公开(公告)号：CN105088179A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510532604.5

申请日：2015-08-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  戴家赟 ,  王刚 ,  郑晓虎 ,  薛忠营 ,  汪子文 ,  张苗

IPC: C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge-H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并往所述生长腔室内通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯；提供一键合基底，将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述键合基底键合，得到键合片；微波处理所述键合片，以使所述Ge-H键断裂，生成氢气，使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离，转移至所述键合基底表面。本发明可将石墨烯轻松转移至多种衬底上，无需经过湿法反应过程，减少了缺陷的引入，且能够最大程度保留了石墨烯的完整性，特别有利于大尺寸石墨烯的转移。锗催化衬底可重复利用，有利于节省材料，更为环保。

公开(公告)号：CN103165408B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110418819.6

申请日：2011-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 薛忠营 ,  张苗 ,  狄增峰 ,  魏星 ,  陈达

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明提供一种嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Ge组分为y的Si1-yGey层，且y≠x，形成Si1-xGex/Si1-yGey双层薄膜，然后多次重复外延所述Si1-xGex/Si1-yGey双层薄膜，以在所述Si衬底上制备出超晶格，接着在所述超晶格上外延一Ge组分为z的Si1-zGez层并使所述Si1-zGez层弛豫以形成弛豫Si1-zGez层，由所述超晶格和弛豫Si1-zGez层构成虚衬底，最后在所述弛豫Si1-zGez层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。

公开(公告)号：CN103265021B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310207387.3

申请日：2013-05-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  王刚 ,  丁古巧 ,  张苗 ,  陈达 ,  马骏 ,  陆子同 ,  谢晓明

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明提供一种层数可控石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：1）提供一Cu衬底，在所述Cu衬底上形成一Ni层；2）采用离子注入法在所述Ni层中注入C；3）对步骤2）形成的结构进行退火处理使得所述Cu衬底中的部分Cu进入所述Ni层中形成Ni-Cu合金，而Ni层中注入的C被进入所述Ni层中的Cu从Ni层中挤出，在所述Ni-Cu合金表面重构形成石墨烯。本发明获得的石墨烯薄膜具有质量好、大尺寸且层数可控的优势，且易于转移。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺，本发明的层数可控石墨烯的生长方法将能更快地推动石墨烯在半导体工业界的广泛应用。

公开(公告)号：CN104934294A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410100517.8

申请日：2014-03-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  孙高迪 ,  陈达 ,  郭庆磊 ,  母志强 ,  董林玺 ,  张苗

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上应变薄膜结构，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的埋氧层及形成于所述埋氧层上的顶层应变半导体层；所述顶层应变半导体层中形成有预设图形微结构；所述微结构包括一主体及分布于所述主体边缘的至少两条桥线；所述微结构下方的埋氧层被挖空，所述微结构处于悬空状态；所述桥线处于拉伸状态。本发明通过图形化在绝缘体上应变半导体层中形成预设图形微结构，并通过腐蚀去除微结构下方的埋氧层，使得微结构悬空，得到了悬浮条件下顶层应变半导体层的应力分布，从而改变顶层半导体层中微结构本身的固有应力，实现应力的调控。通过切断微结构的部分桥线，可以进一步增加应力，制备得到高质量、大应力的纳米应变薄膜。

公开(公告)号：CN102842495B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210376802.3

申请日：2012-09-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  母志强 ,  薛忠营 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  王曦

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。

公开(公告)号：CN103021848B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110279693.9

申请日：2011-09-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卞剑涛 ,  薛忠营 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7391

Abstract: 本发明提供一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，在SiGe或Ge区制作器件的源区，Si区制作器件的漏区，获得高ON电流的同时保证了低OFF电流，采用局部锗氧化浓缩技术实现局部高锗组份的SGOI或GOI，在局部高锗组份的SGOI或GOI中，锗组份从50%~100%可控，并且，薄膜厚度可控制在5~20nm，易于器件工艺实现。SiGe或Ge与Si在氧化浓缩过程中，它们之间形成了一个锗组份渐变的锗硅异质结结构，消除缺陷的产生。本发明的制备方法工艺简单，与CMOS工艺兼容，适用于大规模的工业生产。

公开(公告)号：CN104425341A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310382838.7

申请日：2013-08-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  王刚 ,  叶林 ,  母志强

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法，包括步骤：1）于第一衬底表面外延一掺杂的单晶薄膜；2）外延一顶层半导体材料；3）沉积绝缘层；4）从所述绝缘层表面将剥离离子注入至所述单晶薄膜下方的第一衬底预设深度的位置；5）提供第二衬底，并键合所述第二衬底及所述绝缘层；6）进行退火处理，使所述单晶薄膜吸附所述剥离离子，最终使所述第一衬底与所述顶层半导体材料从该单晶薄膜处分离。本发明通过控制超薄单晶薄膜的离子掺杂控制其对注入离子的吸附作用，可以采用非常低的剂量注入便可实现智能剥离，而且剥离裂纹发生在超薄层处，裂纹很小，可获得高质量的绝缘体上半导体材料。

公开(公告)号：CN102737963B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201210254017.0

申请日：2012-07-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  母志强 ,  薛忠营 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  王曦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法，先在Si衬底上外延至少一个周期的SixGe1-x/Si（0≤x

公开(公告)号：CN104241116A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410404017.3

申请日：2014-08-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 许宝建 ,  蔡奇 ,  金庆辉 ,  赵建龙 ,  叶林 ,  狄增峰

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02236

Abstract: 本发明涉及一种锗材料表面稳定钝化的方法，包括：采用不同试剂对锗片表面进行清洗，有效除去锗表面污物以及表层氧化层，实现锗表面的初步氯化；然后采用乙醇和水的混合液配制硫醇试剂，采用适当加热的钝化条件在锗表面得到自组装膜。本发明具有操作简单、使用方便、成本低廉、钝化效果明显等优点。

公开(公告)号：CN103985788A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410217764.6

申请日：2014-05-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  母志强 ,  郭庆磊 ,  叶林 ,  陈达 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/08 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1085

Abstract: 本发明提供一种张应变锗光电探测器及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上依次形成牺牲层及锗层；S2：在所述锗层上形成一金属层，所述金属层对所述锗层提供应力；S3：将所述金属层图形化，形成一对金属主基座及一对金属次基座；S4：将所述锗层图形化以在所述金属主基座及金属次基座下分别形成锗主基座及锗次基座，并在每一对锗次基座之间形成至少一条锗桥线；S5：腐蚀掉所述锗桥线下方及所述锗次基座下方的牺牲层，以使所述锗桥线及所述锗次基座悬空，该悬空的锗次基座在所述金属层的应力作用下卷曲使所述锗桥线拉伸，得到张应变锗MSM光电探测器。本发明可提高MSM光电探测器的光电探测性能。