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公开(公告)号：CN103137539B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110383801.7
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插入一层金属硅化物CoSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN105097846A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510532092.2
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法，所述CMOS器件包括：PMOS器件，包括硅衬底、埋氧层、应变硅层、SiGe层以及应变硅盖帽层，形成于所述SiGe层中的SiGe沟道、形成于所述SiGe层及应变硅盖帽层中且分别位于SiGe沟道两侧的P型源区及P型漏区，以及形成于所述应变硅盖帽层表面且与SiGe沟道对应的栅极结构；NMOS器件，包括形成于所述sSOI衬底的应变硅层中的sSi沟道、N型源区及N型漏区，所述N型源区及N型漏区分别位于所述sSi沟道两侧，以及形成于所述sSi沟道表面的栅极结构。本发明CMOS器件具有速度快、大驱动电流、低功耗、高集成度等优点，在集成电路领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104730111A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510141251.6
申请日：2015-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明提供一种基于Si/SiGe/Si量子阱MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一Si/SiGe/SOI衬底；2）于所述Si/SiGe/SOI衬底表面制作出器件区域；3）于Si/SiGe/Si顶层两侧中注入P型离子，形成P+源区及P+漏区；4）于所述Si/SiGe/SOI衬底表面形成介质层；5）于与所述P+源区及P+漏区对应的介质层中形成金属接触开孔，并制作金属接触电极；6）制作电极保护层，并露出栅极传感区域；7）制作背栅；8）对栅极传感区域表面进行表面活化修饰。本发明采用高迁移率材料的SiGe材料作为沟道，且Si/SiGe/Si的量子阱的结构，在同样工艺下将得到更高信噪比的信息，从而与常规硅器件相比具有更高的灵敏度，可以对生物分子进行高灵敏的检测。
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公开(公告)号：CN103558280A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310574815.6
申请日：2013-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述生物传感器的制备方法至少包括步骤：首先，制备一隧穿场效应晶体管作为转换器；然后采用表面修饰剂对所述隧穿场效应晶体管中的沟道表面进行活化修饰；制备隧穿场效应管的具体步骤包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、埋氧层和底层硅；在所述顶层硅表面形成栅介质层；采用离子注入工艺对所述栅介质层两侧的顶层硅进行离子注入，形成源极和漏极，所述栅介质层下未进行离子注入的顶层硅定义为沟道；在所述底层硅的背面形成背栅。本发明的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。
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公开(公告)号：CN103137539A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110383801.7
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插入一层金属硅化物CoSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103137538A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110383797.4
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN119764238A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411762103.1
申请日：2024-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种半导体薄膜的转移方法，通过对形成的临时键合衬底的两个表面分别施加不同数值的温度源，使临时键合衬底沿垂直于临时键合衬底表面的方向形成较大的温度梯度，从而在临时键合衬底的内部产生较强的热应力，即复合多孔结构层将承受较强的热应力，且由于复合多孔结构层中的第一多孔层的孔隙率大于第二多孔层，从而使得第一多孔层的导热能力较差以及机械强度较小，更容易在第一多孔层处发生横向裂解，使临时键合衬底发生裂解，该转移方法对材料的种类没有特殊要求，具备较强的普适性，从而能够降低制造成本，且相较于离子剥离法，该转移方法还可以有效改善半导体薄膜转移过程中产生的热应力失配，能够实现半导体薄膜的高质量转移。
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公开(公告)号：CN119361528A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411469826.2
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H10D62/10
Abstract: 本发明提供一种包含中间半导体层的SOI衬底及其制备方法，包括：于半导体层和第二基底中的一者上依次形成第一绝缘层和非晶半导体材料层，另一者上形成第二绝缘层；以第一绝缘层、非晶半导体材料层和第二绝缘层夹在第一基底和第二基底之间的方式，形成初始键合结构；通过将第一基底远离非晶半导体材料层的一部分移除，将半导体层转移至第二基底上；对初始键合结构进行加固处理，以及使非晶半导体材料层发生重结晶并转变为多晶态，构成中间半导体层。本发明的制备方法中，通过于衬底层与顶功能层之间引入非晶半导体材料层，相对于多晶半导体层，易于抛光，能够优化表面粗糙度，进而降低键合界面的抛光难度，有利于提升键合质量以及SOI衬底的加工质量。
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公开(公告)号：CN119286402A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411299454.3
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于硅晶圆抛光的化学机械抛光液及其制备方法和应用，组分包括同时含吗啉环和胺基侧链的水溶性小分子。本发明通过在抛光液中加入同时含吗啉环和胺基侧链的水溶性小分子，在显著提高硅晶圆抛光速率的前提下，有效改善了硅晶圆表面平坦度，既满足了生产中对硅晶圆平坦化的需要又保证硅晶圆加工效率。
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公开(公告)号：CN118783917A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410910597.7
申请日：2024-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种谐振器，包括衬底，所述衬底上形成有二氧化硅层，由所述二氧化硅层向上依次形成有若干压电单元，顶层所述压电单元上设有顶电极；每个所述压电单元包括中间电极和置于所述中间电极之上的压电薄膜，通过将不同所述压电单元的中间电极作为底电极，并在所述顶电极和所述底电极之间施加交流电信号来使谐振器工作在不同频率。本发明能够实现BAW谐振器的高阶谐振以及不同工作频率的调控。
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