公开(公告)号：CN115312586B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202211067210.3

申请日：2022-09-01

申请人： 江苏长晶科技股份有限公司

发明人： 杨国江 ,  于世珩 ,  胡佳贤

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种碳化硅功率器件，包括：衬底，衬底包括有源区和终端区；终端区包括多个场限环、绝缘介质层和多个第一场板；场限环位于衬底内；绝缘介质层位于衬底表面，且覆盖有源区的部分和终端区的部分，绝缘介质层包括间隔设置的第一部分绝缘介质层和第二部分绝缘介质层；第一场板和场限环一一对应设置，第一部分绝缘介质层位于第一场板末端；第一部分绝缘介质层的耐压能力大于第二部分绝缘介质层的耐压能力。本发明实施例提供的技术方案提高了终端结构的效率及可靠性，实现了节约芯片面积和成本的目的。

公开(公告)号：CN110911491B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201910180105.2

申请日：2019-03-11

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 西胁达也

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

摘要： 实施方式提供一种能够提高耐压的半导体装置，其具备：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层；第二导电型的第一半导体区域；第一导电型的第二半导体区域；第一电极，与第二半导体区域电连接；第二电极，隔着第一绝缘膜配置在第一沟槽内；多个柱状的第一场板电极，与第一电极电连接，夹着第二电极，隔着第二绝缘膜而配置在孔内；多个第三电极，从第一绝缘膜的端部延伸，隔着第三绝缘膜配置在第二沟槽内，从第二电极的端部以条状延伸；多个第二场板电极，与第一场板电极分离，隔着第四绝缘膜配置在第三沟槽内，经由第一电极与第一场板电极电连接，夹着或包围第三电极，并以条状延伸；以及第四电极，与第二电极和第三电极电连接。

公开(公告)号：CN116825853A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202211658812.6

申请日：2022-12-22

申请人： 广州大学

发明人： 李涵 ,  刘绪佳 ,  何小月 ,  解玖远 ,  赵国程 ,  陶蕾

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/267 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明涉及二维半导体纳米材料技术领域，且公开了一种可切换正负极的硅基肖特基二极管，包括少层六方氮化硼、γ‑硒化铟纳米片、少层石墨烯、金电极层、钛黏附层、二氧化硅绝缘层和硅基衬底，二氧化硅绝缘层设置在硅基衬底上，二氧化硅绝缘层上设置有钛黏附层，钛黏附层外表面设置有金电极层，所述γ‑硒化铟纳米片的一端置于金电极层上，另一端置于二氧化硅绝缘层表面，少层石墨烯一端置于γ‑硒化铟纳米片上，另一端置于金电极层上，少层六方氮化硼将γ‑硒化铟纳米片与少层石墨烯上方覆盖。

公开(公告)号：CN116799050A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202210259974.6

申请日：2022-03-16

申请人： 瀚宇彩晶股份有限公司

发明人： 刘家麟 ,  黄昱甄 ,  黄永立

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供一种半导体晶体管，包括基板、通道层、缓冲层、源极与漏极、主动层、栅绝缘层以及栅极结构。栅极结构进一步包括栅极、第一栅极场板以及第二栅极场板。通道层设置在基板上，缓冲层设置在基板与通道层之间。源极与漏极接触通道层。主动层设置在通道层上，且位于源极与漏极之间。栅绝缘层设置在主动层上，栅极结构设置在栅绝缘层内。第一栅极场板电性连接栅极，且位于栅极与漏极之间。第二栅极场板电性连接第一栅极场板，且部分第二栅极场板位于第一栅极场板与漏极之间，其中第二栅极场板远离基板的表面设有多个第一凸起结构，且第二栅极场板设置在第一栅极场板远离通道层的一侧。

公开(公告)号：CN111430461B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201910023455.8

申请日：2019-01-10

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 伏广才 ,  赖海长

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底内形成有相邻的阱区和漂移区；栅极结构，位于阱区和漂移区交界处的基底上；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；漏区，位于栅极结构另一侧的漂移区内；硅化物阻挡层，位于栅极结构和漏区之间的基底上，硅化物阻挡层还延伸至栅极结构中靠近漏区的侧壁和部分顶壁上；光吸收层，位于硅化物阻挡层上；介电层，位于栅极结构露出的基底上，且介电层覆盖栅极结构以及光吸收层；导电结构，位于介电层内，且导电结构的底端位于光吸收层中或者位于光吸收层上。光吸收层能够吸收光子中的能量，导电结构底部的第一类型电荷吸收能量降低的光子后，不易进入漂移区内，优化了半导体结构的电学性能。

公开(公告)号：CN116682865A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310713743.2

