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公开(公告)号：CN113281301B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110523208.1
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/3206
Abstract: 本发明公开一种圆环‑矩形谐振腔结构的折射率、温度传感器，其传感器由圆环‑矩形复合形成的谐振腔以及在侧面耦合具有金属壁的金属‑绝缘体‑金属(MIM)波导组成。当入射光在波导中传输并耦合到谐振腔时，当满足共振条件时，可以产生Fano共振，在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。研究了该传感器的传输特性和传感特性，通过优化结构的几何参数，可以得到其最大的折射率灵敏度(S)为914nm/RIU。此外，在介质中填充乙醇，可实现高灵敏度的温度传感器，其最大灵敏度为0.35nm/℃。经研究该结构具有较高的灵敏度，在促进集成光子器件在纳米级光学传感方面具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN115020052A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210531889.0
申请日：2022-05-16
Applicant: 桂林电子科技大学 , 广东风华高新科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高效氮化钽薄膜电阻及其制备方法，属于电子元件领域。本发明所述制备方法为了提高最终产品的膜层质量，在构建氮化钽薄膜前预先设置一层同位的氧化锌缓冲层，提高了在其上生长的氮化钽薄膜的质量，使其TaN(111)‑(Cub.)相型择优取向，在微观结构上物相结构更加单一，表面晶粒清晰可见，结构致密，成膜质量显著提高；所得产品的电学性能得到了很大提升，进一步降低了电阻温度系数，具有了更高的耐功率性能，兼顾高性能与低成本。本发明还公开了所述制备方法制备的高效氮化钽薄膜电阻及其在制备高功率高散热性电子器件中的应用。
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公开(公告)号：CN111293187B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010112026.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/054 , H01L31/0445 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池，所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层，所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面，所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面，所述吸收层位于所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅之间，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅具有不同侧壁轮廓，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅中的纳米结构按照自组装AAO模板的排列方式，降低成本，提高效率。
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公开(公告)号：CN110888189B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911291223.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微纳集成光学器件技术领域，公开了一种超薄无衬底颜色可调谐的表面等离子体滤波器。所述滤波器结构包括：波导层，缓冲层和矩形金属纳米盘阵列。其中波导层上覆盖有缓冲层，缓冲层上刻蚀有均匀排布的矩形金属纳米盘阵列，矩形金属纳米盘阵列x方向周期为Px，y方向周期为Py。当x与y相等，通过改变x(y)方向周期，可实现对滤出颜色的静态调制，当x与y不相等，可通过改变周期以实现对滤出颜色的静态调制，改变光的偏振以实现对滤出颜色的动态调制。本专利有着体积小，传输效率高，结构设计简单，能够同时实现对颜色的静态调制以及动态调制，可固定TE(TM)偏振滤出颜色，单独调制TM(TE)偏振下滤出的颜色等优点。本发明在未来光电器件集成，超高分辨率成像，LCD液晶显示系统等领域都有重要的应用。
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公开(公告)号：CN113483793A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752350.3
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明提供了一种基于双偏振D型光子晶体光纤双参量SPR传感器。所述传感器具有顶部侧抛平面和底部n型微通道，在侧抛平面上方和n型微通道顶部弧形内壁上均涂覆有金膜和TiO2层。本发明利用偏振控制器来控制产生X偏振或Y偏振，Y偏振与侧抛平面上的金膜产生SPR可检测待测介质折射率，X偏振与n型微通道顶部弧形内壁上的金膜产生SPR可检测磁场强度，从而实现双偏振检测双参量。本发明的优点是：双偏振检测减少各参量间影响，增大各参量检测范围；n型微通道减少磁流体到待测介质距离，增大磁流体体积，提升磁场强度检测灵敏度；TiO2层提升传感器检测灵敏度。该传感器设计新颖，检测范围宽，灵敏度高，抗干扰性强，具有良好传感特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110098120B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910342453.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/308 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双通AAO纳米多孔薄膜，最后在目标基片表面获得纳米结构。本发明是一种大面积转移制备纳米结构的方法，能够实现将超薄AAO阵列纳米结构大面积转移至目标基片，并高精度、低成本、无损伤高均匀性地在目标基片制备出与AAO具有相同特征尺寸的高规整度纳米结构。
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公开(公告)号：CN113253369A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110523559.2
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全介质纳米圆环阵列结构的宽色域结构色滤波器，该结构由介质材料基底层及其上周期结构圆环阵列组成。其中单个周期结构是以一个方形石英衬底上的硅环组成。通过调节本结构的圆环的内环直径以及圆环的高度可以对可见光进行操控，产生宽色域范围的颜色。本滤波器有结构设计简单、易于加工、颜色可靠、较大颜色可调等优点。在未来的超高分辨率打印技术和颜色显示相关领域有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN113233431A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110477748.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明公开了一种二维材料成膜方法，通过超声并静置使所述二维材料膜更加均匀，并通过排液将二维材料膜均匀的、大面积的、无伤的和低成本的转移在所述金属衬底上面。由于所述溶液都是可挥发的溶剂，因此在制备过程中并不会产生其他的杂质污染。利用液相剥离并离心处理得到所述上清液，所述上清液的纳米片层数较少，面积较小，能够增加所述二维材料膜的覆盖性，使边界处能够更好的接触，在液面形成的所述二维材料膜质量更加致密，通过加压压紧所述样片，增加所述二维材料膜的致密性，将压过的样片在所述金属衬底的熔点退火时，二维材料与所述金属衬底之间处于最佳的接触状态，在高温下二维材料的悬挂键被激活，以此来修复晶格缺陷，保证了成膜质量。
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公开(公告)号：CN110165064B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910456855.8
申请日：2019-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，包括依次叠接的阳极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、发光层、电子注入层和金属阴极，所述第一空穴注入层为PEDOT:PSS或者PEDOT:PSS+V2O5复合材料，第二空穴注入层为C3N4薄膜，发光层为TPBi，电子注入层为LiF，金属阴极为Al。本发明的具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，利用V2O5掺杂PEDOT:PSS的复合薄膜PEDOT:PSS+V2O5和二维材料C3N4的各自优点，利用其合适的能级结构有效地构筑具有梯度能级的空穴注入传输体系，从而调节了载流子平衡，器件具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN111327277A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010120589.4
申请日：2020-02-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。
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