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公开(公告)号:CN116682865A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310713743.2
申请日:2023-06-16
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种多沟道GaN肖特基二极管,包括周期性多沟道结构,该周期性多沟道结构与衬底之间设置有缓冲层,所述周期性多沟道结构的一端设置有阴极,所述周期性多沟道结构的另一端设置有阳极,所述阳极沿所述周期性多沟道结构的上表面方向延伸出上场板和下场板,所述下场板与周期性多沟道结构的上表面之间设置有下钝化层,所述上场板与该下钝化层之间设置有上钝化层。本发明采用双层场板混合钝化层结构来提高多沟道GaN肖特基二极管的击穿电压;以及采用氧化镓(Ga2O3)作为背势垒材料来减小多沟道GaN肖特基二极管的反向泄漏电流。
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公开(公告)号:CN115411955A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202211214519.0
申请日:2022-09-30
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M7/06 , H02M1/12 , H02J50/20 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN肖特基二极管的微波整流电路,包括输入滤波器与匹配电路、GaN肖特基二极管和输出直通滤波器,所述GaN肖特基二极管串联于输入滤波器与匹配电路和输出直通滤波器之间,所述输出直通滤波器的输出端连接负载电阻。所述输入滤波器与匹配电路包括十字形枝节微带线和第一扇形枝节微带线,所述十字形枝节微带线的横向带线的一端连接MPT系统接收天线的输入端口,十字形枝节微带线的横向带线的另一端与第一扇形枝节微带线的纵向带线垂直相接;所述输出直通滤波器包括第二扇形枝节微带线,第二扇形枝节微带线的纵向带线一侧与GaN肖特基二极管的负极相连,第二扇形枝节微带线的纵向带线另一侧连接至负载电阻。本发明结构更简单且转化效率更高,解决了现有整流电路结构复杂损耗大、整流效率受限的问题。
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