申请日：2023-06-16

申请人： 重庆大学

发明人： 肖冬萍 ,  何进 ,  张淮清 ,  熊汉

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L23/31

摘要： 本发明公开了一种多沟道GaN肖特基二极管，包括周期性多沟道结构，该周期性多沟道结构与衬底之间设置有缓冲层，所述周期性多沟道结构的一端设置有阴极，所述周期性多沟道结构的另一端设置有阳极，所述阳极沿所述周期性多沟道结构的上表面方向延伸出上场板和下场板，所述下场板与周期性多沟道结构的上表面之间设置有下钝化层，所述上场板与该下钝化层之间设置有上钝化层。本发明采用双层场板混合钝化层结构来提高多沟道GaN肖特基二极管的击穿电压；以及采用氧化镓(Ga2O3)作为背势垒材料来减小多沟道GaN肖特基二极管的反向泄漏电流。

公开(公告)号：CN116646391A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310920524.1

申请日：2023-07-26

申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司

发明人： 黄泽军 ,  蔡远飞 ,  江洪湖 ,  华俊武 ,  于蒙蒙

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种沟槽功率器件的制造方法，包括提供衬底及设置于衬底上的外延，第一硬掩膜层形成有第一窗口，在第一窗口注入P型杂质形成P型体区和P型耐压环；去除第一硬掩膜层，在氧化硅层上方沉积第二硬掩膜层，第二硬掩膜层形成有第二窗口，在第二窗口注入高能N型杂质，且高能N型杂质在P型体区下方形成有JFET掺杂区；在第二窗口注入N型杂质，使P型体区内形成N+源区；淀积氧化硅或氮化硅介质层并回刻于第二窗口形成侧墙结构；在第二硬掩膜层和侧墙结构的遮挡下，通过第二窗口刻蚀外延形成沟槽；通过光罩刻蚀层间介质层形成第三窗口，在第三窗口注入P型杂质形成P+欧姆接触，采用炉管退火或快速热退火激活P+欧姆接触。

公开(公告)号：CN116598332A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310057580.7

申请日：2023-01-18

申请人： 伏达半导体(合肥)股份有限公司

发明人： 林中 ,  乐薇 ,  吴永杰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本申请提出了一种高压MOSFET装置、制造方法及器件。所述装置包括：具有第一电导率的基底，形成在基底上的具有第二电导率的漂移层，形成在漂移层中的具有第一电导率的体区；形成在体区中的具有第二电导率的源区，形成在漂移层中的具有第二电导率的漏区，形成在体区和漂移层上的栅极电介质层，形成在栅极电介质层上的栅极，从漂移层的顶面延伸到栅极的顶面的第一电介质层，和形成在第一电介质层上的场板缝隙结构，其中场板缝隙结构包括多个缝隙。

公开(公告)号：CN112447847B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202010107193.6

申请日：2020-02-21

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 加藤浩朗 ,  稻田充郎 ,  白石达也 ,  西胁达也 ,  小林研也

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

摘要： 实施方式提供能够获得高耐压、低导通电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部；电极，设置于上述半导体部上；及位于上述半导体部与上述电极之间的控制电极以及多个场电极。上述控制电极配置于第1沟槽的内部，从上述半导体部电绝缘。上述场电极配置于第2沟槽的内部，通过第3绝缘膜从上述半导体部电绝缘。上述第3绝缘膜包含第1绝缘部和比上述第1绝缘部薄的第2绝缘部。在上述多个场电极中的1个场电极与上述半导体部之间存在的第3绝缘膜中，上述第1绝缘部位于上述1个场电极和与上述1个场电极最接近的别的场电极之间。上述第2绝缘部与上述第1绝缘部相邻，位于上述1个场电极与其他场电极之间。

公开(公告)号：CN116565024A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310682947.4

申请日：2023-06-09

申请人： 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

发明人： 乔明 ,  马鼎翔 ,  王胜铎 ,  王嘉伟 ,  高悦 ,  张波

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种功率半导体器件，通过在器件介质槽内的栅极下方加入屏蔽栅Shield Gate Trench，可以起到辅助耗尽和降低开关损耗的作用。在器件的底部引入埋层，在器件的漏极和埋层之间引入连接区，可以将漏极电位引入到器件的体内，实现将载流子在经过沟道和漂移区后，能够从器件的表面引出。在本发明中，针对不同类型的SGT结构，提供了包括适用于多沟道、电压等级扩展、抗穿通设计、短沟道设计的集成SGT功率半导体结构。本发明针对SGT器件提供了可以集成的SGT结构，使得SGT器件能够集成在平面工艺中，提高芯片的集成度。