公开(公告)号：CN118239785A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410438484.1

申请日：2024-04-12

Applicant: 苏州铠欣半导体科技有限公司 ,  湖南铠欣新材料科技有限公司

Inventor： 贺鹏博 ,  李亚林

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645

Abstract: 本申请涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法与半导体器件，该碳化硅陶瓷的制备方法包括：将碳化硅粉、烧结助剂及有机树脂分散于溶剂中，进行均质处理，得到混合料；然后对混合料在搅拌下进行干燥处理，得到改性碳化硅粉；将改性碳化硅粉与粘结剂依次进行混炼造粒、成型处理、脱脂处理及烧结处理；按质量份数计，粘接剂包括80份~95份的A组分、3份~15份的B组分及1份~8份的C组分；A组分为聚甲醛；所述B组分选自聚丙烯、聚苯乙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯及乙烯‑醋酸乙烯共聚物中的至少一种；所述C组分选自硬脂酸、硬脂酸锌、邻苯二甲酸二辛酯及邻苯二甲酸二丁酯中的至少一种。通过上述方法能得到纯度和致密化度均较高的碳化硅陶瓷。

公开(公告)号：CN118146003A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410315211.8

申请日：2024-03-19

Applicant: 上海戎创铠迅特种材料有限公司

Inventor： 姚力军 ,  王科 ,  王巨宝 ,  周敏

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅陶瓷零部件及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅粉末进行冷等静压，得到碳化硅坯料；所述碳化硅粉末的平均粒径为0.5‑2μm；(2)将步骤(1)所得碳化硅坯料依次经包套焊接、脱气和热等静压，然后去除包套，得到所述碳化硅陶瓷零部件。本发明以细度较高的碳化硅粉末为原料，通过冷等静压以及热等静压相结合的工艺，可以制得不同尺寸和形状的碳化硅陶瓷零部件，且制得的碳化硅陶瓷零部件的纯度与致密度均较高，能够满足半导体用的高性能要求。

公开(公告)号：CN116553933A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210110973.5

申请日：2022-01-29

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 姚秀敏 ,  黄诗杰 ,  黄政仁 ,  刘学建 ,  陈忠明 ,  蒋金弟

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种SiC/MCMBs复合材料，包括SiC基体、以及分布在SiC基体中的中间相碳微球(MCMBs)；其中，所述中间相碳微球经过碳化硅聚合物前驱体改性，以在所述SiC和所述中间相碳微球的界面处形成碳化硅微晶和游离碳。本发明还提供一种如上所述的SiC/MCMBs复合材料的制备方法和应用。

公开(公告)号：CN116332651A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310213515.9

申请日：2023-03-07

Applicant: 西安中威新材料有限公司

Inventor： 王建忠 ,  刘钊

IPC: C04B35/575 ,  B28B3/02 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于陶瓷均温板技术领域，具体涉及反应烧结碳化硅陶瓷均温板及制备方法。所述制备方法包括配料、混合、造粒、利用压制成型设备压制成型、烘干、除碳、烧结等步骤。压制成型设备包括上压制模具和下压制模具，上压制模具和下压制模具之间设置有压制模具头，下压制模具顶面设置有压制槽，压制槽底部活动设置有振动板，振动板内部水平转动设置有中央搅动盘，中央搅动盘的顶面上设置有多个搅动齿，振动板的顶面上水平转动设置有中央随动盘，该装置制备压制成型的坯块的均匀度得到了提高，进而使制备出的碳化硅陶瓷均温板的抗弯强度和硬度得到了提升，利用本发明压制成型设备压制素坯后，后续配套的干燥、煅烧步骤消耗的时间缩短。

公开(公告)号：CN111606711B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202010516771.1

申请日：2020-06-09

Applicant: 欧阳晓平

Inventor： 欧阳晓平 ,  王海阔 ,  欧阳潇 ,  谈仲军

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/575 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种多晶B4C—SiC双层复合材料及其制备方法，属于无机非金属材料领域，该方法以B4C多晶块体或粉末、SiC多晶块体或粉末为原料，通过对原料进行净化处理，预压成型，预压成型的原料用金属包裹体包裹，装配高压组装单元，放置于超高压设备中，在600‑2300℃，1‑25 GPa高温高压条件下烧结，制得多晶B4C—SiC双层复合材料；利用本发明制备的多晶B4C—SiC双层复合材料具有多晶SiC与多晶B4C双层结构，SiC层与B4C层经高温高压烧结在一起，两层多晶体结合紧密，晶粒大小分布均匀，致密度高；该多晶B4C—SiC双层复合材料既具备B4C较高硬度、较高断裂韧性、密度小的特点，又结合了SiC成本低、易烧结的优点。

