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公开(公告)号：CN108303441A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810059761.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/02
Abstract: 一种测定锡及锡合金样品中白锡转变为灰锡比例的方法，属于钎料低温可靠性研究技术领域。所述方法为将样品放置于恒温液体介质中测量初始体积、将样品放置于“相变低温环境”下、改变环境温度或放置时间、取出样品待升温至初始温度、将样品在此放回于恒温液体介质中、测量样品在不同温度或不同放置时间后的体积、绘制体积变化曲线、依据变化曲线监测Sn低温相变过程，如转变起始点、转变比例。本发明的优点是：通过利用Sn相变过程中灰锡与白锡的密度变化，能够有效检测样品中锡瘟的发生及灰锡转变的比例，其区别于现有的相变检测方法，具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN106680314A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611016109.X
申请日：2016-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
CPC classification number: G01N25/72
Abstract: 本发明公开了一种投射式无损检测薄膜层间内部缺陷的红外热像装置及方法，所述装置包括闪光光源、红外热像仪、信号同步装置、被检测件和计算机，信号同步装置分别与闪光光源和计算机连接，红外热像仪分别与计算机和信号同步装置连接，被检测件垂直放置在红外热像仪和闪光光源之间，并与红外热像仪的镜头平行。所述方法利用脉冲加热激励时多层薄膜中有缺陷部分热流受阻、无缺陷部分热流顺利通过造成的表面温度不同的现象识别出缺陷的部位和尺寸。本发明具有快速、无损、实时、检测成本低的特点，将其应用于微电子、微电子机械等信息电子制造领域，可以使制造成本、测试成本大幅降低，质量得以提高，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104006369B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410275018.2
申请日：2014-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: F21V31/00 , F21V17/12 , F21Y115/10
Abstract: 本发明涉及一种水下LED照明灯具防水密封装置，其包括有上壳体、下壳体、上基板、下基板、LED模组、LED驱动电路等，所述LED模组安装在上壳体中上基板和下基板之间，LED驱动电路安装在下壳体中，所述上壳体内上基板和上壳体之间安装有弹性密封垫，所述弹性密封垫内侧设有环形凹槽，环形凹槽中装夹出光片；所述下基板上设有向下凸出的基台，下壳体上设有与该基台相对应的基座，基座内侧向上设有环形凸台；所述下壳体上环形凸台和下基板之间安装有柔性石墨环；所述下基板上基台和下壳体上基座之间安装有柔性石墨圈。本发明结构紧凑，装配简单，加工成本低，各部件受力均匀，密封性能好、可靠性高，并有利于灯具散热。
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公开(公告)号：CN105789070A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610185303.4
申请日：2016-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/80
Abstract: 本发明公开了一种压力可调可用于气体保护下的热压键合夹具，所述夹具包括带有弹簧上压件、弹簧、弹簧下压件、芯片固定件、筒体和锥形销，弹簧上压件具有三级凸台，弹簧下压件具有一级凸台和三级凹槽，弹簧的两端分别套在弹簧上压件的第三级凸台和弹簧下压件的一级凸台上；芯片固定件具有二级凸台和二级凹槽，其第二级凸台卡于弹簧下压件的第三级凹槽内；筒体设置有一对对称螺纹通孔和一对对称通孔，锥形销插于通孔内，筒体的两端分别与弹簧上压件的第一级凸台和芯片固定件的第一级凸台螺纹连接。本发明的夹具能够在施加压力同时为芯片表面提供气相保护氛围或表面处理作用，使得芯片与芯片的热压键合简单易行，并有效提高热压键合的质量。
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公开(公告)号：CN103560095B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310530610.8
申请日：2013-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 热-超声-电磁复合场调控金属间化合物生长实现芯片高可靠立体互连的方法，涉及一种多层堆叠芯片低温快速键合工艺条件下焊点金属间化合物定向生长的新方法。所述方法按照打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→热-磁场-超声→成品的顺序进行超声键合多层堆叠硅通孔芯片。超声能够促进金属原子的扩散，能够加速实现单一种类金属间化合物焊点的形成，将金属间化合物的完整生长时间缩短到几十秒到几分钟。定向的磁场可控制焊点IMCs的晶粒取向，提高焊点的电学可靠性。该方法产生的金属间化合物焊点不但可以承受后封装过程中较高的无铅再流焊温度，还可以解决堆叠芯片互连工艺及材料不兼容等问题，大大提高效率和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103697417B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201410015761.4
