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公开(公告)号：CN102549860A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102474076A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031731.2
申请日：2010-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主面13a显示出半极性及无极性中的任一种。n型GaN基半导体层15设置在支撑体13的主面13a上。n型GaN基半导体层15、有源层19及p型GaN基半导体层17排列在法线轴Nx的方向上。p型GaN基半导体层17中添加有镁作为p型掺杂剂，p型GaN基半导体层17含有碳作为p型掺杂剂。p型GaN基半导体层17的碳浓度为2×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。
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公开(公告)号：CN102473805A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002448.1
申请日：2011-01-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/34333
Abstract: GaN基半导体发光器件11a包含：由GaN基半导体构成的衬底13，其具有以63度以上且小于80度的倾斜角α从c面向m轴倾斜的主面13a；GaN基半导体外延区域15；有源层17；电子阻挡层27及接触层29。有源层17由含铟的GaN基半导体构成。衬底13的位错密度为1×107cm-2以下。在具有含铟的有源层的GaN基半导体发光器件11a中，能够减轻在电流注入高的情况下的量子效率的降低。
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公开(公告)号：CN102422497A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020695.X
申请日：2010-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。结(78a)～(78c)的位错密度大于其它结的位错密度。
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公开(公告)号：CN101984774A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200980104006.0
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101958386A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010231367.6
申请日：2010-07-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0421 , H01S5/3202 , H01S5/343 , H01S5/34333
Abstract: 一种氮化物类半导体发光元件，能够抑制在接触层和电极的界面上形成肖特基势垒。氮化物类半导体发光元件(LD1)，具备：GaN基板(3)；六方晶系的氮化镓类半导体区域(5)，设在GaN基板的主面(S1)上且包括发光层(11)；以及p电极(21)，设在氮化镓类半导体区域上且由金属构成。氮化镓类半导体区域包括内含畸变的接触层(17)，接触层与p电极连接，主面沿着从与GaN基板的c轴方向正交的面以预定的倾斜角度(θ)倾斜的基准平面(S5)延伸，倾斜角度包含在大于40度且小于90度的范围或150度以上且小于180度的范围中的某一范围中。氮化镓类半导体区域与GaN基板晶格匹配。
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公开(公告)号：CN101919076A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200980100861.4
申请日：2009-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02389 , B82Y20/00 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3086 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供包含具有良好表面形态的氮化镓基半导体膜的III族氮化物半导体器件。III族氮化物半导体光器件(11a)具备：III族氮化物半导体支撑体(13)、GaN基半导体区域(15)、有源层(17)和GaN基半导体区域(19)。III族氮化物半导体支撑体(13)的主面(13a)显示相对于与基准轴(Cx)正交的基准平面(Sc)倾斜的非极性，基准轴(Cx)沿III族氮化物半导体的c轴方向延伸。GaN基半导体区域(15)设置在半极性主面(13a)上。GaN基半导体区域(15)的GaN基半导体层(21)例如包含n型GaN基半导体，在n型GaN基半导体中添加有硅。GaN基半导体层(23)的氧浓度为5×1016cm-3以上时，在GaN基半导体层(23)的主面上后续生长的有源层(17)的结晶品质变得良好。
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公开(公告)号：CN101789474A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010108912.2
申请日：2010-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/0237 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/0075
Abstract: 一种制作氮化物类半导体发光元件的方法，能够改善阱层的膜厚方向上的铟组分不均匀，并且能够降低阱层内的缺陷密度。在阱层生长的第1期间(P1)，向生长炉(10)中供给作为III族原料的镓原料和铟原料，生长InGaN薄层。在第2期间(P2)，在不供给镓原料的情况下，向生长炉(10)中供给铟原料。第2期间(P2)与第1期间(P1)连续。第1期间(P1)为时刻t3～t4、时刻t5～t6。在时刻t3～t4，生长InGaN薄层(24a)，在时刻t5～t6，生长InGaN薄层(26a)。第2期间(P2)为时刻t4～t5。活性层(21)的阱层(25)由多个InGaN薄层(24a、26a)构成。
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公开(公告)号：CN101682172A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200980000378.9
申请日：2009-02-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3215 , H01S5/3407 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体激光器，该III族氮化物半导体激光器具有良好的光学限制特性，并且包括具有良好晶体质量的InGaN阱层。在第一光引导层(21)与第二光引导层(23)之间设置有源层(19)。有源层(19)可以包括阱层(27a)、(27b)和(27c)，并且还包括在所述阱层之间设置的至少一个第一势垒层(29a)。第一光引导层(21)和第二光引导层(23)分别包括比第一势垒层(29a)的带隙(E 29 )小的第一InGaN区21a和第InGaN区23a，并且因此可以使得第一光引导层(21)和第二光引导层(23)的平均折射率(n 引导 )大于第一势垒层(29a)的折射率(n 29 )。因此，实现了良好的光学限制。第一势垒层(29a)的带隙(E 29 )大于第一InGaN区(21a)的带隙(E 21 )和第二InGaN区(23a)的带隙(E 23 )。
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公开(公告)号：CN100573942C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710008167.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势垒层(13b)的铟组分。InAlGaN势阱层(13a)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。InAlGaN势垒层(13b)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。
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