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公开(公告)号：CN103500729B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310492853.7
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN104485325A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410758727.6
申请日：2014-12-11
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种减小圆片级集成无源器件翘曲的结构和制作方法，包括第一层金属层和第二层金属层，第二层金属层位于第一层金属层的上层，第二层金属层为螺旋状线圈结构，第一层金属层为连接线圈内外的桥线；其特征是：在所述第一层金属层和第二层金属层之间相互交叠的区域设置绝缘层。所述制作方法，包括以下步骤：（1）在圆片上制作第一层金属层；（2）在整个圆片上涂覆光敏有机聚合物，制作通孔；去除掉光敏有机聚合物，保留第一层金属层所在区域的光敏有机聚合物，固化；（3）制作第二层金属层，第二层金属层和第一层金属层之间的交叠区域与绝缘层相重叠。本发明通改善了由于有机介质层导致的圆片翘曲问题。
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公开(公告)号：CN102431963B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110419770.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、钝化层和凸点；⑦最后划片形成独立的封装器件。本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。
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公开(公告)号：CN104465428A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310423177.8
申请日：2013-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种铜-铜金属热压键合的方法，所述方法至少包括步骤：先提供待键合的第一圆片和第二圆片，所述第一圆片包括第一衬底、第一钝化层及第一Ti-Cu合金薄膜，所述第二圆片包括第二衬底、第二钝化层及第二Ti-Cu合金薄膜；再将所述第一圆片的第一Ti-Cu合金薄膜表面和第二圆片的第二Ti-Cu合金薄膜表面进行热压键合；最后在保护性气体中进行退火处理，使第一Ti-Cu合金薄膜中的Ti原子向第一钝化层表面扩散，第二Ti-Cu合金薄膜中的Ti原子向第二钝化层表面扩散，并最终在第一、第二钝化层表面形成Ti粘附/阻挡层，而Cu原子向键合面扩散，实现键合。本发明的方法在键合前仅需要对两个衬底分别进行一次共溅射，溅射次数减少了一半，工艺相对简单，可靠性好，且工艺成本较低，最后经过退火处理扩散形成Ti粘附/阻挡层，并使铜的键合效果更佳。
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公开(公告)号：CN102610539B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210015978.6
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用集成pn结测量多芯片埋置型高密度封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中分别掺杂磷和硼，利用pn结的导通电压随温度变化的特性来测量芯片接面温度。根据需要选择并控制掺杂剂量和结深。先在衬底上埋置槽内光刻出p型掺杂区并掺杂硼，然后再光刻形成n+掺杂区并掺杂磷，然后淀积金属，光刻腐蚀形成引线焊盘和金属布线。通过控制掺杂剂量和结深调节线性测温范围；通过pn结阵列可以实时获取芯片接面温度和热分布情况。本发明采用了喷胶光刻工艺来形成从埋置槽底部向硅圆片表面的爬坡引线。该工艺采用了光刻等于微电子工艺相兼容的工艺，工艺步骤简单，工艺周期较短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544040B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210014615.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN103500729A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310492853.7
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L23/5226 , H01L21/76898 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN103203925A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210013248.2
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G03F7/027 , H01L21/311 , H01L23/3171 , H01L23/49894 , H01L23/5329 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种提升光敏BCB薄膜可靠性的方法，该方法首先提供一衬底，在所述衬底表面涂覆一层粘附剂；而后在所述粘附剂的表面涂覆光敏BCB，并光刻所述光敏BCB直至暴露出衬底，按前述相同手段并根据所需层数制备出至少一层的多个光敏BCB单元，形成作为介质层的BCB薄膜。本发明一方面减少升温降温过程中出现的热应力，降低了热应力对整片衬底的翘曲影响，同时由于光敏BCB单元间的热应力减少，从而单个光敏BCB单元产生的裂纹或其它可靠性问题不会蔓延到所有光敏BCB单元；另一方面，光刻形成的无BCB覆盖的槽，可作为划片道使用，以减少在划片时出现的BCB脱落的情况，即在不增加成本的前提下，有效地提升了可靠性。
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公开(公告)号：CN103187364A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110457844.5
申请日：2011-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , C23C14/16
Abstract: 本发明涉及一种在高深宽比深孔中制备种子层的方法，包括，提供晶圆，所述晶圆的正面带有深孔；在所述晶圆的正面形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述深孔的底部和侧壁；在所述绝缘层上蒸发沉积阻挡层；以及在所述阻挡层上蒸发沉积种子层。在蒸发沉积所述阻挡层和所述种子层时，加热使所述晶圆达到200℃至250℃，并旋转所述晶圆；在蒸发沉积所述种子层时，采用分步沉积法。根据本发明的制备方法，能够实现深宽比达到10、深度为280um的深孔的种子层连续覆盖，能够对不同尺寸的TSV实现种子层的连续覆盖；并且工艺过程简单，可操作性强；该方法只需一步完成，降低了工艺的时间和成本，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103066040A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110324618.X
申请日：2011-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01P3/06 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/66 , H01L2223/6622 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01P11/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地，构成一个形成类似同轴线的共轴屏蔽层，接地TSV和TSV芯之间的硅片正反两面均使用填充有低介电常数聚合物的隔离槽；接地通孔的数量、尺寸和距离根据实际的应用频段通过仿真确定，以此结构实现微波频段硅片两面互连。使用穿硅传输结构降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免损耗过大。该工艺步骤简单，与其他工艺相兼容。
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