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公开(公告)号：CN102157197A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110126447.X
申请日：2011-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种链式相变存储器结构,所述链式相变存储器结构包括至少两个串联的相变存储单元；所述相变存储单元包括场效应晶体管以及相变电阻存储单元，所述场效应晶体管的源端和漏端分别和相变电阻存储单元的两端相连；场效应晶体管的源端和其相邻的场效应晶体管的漏端相连形成场效应晶体管链；一个块选择晶体管与其相邻的场效应晶体管的漏端连接控制该场效应晶体管链与外部的连接。在读写过程中，由于没有选通的存储单元的场效应晶体管处于开启状态，从而使对应的相变单元两端为短路状态，而且是接地的。没有选通的存储单元的相变材料两端为接地状态，从而可以消除位线串扰带来的影响。
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公开(公告)号：CN101552603B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910050914.8
申请日：2009-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0175 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C13/00 , G11C16/06
Abstract: 一种相变存储单元的读写驱动电路，其包括：用于提供待读写的相变存储单元所需电流的电流源电路；用于将电流源电路所提供的电流转换为多路镜像电流的镜像电路；与多个脉冲信号输入端相连接且用于根据待读写的相变存储单元当前所要进行的操作选择相应输入的脉冲信号的脉冲选择电路；用于根据所选择的脉冲信号选取所述镜像电路输出的一路镜像电流，并将其输出至待读写的相变存储单元的电流控制电路；与写信号输入端相连接且用于监视写入的数据是否正确的写监视电路；用于根据待读写的相变存储单元的电流确定所述待读写的相变存储单元的电压降，进而确定所述待读写的相变存储单元所存储的数据的读数据电路，由此实现对相变存储单元的读写驱动。
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公开(公告)号：CN101777389A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010101396.0
申请日：2010-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。
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公开(公告)号：CN113539327B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110779019.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00 , G06F16/903
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元实现快速逻辑计算装置及数据检索方法，装置包括相变存储阵列和外围控制电路，相变存储阵列包括两个相变存储逻辑算子；相变存储逻辑算子包括两个相变存储单元，两个相变存储单元的一端均与同一位线相连，另一端与各自的选通管的漏端相连，选通管的源端接地，相变存储逻辑算子中的一个相变存储单元的选通管的栅极与第一字线相连，另一个相变存储单元的选通管的栅极与第二字线相连；外围控制电路将初始数据信息写入相变存储阵列中，选通管根据第一字线和第二字线上的信号选通相变存储单元，使得相变存储单元中存储的信息与位线上的脉冲信号进行逻辑运算。本发明能够减少数据匹配计算量，实现高效的数据检索。
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公开(公告)号：CN113515914B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110451619.4
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种OTS选通器件仿真模型，包括：状态模块，用于根据OTS选通器件的上一刻的状态和两端电压，控制所述OTS选通器件当前所处的状态；阻值模块，用于根据所述OTS选通器件当前所处的状态和两端电压来计算所述OTS选通器件的阻值；电压模块，根据所述OTS选通器件的阻值计算所述OTS选通器件的两端电压，并将所述OTS选通器件的两端电压传输给所述状态模块和所述阻值模块。本发明能够仿真模拟出OTS器件在电路中的工作状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113315506B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110494507.7
申请日：2021-05-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新氦类脑智能科技有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器时序可重构布尔逻辑电路、方法及装置，其中电路包括相变存储单元和选通器件，所述相变存储单元的第一端与第一输入电极相连，第二端与所述选通器件的漏端相连，所述选通器件的源端与第二输入电极相连，栅端与控制端相连；通过控制所述第一输入电极、第二输入电极、控制端的输入信号以及所述相变存储单元的初始状态实现逻辑运算操作。本发明能够在单个相变存储单元中实现多种逻辑计算。
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公开(公告)号：CN112350728B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202011178033.7
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明涉及一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器，包括电容阵列、开关阵列、电压比较器和逻辑控制模块，所述电容阵列包括N个并联的电容，其中，第一个电容的容值为单位电容的容值C，所述第i个电容的电容的容值为2i‑2C，i≥2；所述开关阵列包括预比较开关，电容开关阵列和电压比较器参考电压开关；所述预比较开关在所述逻辑控制模块的控制下实现在采样阶段对输入电压信号的预比较；所述电容开关阵列在所述逻辑控制模块的控制下按照逐次逼近的逻辑实现采样、保持与电荷重分配的过程；所述电压比较器参考电压开关在所述逻辑控制模块的控制下实现所述电压比较器参考电压的选择。本发明还涉及上述模数转换器的工作方法。本发明可以减少电容阵列。
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公开(公告)号：CN112859996B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110086387.7
申请日：2021-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低压高精度带隙基准电路，包括：正温度电流产生电路，用于产生与绝对温度正相关的电流；负温度电流产生电路，用于产生与绝对温度负相关的电流；高温补偿电路，用于在温度升高时产生高温补偿电流；低温补偿电路，用于在温度降低时产生低温补偿电流；电流电压转换电路，用于采用所述高温补偿电流和低温补偿电流对产生的绝对温度正相关的电流和绝对温度负相关的电流进行补偿，并将补偿后的电流转换为电压。本发明针对曲线特征在高温、低温时引入或引出正温特性补偿电流，具有更好的温度特性，提高了系统的工作性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN113515914A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110451619.4
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种OTS选通器件仿真模型，包括：状态模块，用于根据OTS选通器件的上一刻的状态和两端电压，控制所述OTS选通器件当前所处的状态；阻值模块，用于根据所述OTS选通器件当前所处的状态和两端电压来计算所述OTS选通器件的阻值；电压模块，根据所述OTS选通器件的阻值计算所述OTS选通器件的两端电压，并将所述OTS选通器件的两端电压传输给所述状态模块和所述阻值模块。本发明能够仿真模拟出OTS器件在电路中的工作状态。
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公开(公告)号：CN109903805B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910139097.7
申请日：2019-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的一种存储器片内自测试方法、装置和存储器，通过获取自测试信号后令所述存储器进入自测试状态；在所述存储器中寻找由一或多个连续无故障的所述存储单元构成的满足预设大小的存储区域作为无故障区域；对所述存储器的各存储单元进行测试并将存在故障的存储单元的故障信息存储到所述无故障区域；在自测试结束后将所述无故障区域存储的首地址输出到外部端口以供读取。本发明能够降低了测试成本，而且可以对存储器进行全速测试，增加了测试的故障覆盖率和测试效率，减小了测试的面积开销，能够更加方便及时地发现存储器的问题所在。
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