公开(公告)号：CN114105646A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111562121.1

申请日：2021-12-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  彭浩 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  周玉

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622

Abstract: 原位SiC‑BN(C)‑Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，它涉及机械合金化结合反应热压烧结技术。它要解决现有陶瓷材料制备中存在加入润滑相会导致其力学性、可靠性和抗破坏性能变差的问题。方法1：h‑BN粉、石墨、立方硅粉和Ti粉球磨制备SiBCN‑xwt％Ti粉体，热压烧结。方法2：制备NB21混合粉，加立方硅粉、h‑BN粉和石墨，得SiBCN‑xwt％NB21粉体，热压烧结炉。方法3：TiN和TiB2球磨后加立方硅粉、h‑BN粉和石墨继续球磨，得非晶/纳米晶复合粉体，热压烧结炉。采用机械合金化结合热压烧结技术，制备具有优异力学和摩擦学性能及高温抗氧化性能的陶瓷；适用于制备纳米晶复相陶瓷。

公开(公告)号：CN111320478B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202010234099.7

申请日：2020-03-27

Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 ,  有研科技集团有限公司

Inventor： 白雪 ,  刘宇阳 ,  王星奇 ,  杨磊 ,  桂涛 ,  王星明 ,  储茂友 ,  韩沧

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B35/65 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。

公开(公告)号：CN113511900A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110590214.9

申请日：2021-05-28

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 黄政仁 ,  夏爱东 ,  殷杰 ,  姚秀敏 ,  刘学建 ,  陈忠明

IPC: C04B35/571 ,  C04B35/575 ,  C04B35/622 ,  C04B35/71

Abstract: 本发明涉及一种硼化锆增强SiC‑AlN固溶主相纳米复相陶瓷烧结体的制备方法，包括：将SiC的前驱体PCS交联固化并研磨，得到PCS粉体；将所述PCS粉体和AlN粉体、ZrB2粉体、溶剂混合，得到浆料；将所得浆料干燥过筛，得到混合粉体；将所得混合粉体经高温裂解后得到无机混合粉体；将所述无机混合粉体置于惰性气氛中，在1900～2100℃下热压烧结，得到所述纳米复相陶瓷烧结体。

公开(公告)号：CN112919911A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110439023.2

申请日：2021-04-23

Applicant: 西安航空学院

Inventor： 张阔 ,  于方丽 ,  张海鸿 ,  唐健江

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/575 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及超高温陶瓷材料领域，公开了一种SiC/ZrC层状块体复合材料及其制备方法，该复合材料由交替分布且互相平行的SiC层和ZrC层组成；其制备方法由①碳膜的预处理、②通过熔盐反应将碳膜转化为SiC膜、③通过熔盐反应将碳膜转化为ZrC膜、④SiC膜与ZrC膜的逐层堆叠及⑤SiC/ZrC层状块体复合材料的放电等离子烧结五个步骤组成。本发明工艺简单，成本低廉，不仅能实现SiC/ZrC层状块体复合材料的快速制备，且制备出的材料微观结构均匀，致密度高。另外，本发明也适合其他碳化物膜及块体复合材料的制备，因此大大扩展了碳化物系层状块体复合材料的制备方法。

公开(公告)号：CN112830788A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202110075099.1

申请日：2021-01-20

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 刘学建 ,  张辉 ,  黄政仁 ,  姚秀敏 ,  蒋金弟 ,  陈忠明

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种氮化硅陶瓷材料及其制备方法，所述氮化硅陶瓷材料包括氮化硅相和晶界相；所述氮化硅相的含量≥95wt%；所述晶界相为至少含有Y、Mg、O三种元素的混合物；所述晶界相的含量≤5wt%，且晶界相中结晶相的含量≥40vol%。