申请日：2014-01-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: F21V17/00 , F21V23/00 , F21V29/50 , H05B37/02 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及一种大功率高显色性可调光LED灯，其由上端盖、出光窗口、主壳体、安装在主壳体内的若干侧壁LED模组、镀有半透半反光学薄膜并固定在主壳体中央腔体内的上棱镜台和下棱镜台、下端LED模组和下壳体组成。每一侧壁LED模组包括上、下两个LED，分别为红、绿、蓝三种单色LED中的两种。另一种单色LED安装在下端LED模组的相应位置上。红、绿、蓝三种单色LED发出的光经过上棱镜台和下棱镜台混光。各LED模组均与设有散热片的主壳体或下壳体直接固定连接，散热良好。三组独立的驱动和控制电路分别驱动和调节三种单色LED的发光强度，能根据环境灵活调节出射光中三基色的比例，适应不同场合高显色性要求。
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公开(公告)号：CN104023493A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410274817.8
申请日：2014-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明涉及一种水下电器电线过孔防水密封装置，其电器壳体壁上设有一体化的圆套筒，圆套筒上端部和下端部分别通过螺纹连接有压紧螺母，圆套筒内设有一弹性密封环套，弹性密封环套上下两端面上分别设有一锥形环槽；弹性密封环套与压紧螺母之间分别设有插入式压环，插入式压环上分别设有与锥形环槽相对应的环形插入体，拧紧压紧螺母，压紧螺母压迫插入式压环向弹性密封环套上相对应的锥形环槽移动，弹性密封环套受到挤压产生膨胀变形，外壁与圆套筒内壁紧密贴合，内部电线通孔缩小抱紧电线，实现电线过孔的防水密封。本发明结构紧凑，各部件受力均匀，密封性能好，能在一定范围内适用于不同外径的电线，可现场通线固定。
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公开(公告)号：CN103560095A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310530610.8
申请日：2013-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/11 , H01L2224/75
Abstract: 热-超声-电磁复合场调控金属间化合物生长实现芯片高可靠立体互连的方法，涉及一种多层堆叠芯片低温快速键合工艺条件下焊点金属间化合物定向生长的新方法。所述方法按照打孔→填充导电金属→制备钎料层→夹持对中→热-磁场-超声→成品的顺序进行超声键合多层堆叠硅通孔芯片。超声能够促进金属原子的扩散，能够加速实现单一种类金属间化合物焊点的形成，将金属间化合物的完整生长时间缩短到几十秒到几分钟。定向的磁场可控制焊点IMCs的晶粒取向，提高焊点的电学可靠性。该方法产生的金属间化合物焊点不但可以承受后封装过程中较高的无铅再流焊温度，还可以解决堆叠芯片互连工艺及材料不兼容等问题，大大提高效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN103234977A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310140090.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 倒装焊芯片焊点缺陷双热像仪红外测温检测法，涉及一种芯片焊点缺陷的检测方法。针对现有检测技术无法满足生产实际需求的缺陷，本发明按照如下方法检测倒装焊芯片焊点缺陷：在倒装芯片的一侧设置一个热像仪A，在基底一侧设置一个热像仪B和红外激光器，激光光束直径略小于焊盘，将红外激光束对准倒装芯片基底待测焊盘，调整好功率和脉宽参数，对之施以热激励，热像仪A和热像仪B同时实时分别检测激光光点照射基底焊盘处与相应的芯片焊球区的温升过程，同时观察和拍摄温升最高点的热图像，根据温升曲线或热像图判断倒装焊芯片焊点缺陷。本发明的倒装焊芯片焊点虚焊检测法采用逐点检测的方法，具有无损、缺陷高辨识率、判别直观简单的特点。
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公开(公告)号：CN102489810B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110439730.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于钎料球激光重熔工艺的MEMS自组装方法，它涉及一种MEMS自组装方法。针对现有基于熔融钎料表面张力的MEMS自组装方法中钎料合金集成工艺复杂，MEMS器件整体加热重熔不适用于对于热、力敏感的光学MEMS器件以及电阻局部加热实现具有逻辑顺序的多次自组装工艺复杂，无法应对复杂结构的问题。方案一：通过激光对释放在MEMS芯片金属焊盘上的钎料球进行加热，使之熔化并拉动MEMS芯片的活动结构实现翻转运动；方案二：释放钎料合金球在多个焊盘连接中心，对钎料合金球进行加热重熔，依次完成第一旋转机构、第二旋转机构和第三旋转机构的自组装。本发明用于微加工制造技术。
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