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公开(公告)号：CN112098768A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910461940.3
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅光芯片的测试方法及设备，其将硅光晶圆固定在柔性膜上后对所述硅光晶圆进行切割，切割后得到的硅光芯片的相对位置不发生变化，再将硅光芯片及柔性膜整体移动至测试设备处进行测试，不需要多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的相对位置。本发明硅光芯片的测试方法省略了测试前多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的步骤，测试时间大大缩短，测试效率大大提高。
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公开(公告)号：CN111755948A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910242775.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法。所述具有脊波导结构的GePb激光器，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：下接触层，位于所述硅衬底表面；有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；上接触层，位于所述有源层表面。本发明有效提高了激光器的发射效率。
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公开(公告)号：CN111755553A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910242772.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法。所述铅掺杂型锗红外光电探测器包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、锗吸收层和上接触层；所述锗吸收层中掺杂有铅元素，以扩展锗红外光电探测器的探测范围。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收，提高了红外光电探测器的探测范围和探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN111751926A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910243172.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及集成光子器件领域，尤其涉及一种用于相控阵发射阵列的波导光栅天线及其形成方法。所述用于相控阵发射阵列的波导光栅天线，包括：衬底；第一波导层，位于所述衬底表面；第二波导层，沿垂直于所述衬底的方向设置于所述第一波导层上方，且所述第二波导层中具有光栅结构；所述第一波导层与所述第二波导层之间能够进行倏逝波耦合，有利于控制光栅的长度以增大相控阵列的分辨率，提高了垂直方向的非对称性，从而提高波导光栅天线的方向性。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光的发射效率以及相控阵列的探测距离，有助于需要高功率输出器件的实现。
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公开(公告)号：CN111326533A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811533861.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种波导集成型光电探测器及其制作方法，该探测器包括光电探测器及光循环结构，光循环结构包括n个模式转换反向器，模式转换反向器包括TEi-TEj非对称定向耦合器、反向器及TEj-TEi+1非对称定向耦合器，用于实现TEi-TEi+1模式光之间的转换及光的反向，通过引入n个模式转换反向器，可以实现光的n+1次循环利用。在光经过n+1次循环后，通过引入TEn-TEk非对称定向耦合器及环形反向器实现TEn模式光的反向，TEn光再次进入探测器，进而再次通过n个模式转换反向器，再次实现光的n次循环。本发明能够实现更高效的光吸收效率，有效减小探测器长度，减小器件尺寸，更容易实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器的制备，且光学带宽大，对波导尺寸、温度不敏感，工艺容差大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111290077A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811484632.4
申请日：2018-12-06
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种双层隔离层的SOI衬底，所述SOI衬底包括：衬底硅层；第一隔离层，位于所述衬底硅层之上，所述第一隔离层具有第一折射率；第二隔离层，位于所述第一隔离层之上，所述第二隔离层具有第二折射率；以及顶层硅层，位于所述第二隔离层之上；其中，所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明的SOI衬底可用于制作硅光子器件，如在所有硅光子器件中都需要使用波导与光纤相互耦合的模斑转换器，可以使得模斑转换器具有低耦合损耗、大波长带宽、偏振不敏感、耦合容差大、便于与光纤封装等优点，在光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111211181A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811379149.X
申请日：2018-11-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种波导型光电探测器及其制造方法，该波导型光电探测器包括：位于衬底表面的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层表面的下接触层；位于所述下接触层表面的光电转换层，所述光电转换层的材料包含锗(Ge)；位于所述光电转换层表面的上接触层；以及形成于所述第一绝缘层上方的氮化硅波导，所述氮化硅波导在平行于所述衬底表面的横向上延伸，并且，在所述横向上，所述氮化硅波导的一个端部与所述光电转换层连接，所述氮化硅波导传递的光入射到所述光电转换层，并在所述光电转换层中生成光电流。根据本实施例，由SiN形成波导，因此，能提高光的传输效率；并且，SiN波导与光电转换层端面耦合，能提高光探测效率。
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公开(公告)号：CN110828603A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810924656.0
申请日：2018-08-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法。所述基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底表面的集电极区、吸收层、基极区和发射极区；所述吸收层与所述基极区采用Ge1-xSnx材料构成，其中，0
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公开(公告)号：CN110729373A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810776256.X
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种基于Ge波导的GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述基于Ge波导的GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底上的锗波导层和器件结构；所述器件结构，连接所述锗波导层，包括由Ge1-xSnx材料构成的吸收层，其中，0
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公开(公告)号：CN214586291U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202121168608.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种硅基电光调制器的光波导掺杂结构，包括：光波导脊及位于光波导脊两侧的第一导电类型平板区及第二导电类型平板区，光波导脊包括与第一导电类型平板区相连的第一导电类型掺杂区及与第二导电类型平板区相连的第二导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区的界面形成PN结，第一导电类型掺杂区为呈多个自第一导电类型平板区朝第二导电类型平板区凸起的掺杂结构，多个掺杂结构呈周期分布。本实用新型利用新型的光波导掺杂方式，可以提高PN结长度，增大光场与PN结接触面积，使得在一定波导长度下，PN结总长度明显增加，可以有效提高调制器的调制效率，从而缩短调制器尺寸，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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