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公开(公告)号：CN214586257U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202120675700.6
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种90°光混频器，该90°光混频器包括Si3N4MMI耦合器，该Si3N4MMI耦合器使用氮化硅作为波导的芯层材料，二氧化硅作为波导的包层材料，基于氮化硅材料制成的Si3N4MMI耦合器制作工艺简单，与集成器件、CMOS工艺兼容。该Si3N4MMI耦合器的四个输出波导输出的光功率保持一致，且四个输出波导输出光束的相位误差在‑5°～5°范围内，四个输出波导的总透射率大于0.9时，对应的带宽为68nm，覆盖了波长范围在1530nm‑1565nm之间的C波段，具有较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN213814025U
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202022882904.5
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本实用新型提供一种硅基集成量子芯片，将超导纳米线集成在硅波导的上方，使得超导纳米线与硅波导通过氧化硅覆盖层形成倏逝波耦合，可实现波导耦合的片上单光子探测；通过位于超导纳米线与硅波导之间的氧化硅覆盖层，可实现较高的倏逝波吸收率，且氧化硅覆盖层在生长超导纳米线时可充当掩膜，避免损伤硅波导，以降低硅波导的损耗；具有较小的表面粗糙度的氧化硅覆盖层可确保超导纳米线的平整性，以减小暗计数，提高量子性能；多通道的硅基集成量子芯片可提集成度。本实用新型的硅基集成量子芯片可实现集成化、规模化，并可靠保持高保真度的单光子信号的处理能力。
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公开(公告)号：CN209433059U
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201822059191.5
申请日：2018-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪，包括：第一模式转换器；第二模式转换器，位于第一模式转换器的一侧，且与第一模式转换器具有间距；连接臂，位于第一模式转换器与第二模式转换器之间，一端与第一模式转换器相连接，另一端与第二模式转换器相连接；连接臂包括直波导连接臂。本实用新型的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪通过设置所述连接臂的宽度及厚度等参数可以实现对温度不敏感。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206931836U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720132168.7
申请日：2017-02-14
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
Abstract: 本实用新型提供一种硅基单片集成激光器，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III-V族材料，控制Ge厚度和III-V族材料的厚度，使得III-V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本实用新型利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III-V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III-V族材料的厚度，实现III-V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III-V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III-V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本实用新型可提高激光器的热扩散性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204302526U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420845051.X
申请日：2014-12-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/126
Abstract: 本实用新型提供一种偏振分束旋转器，所述偏振分束旋转器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和非对称Y分支波导；双刻蚀波导包括一端与所述单模输入波导尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，第一刻蚀区的高度大于第二刻蚀区的高度；非对称Y分支波导包括根波导、第一分支波导和第二分支波导，根波导与第一刻蚀区的尾端相连，第一Y分支波导的宽度大于第二Y分支波导的宽度。由于双刻蚀波导的模式转换和非对称Y分支波导的模式分配是宽带的，本实用新型提供的偏振分束旋转器中利用了这两个基本结构的宽带特性，解决传统偏振分束旋转器带宽较窄的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204155032U
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201420660874.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本实用新型的技术方案中，在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结，在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区，弥补解决离子注入对准误差的问题，并且提高了硅基光调制器的调制效率。
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公开(公告)号：CN219642035U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202320448550.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种基于相变材料的非对称MMI功率分配器，包括由下至上设置的硅衬底、二氧化硅层和硅波导层，所述硅波导层一侧连接一根条形波导作为输入，另一侧连接若干根条形波导作为输出；所述硅波导层划分为若干纳米像素点型结构，所述纳米像素点型结构内设有填充区域，每个所述填充区域内填充的材料为硅、二氧化硅和相变材料中的一种。本实用新型能够在不增加器件面积的情况下实现分光比的片上调节。
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公开(公告)号：CN215575764U
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202120882537.0
申请日：2021-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种基于氮化硅光子晶体的光分路器，该光分路器包括：自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层；氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导，两端分别形成有光栅发射器；二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿氮化硅波导层长度方向呈周期性排布的圆形凹槽及中间部分氮化硅波导层；光栅发射器为半圆环形的同心环绕光栅且具有两个半圆环形镂空孔。采用氮化硅材料可应用的带宽大，且两个半圆环形镂空孔设计的氮化硅光栅光学损耗小，光出射效率高；另外，光分束器可实现对片外光波的收集同时对光波传输、分光形成片外出射光。
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公开(公告)号：CN213814027U
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202023007346.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/125
Abstract: 本实用新型涉及一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪，包括输入Y分支波导和输出Y分支波导，所述输入Y分支波导和输出Y分支波导的结构相同，所述输入Y分支波导的第一输出端通过第一直波导与输出Y分支波导的第一输入端相连；所述输入Y分支波导的第二输出端与第一弯曲波导的一端相连，所述输出Y分支波导的第二输入端与第二弯曲波导的一端相连，所述第一弯曲波导的另一端与所述第二弯曲波导的另一端通过所述第二直波导相连；所述第一弯曲波导与第二弯曲波导结构相同，并沿着第二直波导的中线对称。本实用新型能够使得波导长度在10μm到40μm变化时具有稳定的传输效率。
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公开(公告)号：CN213659007U
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202022843058.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种任意分光比的光功率分束器，包括衬底，所述衬底上设有下包层，所述下包层上设有芯层，所述芯层包括输入波导、中心锥形波导、上倒锥形波导、下倒锥形波导、上输出波导和下输出波导，所述输入波导的输出端与所述中心锥形波导的输入端相连，所述上倒锥形波导的输出端与上输出波导的输入端相连，所述下倒锥形波导的输出端与下输出波导的输入端相连；所述中心锥形波导、上倒锥形波导和下倒锥形波导组成交叉耦合区域，光束从中心锥形波导进入交叉耦合区域后与上倒锥形波导和下倒锥形波导分别耦合实现功率分束。本实用新型具有工艺误差兼容，工艺简单、设计方便、损耗低等优点。
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