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公开(公告)号：CN104710174B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510104203.X
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高压电、高储能密度无铅陶瓷介质材料，成分以通式(0.95‑x‑y‑z)Bi0.5Na0.5TiO3–xBi0.5K0.5 TiO3 –yBa0.65Sr0.35Ti‑O3–zK0.5Na0.5NbO3 –0.05LiTaO3来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0.002≤x≤0.3，0.002≤y≤0.2，0.001≤z≤0.3。本发明采用放电等离子烧结，可在低烧结温度下获得均匀致密的陶瓷组织。本发明的压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高压电常数，储能密度可达1.75J/cm3，储能效率可达65%，压电常数d33可达682pm/V、实用性好。
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公开(公告)号：CN105174943A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510611206.2
申请日：2015-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种介电储能陶瓷及其制备方法，组成成分以通式Re0.02Sr0.97TiO3+ x%MnO2+y%ZnNb2O6来表示，其中Re为La、Nd、Sm或Gd，MnO2、ZnNb2O6为外加，0.1≤x≤ 0.3，1.5≤ y≤7.5，x，y均为质量分数。本发明通过在钛酸锶中掺杂稀土和添加铌酸锌，采用一步烧结，获得致密均匀、细晶结构的陶瓷。本发明的陶瓷具有优秀的介电性能，储能密度可达2.98J/cm3，储能效率可达90%以上，击穿强度可达535kV/cm，具有高耐压、高储能密度与高储能效率的优点，在脉冲电源领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103435262B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310372577.0
申请日：2013-08-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土激活的白光荧光玻璃材料及其制备方法，它是先称取以摩尔百分比计的：ZnO=40-42，SrO=20-22，P2O5=36-40。稀土外加，放入玛瑙研钵中，加入适量无水乙醇后充分研磨均匀制成配合料；待配合料干燥后倒入坩埚中，先在500℃保温0.5h，然后快速升温至1200-1250℃保温2h；随后将熔化好的玻璃液倒入模具中成型，然后将成型好的玻璃迅速放进马弗炉中退火后，随炉冷却到室温；将块状玻璃经切割、研磨、抛光成为透明状玻璃片。该稀土共掺的玻璃发光性能优异，可以有效地被358nm或377nm紫外光激发。通过调控玻璃组成和稀土离子浓度可方便地调节荧光玻璃的光色品质。制备工艺简单，不需要还原气氛，熔化温度低，降低了制备成本。有望与半导体芯片直接组装成白光器件，简化封装工艺。
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公开(公告)号：CN104710172A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510103499.3
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种室温高压反铁电高储能密度无铅陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(BixNay)AgzTi0.98-mO3-mBaTiO3-0.02SrZrO3+n(0.5MnO2-0.3La2O3-0.2Nb2O5)来表示，其中x、y、z、m、 n表示摩尔分数，x=0.48，0.49；y=(0.46-z)，(0.44-z)，(0.46-z)，(0.42-z)；x与y分别取值： x/y= 0.48/(0.46-z),0.48/(0.44-z),0.49/(0.46-z),0.49/(0.44-z),0.49/(0.42-z)；0.005≤z≤0.01；0.04≤m≤0.09；0.001≤n≤0.02。本发明采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体，通过两歩烧结，获得了多层芯壳结构，通过高场诱发反铁电相变，获得很高的储能密度及储能效率。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型储能陶瓷介质，耐压性好，损耗低，在脉冲高压电源领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104710171A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510103056.4
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Sr1-1.5z(Bi0.8La0.2)zTiO3-x(Bi0.5Na0.5)1-mMgmTiO3-yBi0.5Li0.5(Ti0.92Mn0.08)O3来表示，其中x、y、z、m表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7；0.01≤y≤0.2；0.05≤z≤0.3；0.02≤m≤0.2。本发明通过成分调节，形成复相组成，采用微波烧结形成均匀细小晶粒的致密结构，即保持高的介电常数，有获得高的耐压。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高储能密度复相陶瓷介质材料，具有优异的储能特性及储能效率，储能密度可达1.9J/cm3，储能效率可达65%，环境友好、损耗低、实用性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104505463A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410781346.X
申请日：2014-12-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/504
Abstract: 本发明公开了一种双层发光层结构的白光OLED器件，所述器件包括一层空穴传输兼蓝光发光层和一层电子传输兼黄绿光发光层，另外还包括衬底、阳极、空穴注入层、电子注入层和反射金属阴极。本发明与传统结构的双发光层混合实现白光发射的OLED器件相比，不需要再采用额外的空穴传输层和电子传输层，从而简化器件结构和制备工艺，并能达到传统结构的双发光层白光OLED器件的效果。
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公开(公告)号：CN103864412A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410063590.2
申请日：2014-02-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料及其制备方法，主要成分为BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体，其中0.01≤x≤0.05，符号MII为Co、Mn、Ni、Cu、Zn的正二价氧化物中的一种。将BaMIIxBi1-xO3热敏相粉体与有机载体按质量比74：26混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将电阻浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在700~900℃烧结下，保温120分钟即可得到低阻型BaMIIxBi1-xO3负温度系数热敏厚膜材料。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在20～80μm内，热敏常数值介于1000~4000K之间，室温电阻率处于0.7Ω·cm~20kΩ·cm范围内，150℃下保温650小时的老化率低于2%。
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公开(公告)号：CN103553338A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310473495.5
申请日：2013-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明涉及一种高储能的硼酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法，其制备方法是以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为主要起始原料，掺杂不同含量SrF2和Gd2O3，按照设定的组成配料，配合料经湿法球磨混匀、烘干，然后在1350℃熔化保温30-60min熔化成均匀的玻璃液，再经快速成型、退火得到高致密度、无气孔的均匀基础玻璃，然后基础玻璃在一定温度下晶化热处理得到微晶玻璃电介质材料。由该方法制备微晶玻璃材料的介电常数30-136可调，直流击穿强度879-1210kV/cm可调，储能密度最高达6.94J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制造。
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