所述飞机氙气放电灯内部环境气体处理工艺结束。本发明具有以下优点:采用该排气工艺的氙气放电灯内部杂质气体非常少,保证了产品可靠工作。

    共晶芯片组件的烧结方法
    124.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107731695B

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201711076799.2

    申请日:2017-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法,所述烧结方法包括:初步安装:在工件的腔体内涂覆助焊剂,之后将多个焊料片放置在腔体内,在每个焊料片表面涂覆助焊剂,将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面,形成预装组件;烧结处理:将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理;解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长,合金焊料易氧化,最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。

    一种用于行波管蒙耐尔环的高频能量吸收涂层及其制备工艺

    公开(公告)号:CN109104852A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201811068103.6

    申请日:2018-09-13

    Inventor: 周恩荣 俞畅 张丽

    Abstract: 本发明提供了一种用于行波管蒙耐尔环的高频能量吸收涂层及其制备工艺,所述吸收涂层由中间层和吸收层两部分组成,所述中间层和吸收层分别由中间层膏剂和吸收层膏剂经过涂覆、烧结而成;中间膏剂粉料由羰基铁粉和镍粉组成,膏剂组成为:粉料:粘接剂=1:2;所述吸收膏剂粉料包含铁硅铝粉和羰基铁粉,膏剂组成为:粉料:粘接剂=2:3。制备工艺包括粉料配制、膏剂配制、膏剂涂覆、烧结等步骤。与现有技术相比,本发明烧结后的吸收涂层与蒙乃尔环结合很牢固,具有高温下性能稳定和吸收高频、抑制振荡的特点,非常适合用于微波真空器件作铁磁性微波吸收涂层。

    一种信号源模块功率放大器的制作工艺

    公开(公告)号:CN108966625A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810614665.X

    申请日:2018-06-14

    Abstract: 本发明揭示了一种信号源模块功率放大器的加工制作工艺制作过程主要包括:1、制作共晶组件;2、将表贴元器件烧结到电路板上;3、将电路板、绝缘子、共晶后的组件烧结到腔体上;4、金丝键合;5、测试、调试、封盖、打标。经过严格的环境试验(老练、振动、高低温、电磁兼容等)完全达到了技术指标要求。交付用户使用且产品随整机长期稳定、可靠工作。制作此信号源模块功率放大器的工艺流程简便、科学,提高了产品的合格率,提高了车间生产的效率,节约了项目成本,适合小批量。

    一种大口径高分辨率电子枪

    公开(公告)号:CN106601576B

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201611214368.3

    申请日:2016-12-26

    Inventor: 沈旭东 张丽

    Abstract: 本发明公开了一种大口径高分辨率电子枪,该电子枪包括发射系统、预透镜系统、主透镜系统,所述发射系统、预透镜系统、主透镜系统依次连接,所述主透镜系统设有用于截获电子束边缘的电子的限流膜片,所述预透镜系统与主透镜系统通过零件配合焊接在一起。所述主透镜系统包括聚焦极、阳极组成;聚焦极、阳极通过玻封焊与玻璃芯杆焊接在一起,聚焦极、阳极的轴线与发射系统、预透镜系统同一轴线。通过扩大聚焦极和阳极孔径,在聚焦极上增加限流膜孔,达到减小像差和提高分辨率的目的。

    L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法

    公开(公告)号:CN107612509A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710777762.6

    申请日:2017-09-01

    Abstract: 本发明涉及微波模块制作加工工艺的技术领域,公开了一种L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法,该加工方法包括:步骤1,将裸芯片共晶至钼铜载体上进行备用得到A;步骤2,将绝缘子和电路板烧结到壳体上得到B;步骤3,将元器件烧结到电路板上得到C;步骤4,在相应位置金丝键合D;步骤5,逐步进行调试、测试、封盖和打标,得到L波段120瓦小型化高功率放大器。该L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法能够实现输出功率高、增益高、能量转化效率高而且轻量化体积小。

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