公开(公告)号：CN116779649A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202311041883.6

申请日：2023-08-18

申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司

发明人： 黄泽军 ,  江洪湖 ,  蔡远飞 ,  华俊武 ,  于蒙蒙

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L23/48

摘要： 本发明提供了一种半导体功率器件版图，该版图结构取消了利用栅极沟槽将虚栅沟槽包围的封闭结构，减少了栅极沟槽的数量和长度，降低了米勒电容，并且减小翘曲的几率。同时还能够在不需要额外增加沟槽的情况下，限制多子在基区的移动，降低了芯片上的热应力。

公开(公告)号：CN116779649B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311041883.6

申请日：2023-08-18

申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司

发明人： 黄泽军 ,  江洪湖 ,  蔡远飞 ,  华俊武 ,  于蒙蒙

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L23/48

摘要： 本发明提供了一种半导体功率器件版图，该版图结构取消了利用栅极沟槽将虚栅沟槽包围的封闭结构，减少了栅极沟槽的数量和长度，降低了米勒电容，并且减小翘曲的几率。同时还能够在不需要额外增加沟槽的情况下，限制多子在基区的移动，降低了芯片上的热应力。

公开(公告)号：CN116646391A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310920524.1

申请日：2023-07-26

申请人： 深圳市锐骏半导体股份有限公司

发明人： 黄泽军 ,  蔡远飞 ,  江洪湖 ,  华俊武 ,  于蒙蒙

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种沟槽功率器件的制造方法，包括提供衬底及设置于衬底上的外延，第一硬掩膜层形成有第一窗口，在第一窗口注入P型杂质形成P型体区和P型耐压环；去除第一硬掩膜层，在氧化硅层上方沉积第二硬掩膜层，第二硬掩膜层形成有第二窗口，在第二窗口注入高能N型杂质，且高能N型杂质在P型体区下方形成有JFET掺杂区；在第二窗口注入N型杂质，使P型体区内形成N+源区；淀积氧化硅或氮化硅介质层并回刻于第二窗口形成侧墙结构；在第二硬掩膜层和侧墙结构的遮挡下，通过第二窗口刻蚀外延形成沟槽；通过光罩刻蚀层间介质层形成第三窗口，在第三窗口注入P型杂质形成P+欧姆接触，采用炉管退火或快速热退火激活P+欧姆接触。