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公开(公告)号：CN110364594B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910656222.1
申请日：2019-07-19
申请人： 中原工学院
摘要： 本发明提供一种氮化镓或氮化铝纳米孔的制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次进行（1）GaN或AlN薄膜层的生长；（2）SiO2薄膜层的沉积；（3）Ni薄膜层的沉积并进行Ni薄膜层的退火处理，在Ni薄膜层的退火过程中，Ni薄膜自组装形成离散Ni颗粒；（4）SiO2薄膜层的刻蚀：以步骤（3）自组装形成的Ni颗粒为掩膜，刻蚀SiO2薄膜层，直至刻蚀面抵达GaN或AlN薄膜层；（5）Ni颗粒的腐蚀：腐蚀去除Ni颗粒后，GaN或AlN薄膜层上留下SiO2纳米柱；（6）GaN或AlN薄膜层的继续生长：GaN或AlN薄膜层继续外延生长且GaN或AlN薄膜层继续生长后的高度不高于SiO2纳米柱的高度；（7）SiO2纳米柱的腐蚀：腐蚀除去SiO2纳米柱，即得GaN或AlN纳米孔。本发明形成的纳米孔的界面要好，缺陷少。
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公开(公告)号：CN111052415A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052347.7
申请日：2018-08-06
申请人： 日本碍子株式会社
摘要： 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。
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公开(公告)号：CN111052413A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052333.5
申请日：2018-07-31
申请人： 日本碍子株式会社
摘要： 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。
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公开(公告)号：CN109860362A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811480407.3
申请日：2018-12-05
申请人： 湖北深紫科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有纳米网状结构的深紫外LED外延片、器件及其制备方法，该LED器件包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上依次形成的AlN层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、P型GaN层，所述N型AlGaN层的刻蚀外露部分上形成有第一钝化层，所述第一钝化层上形成有N电极，所述P型GaN层上形成有第二钝化层，所述第二钝化层上形成有P电极，所述AlN层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、P型GaN层上设有多个从上往下贯穿的纳米通孔，且多个所述纳米通孔均填充有旋涂玻璃SOG；本发明通过缩短侧向出射光的传播距离的方式，以提取更多侧面出射光，提高深紫外LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN109616560A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811392946.1
申请日：2018-11-21
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
发明人： 顾伟
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/025 , H01L33/16
摘要： 本发明公开了一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底，分别由第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层所组成；其中：所述第一衬底层为非（0001）面的蓝宝石衬底,且所述第一衬底层的表面和蓝宝石（0001）面的夹角大于30o,所述第一衬底层上具有周期性的图形化结构。本发明的优点在于：通过在第一衬底层上制备周期性的具有特定晶面暴露的图形化结构，以此为基础外延生长出具有周期性高、低缺陷密度区域的第二衬底层，然后通过光刻制程选择性的在高缺陷密度区域上制备出相同周期性的第三衬底层，从而使用本发明的复合衬底生长氮化物外延层时,可以从复合衬底上的第二衬底层的低缺陷密度区域向上生长,得到高品质的氮化物外延层。
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公开(公告)号：CN106169527B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610341825.9
申请日：2016-05-20
申请人： 夏普株式会社
摘要： 本发明以低成本提供与作为氮化物半导体层的生长用衬底使用单晶蓝宝石衬底的情况相比元件特性维持现状或比现状提高的氮化物半导体发光元件。该氮化物半导体发光元件包括：作为主成分包含多晶二氧化硅或非晶二氧化硅的衬底；设置在衬底之上的基底层；和设置在衬底之上，具有至少一个由氮化物半导体单晶构成的层的层叠结构。基底层包含c轴取向的结晶，通过溅射法形成。
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公开(公告)号：CN104205368B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201280072253.9
申请日：2012-11-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L33/16
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , C09D11/52 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/0029 , H01L33/28 , H01L33/502 , Y10S977/774
摘要： 种半导体纳米晶体,其特征在于,具有在90℃或更高的温度下的固态光致发光外部量子效率是在25℃下的半导体纳米晶体的固态光致发光外部量子效率的至少95%。还公开了种半导体纳米晶体,其具有至少0.5eV的多个LO光子辅助电荷热逃逸活化能。半导体纳米晶体,其能够发射在从590nm至650nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光,其特征在于吸收光谱,其中,在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于5.5。半导体纳米晶体,其能够发射在从545nm至590nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光,其特征在于吸收光谱,其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于7。半导体纳米晶体,其能够发射在从495nm至545nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光,其特征在于吸收光谱,其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于10。进步公开了种组合物,该组合物包含多种半导体纳米晶体,其中,在90℃或更高的温度下组合物的固态光致发光效率是组合物25℃的固态光致发光效率的至少95%。种用于制备半导体纳米晶体的方法,包括将种或多种第壳硫属元素化物前体和种或多种第壳金属前体引入到包括半导体纳米晶体核的反应混合物中,其中,第壳硫属元素化物前体以第壳金属前体的至少约2倍摩尔当量大的量加入,然后在至少300℃的第反应温度下使第壳前体反应,从而在半导体纳米晶体核上形成第壳。公开了包括本发明的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。还公开了包括根据本发明的任何方法制备的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。
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公开(公告)号：CN108305923A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810324504.7
申请日：2015-03-23
申请人： 日本碍子株式会社
摘要： 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN108269889A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711399602.9
申请日：2017-12-11
申请人： 温州大学
摘要： 本发明公开了一种生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用，其结构包括Ce：YAG单晶衬底和生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜；Ce：YAG单晶衬底以(111)面为外延面，Ce：YAG单晶衬底与GaN薄膜的取向关系为：Ce：YAG单晶衬底的(111)面平行于GaN薄膜的(0001)面。由此生长的GaN薄膜的晶体质量好。本发明亦公开了生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜的制备方法，该制备工艺方法简单，制备成本低，可用于批量生产，易于商业化。此外，本发明还把生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜应用于LED器件中。
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