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公开(公告)号：CN112680793B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910990349.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒底部设置有具有向下凸出的台阶，以使所述导流筒底部在所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离小于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111850681B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910357352.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长方法和装置。所述半导体晶体生长方法包括：获取石墨坩埚在首次用于半导体晶体生长过程时的初始位置CP0；获取所述石墨坩埚的当前生产批次N，所述当前生产批次N表征所述石墨坩埚当前用来进行的半导体晶体生长过程的次数；根据所述当前生产批次N在所述石墨坩埚内套设的石英坩埚内装入多晶硅原料，其中，所述多晶硅原料的总重量称为装料量W(N)，所述装料量W(N)根据当前生产批次N进行调整，以在保持所述石墨坩埚的初始位置CP0不变的同时，使所述石英坩埚内硅熔体液面的初始位置保持稳定。根据本发明，保证了拉晶过程中各参数的稳定，提升了拉晶的速度和拉晶的质量。
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公开(公告)号：CN112095142B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910527023.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述提拉装置提拉所述硅晶棒穿过所述导流筒的过程中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离大于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN110592662A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910913689.X
申请日：2019-09-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种热场测量机构及校正方法。在晶体生长装置中的坩埚轴上设置测量平台，距离传感器通过测量工装设置在测量平台上，在实际晶体生长状态的情况下，以坩埚轴为基准，测量热场各部件不同方位的径向距离，并根据测量结果对热场进行调整，增强热场的对中性，以保证晶体生长的热区对称且稳定，使得晶体生长的扭曲变形发生的概率降低，提高晶体表面的光滑平整性，进而提高晶体的良率。
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公开(公告)号：CN214168186U
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202021535395.2
申请日：2020-07-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种拉晶炉的冷却装置和拉晶炉，其中所述拉晶炉的冷却装置包括至少一个具有中空结构的管道，所述中空结构中容纳有冷却液，所述管道位于拉晶炉的腔室中，所述管道的管壁上形成有多个凸起和/或多个凹陷。即所述冷却装置通过在管壁上形成凸起和/或凹陷，增加了换热面积，从而提高了冷却液的换热效率，降低了晶体的温度以及增加了晶体的温度梯度，因此，晶体的生长速度也得以提高。
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公开(公告)号：CN213476149U
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202021535421.1
申请日：2020-07-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种拉晶炉的冷却装置和拉晶炉，其中所述拉晶炉的冷却装置包括至少一个具有中空结构的管道，所述中空结构中容纳有冷却液，所述管道位于拉晶炉的腔室中，所述管道的管壁为双层复合结构，所述双层复合结构中的外层为不锈钢层，和冷却液接触的内层为热传导率高于所述不锈钢层的高热传导材料层。即所述冷却装置通过增加高热传导材料层，提高了冷却液的换热效率，降低了晶体的温度以及增加了晶体的温度梯度，因此，晶体的生长速度也得以提高。
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