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公开(公告)号：CN102637742A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210127626.X
申请日：2012-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区，且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率，而且本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN102117822A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244442.X
申请日：2009-12-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
Abstract: 本发明具体涉及一种阻变存储器存储单元及其制备方法，属于非挥发性存储器件技术领域。为解决小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，本发明提供一种阻变存储器存储单元，包括单晶硅衬底以及阻变存储材料层，所述存储单元还包括肖特基二极管；所述肖特基二极管作为开关及电流驱动单元设置于所述单晶硅衬底与所述阻变存储材料层之间。其中阻变存储材料层和肖特基二极管都可以用传统CMOS工艺来制备。该1D-1R结构可有效克服在小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，可有效应用于阻变非挥发性存储器单元中，获得具有足够驱动电流、高密度、高可靠性阻变存储单元，且其制备方法是与传统CMOS工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN101692411A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910093999.8
申请日：2009-10-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的复合电极，其包括导电基片、形成于所述导电基片上的多孔状半导体电极层，以及吸附于所述半导体电极层上的半导体纳米颗粒膜层。本发明的技术方案通过蒸发或溅射形成的Ti薄膜可以与透明导电波膜形成良好的界面接触，因此通过阳极氧化法制备的TiO2纳米孔结构后，在透明导电基底与纳米TiO2层形成了良好的界面接触，有效地避免了光电子在透明导电基底与纳米TiO2层界面的输运损失。整个工作电极是由TiO2纳米孔结构以及TiO2纳米颗粒组成的，它们之间的接触良好，利于电子更好地传输，从而可以提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101488459A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910077731.5
申请日：2009-02-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L21/027 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，先在玻璃衬底上依次形成金属源漏区、金属氧化物半导体沟道区和透明栅介质层后，在栅介质层上涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行曝光，显影并坚膜，然后带胶生长一层导电薄膜，再剥离光刻胶和导电薄膜，光刻和刻蚀形成栅电极。该方法可保证器件的栅电极和源漏区之间形成自对准，即栅电极对称位于源漏之间正上方，而且其长度由源漏之间的距离而非掩膜版上的尺寸所决定，有效避免寄生效应的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101212019A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610170723.1
申请日：2006-12-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括：衬底和金属－绝缘－金属(MIM)结构电阻器，MIM结构电阻器中两金属作为顶电极和底电极，绝缘体为掺杂金属元素的二氧化钛氧化物薄膜。其制备方法是采用溶胶－凝胶旋涂法、化学气相淀积、溅射等方法结合退火工艺，在金属/二氧化硅/硅上制备掺杂金属元素的二氧化钛氧化物薄膜，再在氧化物薄膜上制作顶金属电极，形成了一具有优异双稳态电阻转变和记忆特性的电阻式随机存取存储器的存储单元。
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公开(公告)号：CN112858418B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110205251.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种用于肿瘤细胞检测的传感器的制备方法，该方法将3D打印技术与微电子技术结合，制备出的传感器结构包括衬底、绝缘层、传感层，两个测试电极和溶液装载区，绝缘层位于衬底之上，传感层位于绝缘层之上，测试电极和溶液装载区位于传感层之上，溶液装载区位于两个测试电极之间。本发明基于细胞外基质pH的准确测量，实现肿瘤细胞检测工作。本发明可用于临床肿瘤细胞的实时、准确测定。
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公开(公告)号：CN107464848B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710532464.0
申请日：2017-07-03
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及一种底栅氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括在衬底上依次堆叠形成底栅电极、底栅介质层、氧化物半导体有源层、沟道保护层以及钝化层和在所述钝化层开口中引出的源、漏电极，所述有源层经图形化形成有源区，所述沟道保护层经图形化形成沟道保护区；所述方法还包括，在所述有源区和所述沟道保护区上形成掺杂材料层以及随后的退火操作，从而在所述有源区中形成所述薄膜晶体管的源区和漏区。本申请还公开了根据该方法制备的底栅氧化物半导体薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN105530419B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201610082147.9
申请日：2016-02-05
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: H04N5/225 , G02F1/1335 , G02B27/28
Abstract: 本发明实施例提供一种图像采集系统、图像采集处理系统以及图像采集处理方法，该图像采集系统包括摄像装置和偏振装置，该摄像装置用于获取目标场景的第一图像和第二图像，该偏振装置在该摄像装置获取第二图像时设置于该摄像装置的对应第二图像的入射光路中，使进入该摄像装置的用于形成第一图像的第一入射光和用于形成第二图像的第二入射光的偏振状态不同。本发明实施例可以降低图像处理的信息量、提升图像处理的精确度。
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公开(公告)号：CN105264775B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201380039287.2
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/20
CPC classification number: G06F7/5013 , G06F7/607
Abstract: 公开了一种基于阻变器件的全加器及其操作方法。利用基于阻变器件的交叉阵列构成多位全加器电路，其中本位和数据非挥发性存储于交叉阵列主对角线上，进位数据存储于主对角线两侧相邻单元。利用存储回路(串扰回路)的连通与否存储进位数据。本技术大幅简化了多位全加器电路。减少进位信号产生的额外电路，减少电路延时和芯片面积，并使加法器具有非挥发性存储的能力。
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