-
公开(公告)号：CN102163606B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110029132.3
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能，且所述芯片可以多次重复使用。
-
公开(公告)号：CN102515089A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110433579.7
申请日：2011-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。
-
公开(公告)号：CN102289148A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110247840.4
申请日：2011-08-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种植入式微针尖电极及其制作方法，涉及微电子机械系统和植入式微电极技术领域，所述方法包括以下步骤：A：在镀有铝膜(1)的硅片(2)上制作聚对二甲苯-金属合金-聚对二甲苯结构的金属电极层，包括：刺激点(3)、互连线(4)和引线接点(5)；B：通过光刻、电镀制作金属镍或镍合金机械支撑层，包括金属镍或镍合金微针尖(6)和引线接点底座支撑体(7)；C：湿法腐蚀铝膜牺牲层，正面键合干膜(8)，背面氧等离子体刻蚀，直至暴露出刺激点和引线接点；D：湿法腐蚀所述干膜，并用去离子水清洗，得到微针尖电极。本发明具有机械性能高、生物兼容性好、植入方便、对组织损伤轻微、尺寸精确可控、灵敏度高、可靠性高的特点。
-
公开(公告)号：CN102206581A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110076327.3
申请日：2011-03-28
CPC classification number: C12M35/02
Abstract: 一种细胞电融合芯片，可以准确高效的完成细胞一对一电融合，可在生物医学工程领域的科研中应用。本细胞电融合芯片包括的细胞融合室，室中排有许多细胞通道单元。其中，每个单元由平行的两个单细胞通道组成，每个通道分别通过不同的细胞。两个通道中间的隔断上每隔一定距离有一个微孔道，细胞可以通过微孔道接触，但是不能通过。在交流电的作用下，隔断两侧的细胞相互靠近，通过微孔道接触；随后在直流电作用下发生融合。本发明可大大提高异种细胞配对和融合的概率，操作简单，一次可完成大量细胞融合。
-
公开(公告)号：CN102175932A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110028955.4
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体环境的电荷测试方法和测试系统。该测试系统包括一个采用MEMS与CMOS集成制作的芯片和测试电路，所述芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，通过测试电路测量应变电阻的变化。进行电荷测试时先对积累电荷初步测试，然后泄放电荷再次测量，从而排除干扰项仅保留电荷的影响，计算出电荷积累量。本发明采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102175840A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201010614438.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: G01N33/48
Abstract: 本发明公开了一种全血离心分离芯片，属于微机电系统领域。本发明在芯片上设有涡旋式微流体通道，该微流体通道绕行的中心处为进样口，在微流体通道内设有至少一排的微立柱栅栏，微立柱栅栏将微流体通道分成两个或多个流道，流道连接不同的出样口。本发明利用微泵将全血样品注入离心分离芯片后，通过微立柱栅栏间的缝隙将细胞与血浆分离。本发明结构紧凑，芯片的总面积减小，分离效率提高，且该芯片的分离过程耗时短。
-
公开(公告)号：CN102163606A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110029132.3
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能，且所述芯片可以多次重复使用。
-
公开(公告)号：CN101357825B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000-1400W；承片台功率为300-400W；反应室压力为2-4mT；C4F8流量为10-20sccm；H2流量为4-8sccm；He流量为150-200sccm。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
-
公开(公告)号：CN101357825A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1400W；承片台功率为300－400W；反应室压力为2－4mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
-
公开(公告)号：CN1648634A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410039025.9
申请日：2004-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本发明涉及一种微结构键合工艺结果的检测方法及用于该方法的检测结构。先设计包含微结构的硅结构版图；采用键合工艺方法制备微结构，硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接，硅结构至少有一端与键合面保有距离，并记录键合面积；用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构，使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂，并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数；根据所记录的上述数据，实现键合强度的检测。将复杂的MEMS器件检测技术，用简单的方法完成，解决了目前MEMS技术中微结构键合强度检测的难题，能满足多种MEMS器件加工时键合强度检测的需求。可应用于MEMS加工工艺技术领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
306
records
(took 0.037 seconds)
