气体检测传感器
    112.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1399720A

    公开(公告)日:2003-02-26

    申请号:CN00809901.4

    申请日:2000-06-05

    CPC classification number: G01N25/32 G01N33/0013

    Abstract: 本发明的主要目的是简化气体检测传感器的构造,并且在有H2O和O2存在的条件下,可高精度地检测被检测气体内的可燃性气体的浓度、和含有可燃性气体的被检测气体内的氧气的浓度。为了达到上述目的,本发明的气体检测传感器是通过可燃性气体的接触反应而使传感器发热,通过该发热而发出可燃性气体的检测信号的气体检测传感器,由以下部分构成:膜片,该膜中在被检测气体所接触的接气面上具有白金镀层薄膜;第1检测传感器,该检测传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成,通过可燃性气体的接触反应而被加热;具有与被检测气体相接触的接气面的膜片;对被检测气体的温度进行检测的第2检测传感器,该传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成。

    化学气相沉积的排气处理回收的方法及装置

    公开(公告)号:CN1398661A

    公开(公告)日:2003-02-26

    申请号:CN01123256.0

    申请日:2001-07-23

    Abstract: 一种化学气相沉积(CVD)排气的处理回收方法及装置,是将化学气相沉积排气中所含有的原料气体或中间产物转化反应成高挥发性的卤化物,以防止排气系统管路的附着、堆积、可将具有再利用价值的资源进行分离回收、以及减少保养维护。将化学气相沉积排气中所含有的原料气体与中间产物进行分解处理或转化反应处理,待一部分分解后,即进行氢卤化硅气体与氯化氢的分离回收。又,原料气体及中间产物也可完全分解成氯化氢再进行回收。

    等离子体处理方法
    114.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1363719A

    公开(公告)日:2002-08-14

    申请号:CN01143879.7

    申请日:2001-12-14

    CPC classification number: C23F4/00 H01L21/32136

    Abstract: 按照一种等离子体处理方法,送入处理腔体(1)内的处理气体产生等离子体并且借助等离子体对处理腔体(1)内放置的衬底(8)进行处理。衬底(8)包括至少两种类型被等离子体刻蚀的堆叠薄膜(21,22),并且根据被刻蚀的薄膜类型,改变等离子体产生期间内的处理气体。因此可以缩短除主等离子体处理以外的任何过程所需时间从而可以缩短整个等离子体处理的总计时间以改善处理速度。

    等离子体处理装置
    115.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1322007A

    公开(公告)日:2001-11-14

    申请号:CN01120789.2

    申请日:2001-03-21

    CPC classification number: H01J37/32192 C23C16/4401 C23C16/511

    Abstract: 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备:处理室(1、2);微波发射构件(5);以及反应气体供给装置(14、15、21、22),反应气体供给装置包含反应气体供给路(15),该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间,还具备防微波透射构件(16),该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。

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